1 \documentclass[semhelv]{seminar}
4 \usepackage[german]{babel}
5 \usepackage[latin1]{inputenc}
6 \usepackage[T1]{fontenc}
10 \usepackage{calc} % Simple computations with LaTeX variables
11 \usepackage[hang]{caption2} % Improved captions
12 \usepackage{fancybox} % To have several backgrounds
14 \usepackage{fancyhdr} % Headers and footers definitions
15 \usepackage{fancyvrb} % Fancy verbatim environments
16 \usepackage{pstcol} % PSTricks with the standard color package
19 \graphicspath{{./img/}}
22 \usepackage{semlayer} % Seminar overlays
23 \usepackage{slidesec} % Seminar sections and list of slides
25 \input{seminar.bug} % Official bugs corrections
26 \input{seminar.bg2} % Unofficial bugs corrections
32 \extraslideheight{10in}
35 \def\slideleftmargin{.0in}
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37 \def\slidetopmargin{0in}
38 \def\slidebottommargin{.2in} % fucking slide number gone now :)
45 \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps}
47 \includegraphics[height=2cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}
52 Kinetik des Selbstorganisationsvorgangs bei der Bildung von $SiC_x$-Ausscheidungs-Arrays in $C^+$-Ionen-implantiertem Silizium
55 F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J. K. N. Lindner und B. Stritzker
64 Cross-Section TEM-Aufnahme selbstorganisierter amorpher Lamellen
68 \includegraphics[width=10cm]{k393abild1_.eps}
69 Hellfeld-TEM-Abbildung, $180 keV \textrm{ } C^+ \rightarrow Si(100)$, $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$
80 \includegraphics[width=8cm]{model1_s_german.eps}
85 \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
86 \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
87 \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
88 \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
89 \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
90 \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
96 Amorphisierungs und Rekristallisationswahrscheinlichkeit \\
98 Beitr"age zur Amorphisierung
100 \item \textcolor[rgb]{0,1,1}{ballistisch}
101 \item \textcolor{red}{kohlenstoffinduziert}
102 \item \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{spannungsinduziert}
105 Berechnung der Wahrscheinlichkeiten
108 \displaystyle p_{c \rightarrow a}(\vec r) = \textcolor[rgb]{0,1,1}{p_{b}} + \textcolor{red}{p_{c} \, c_{Kohlenstoff}(\vec r)} + \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{\sum_{amorphe \, Nachbarn} \frac{p_{s} \, c_{Kohlenstoff}(\vec{r'})}{(\vec r - \vec{r'})^2}} \\
110 p_{a \rightarrow c}(\vec r) = (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)) \displaystyle \Big( 1 - \frac{\sum_{direkte \, Nachbarn} \delta (\vec{r'})}{6} \Big) \, \textrm{, mit} \\
114 \delta (\vec r) = \left\{ \begin{array}{ll}
115 1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
116 0 & \textrm{sonst} \\
125 %\begin{picture}(50,50)(-50,0)
127 \includegraphics[width=7cm]{gitter_oZ.eps}
130 \begin{picture}(200,0)(-180,0)
132 \includegraphics[width=6cm]{2pTRIM180C.eps}
133 %\includegraphics[width=6cm]{implsim_new.eps}
136 \begin{tabular}{l|c|c}
137 & Version 1 & Version 2 \\
139 Anzahl Zellen $(x,y,z)$ & $64 \times 64 \times 100$ & $64 \times 64 \times 233$ \\
141 nukleares Bremskraftprofil & linear gen"ahert & exakt (TRIM) \\
143 Implantationsprofil & linear gen"ahert & exakt (TRIM) \\
145 Kollision pro implantierten Teilchen & $1$ & exakt (TRIM) \\
147 Anzahl der implantierten Teilchen & ~ $30$ Millionen & $\equiv$ Dosis \\
153 Simulationsalgorithmus
156 \item Amorphisierung/Rekristallisation
158 \item gewichtete Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess entsprechend nuklearer Bremskraft
159 \item Berechnung der lokalen Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit $p_{c \rightarrow a}$ und $p_{a \rightarrow c}$
160 \item Ausw"urfeln der entscheidenden Zufallszahl
162 \item Einbau des implantierten Kohlenstoffions ins Silizium-Target
164 \item gewichtete Wahl der Koordinaten f"ur Kohlenstofferh"ohung entsprechend Implantationsprofil
165 \item lokale Erh"ohung des Kohelnstoffgehalts
167 \item Diffusionsprozess und Sputtering
169 \item Kohelnstoffdiffusion von kristallinen in amorphe Gebiete alle $d_v$ Schritte:
171 \Delta c = c_C(Nachbar) \times dr_{ac}
173 \item Nachr"ucken einer kristallinen kohlenstofffreien Ebene von oben
180 Ergebnisse - Version 1
183 \item \textcolor[rgb]{1,0,0}{Lamellare Strukturen}
185 \includegraphics[height=6cm]{if_cmp3.eps}
192 Ergebnisse - Version 1
195 \item Einfluss der Diffusion
199 \includegraphics[height=6cm]{high_low_ac-diff.eps}
206 Ergebnisse - Version 1
209 \item Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen in aufeinander folgenden Ebenen.
212 \includegraphics[height=7cm]{really_all_z-z_plus1.eps} &
213 \includegraphics[width=8cm]{ac_cconc_d.eps} \\
219 Ergebnisse - Version 2
223 \includegraphics[height=6cm]{if_cmp2.eps}
233 \item Einfaches Modell zur Erzeugung selbstorganisierter amorpher Ausscheidungen
234 \item lamellare Strukturen durch Simulation nachvollziehbar
241 \item Zusammenhang zwischen Simulations- und Implantationsparametern
242 \item objektivere Methode zur Messung der lamellaren Struktur (Fouriertransformierte des Realbildes)
243 \item Vergleiche mit TEM-Aufnahmen, insbesondere der Dosisentwicklung
247 % {\small Folien und Quellcode: http://www.physik.uni-augsburg.de/\~{}zirkelfr/} \\
248 % {\small Email: frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}