8 \setbeamercovered{transparent}
11 \usepackage[german]{babel}
12 \usepackage[latin1]{inputenc}
13 \usepackage[T1]{fontenc}
18 \usepackage{pgf,pgfarrows,pgfnodes,pgfautomata,pgfheaps,pgfshade}
19 %\usepackage{pstricks}
21 \graphicspath{{../img}}
26 \title{Vorstellung der Diplomarbeit}
27 \subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
28 \author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
30 Institut f"ur Physik\\
31 Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\
34 \date{10. November 2005}
35 %\pgfdeclareimage[width=1.5cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo}
36 %\logo{\pgfuseimage{lst-logo}}
38 %\beamerdefaultoverlayspecification{<+->}
43 \frametitle{"Uberblick}
44 \tableofcontents[currentsubsection]
53 \frametitle{"Uberblick}
54 \tableofcontents%[pausesections]
57 \section{Einf"uhrung und Grundlagen}
59 \subsection{Einf"uhrung}
62 \frametitle{Einf"uhrung}
63 \framesubtitle{Ionenimplantation}
64 \begin{block}{Funktionsweise}
66 \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
67 \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($10^2 \, eV - \, GeV$)
68 \item Bestrahlung eines Festk"orpers
72 $\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten
73 \begin{block}{Anwendung}
74 Dotierung von Halbleiterkristallen
79 \frametitle{Einf"uhrung}
80 \framesubtitle{Ionenimplantation}
81 \begin{block}{Vorteile}
83 \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
84 \item Reproduzierbarkeit
87 \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
88 \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
94 \frametitle{Einf"uhrung}
95 \framesubtitle{Selbstorganisation}
99 \includegraphics[height=5.8cm]{ripple_bh.eps}\\
102 R. M. Bradley, J. M. E. Harper.\\
103 J. Vac. Sci. Technol. A 6 (1988) 2390.
107 \includegraphics[width=5cm]{frost.eps}
109 $1000 \,keV$ $Ar^+ \rightarrow$ $InAs$,\\
110 rotierendes Target,\\
111 $T=285 \, K$, $\dot{D}=270 \, \mu A \, cm^{-2}$,\\
112 $t=60 \, min.$, $\alpha = 30 \, ^{\circ}$.\\
116 B. Ziberi, F. Frost, M. Tartz, H. Neumann,\\
118 Thin Solid Films 459 (2004) 106.
122 \includegraphics[height=5cm]{bin_leg.eps}\\
124 R. A. Enrique, P. Bellon.\\
125 Phys. Rev. B 60 (1999) 14649.
129 \includegraphics[width=5cm]{bolse2.eps}
131 $230 \, MeV$ $Kr^+ \rightarrow NiO/SiO_2$,\\
132 $D=1.7 \times 10^{14} cm{-2}$, $\theta = 75 \, ^{\circ}$.
136 W. Bolse, A. Schattat, A. Feyh.\\
137 Appl. Phys. A 77 (2003) 11.
142 \item<1-> Riffelformation auf der Targetoberfl"ache
143 \item<2-> selbstorganisierte Nanostrukturen durch Sputtererosion
144 \item<3-> separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
145 \item<4-> periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
150 \subsection{Ion-Festk"orper-Wechselwirkung}
153 \frametitle{Grundlagen}
154 \framesubtitle{Abbremsung der Ionen}
156 \begin{block}{nuklearer Bremsquerschnitt}
157 elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets\\
158 $S_n(E) = \int_0^{T_{max}} T d \sigma$
161 \begin{block}{elektronischer Bremsquerschnitt}
162 inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets\\
163 $S_e(E) = k_L \sqrt{E}$
166 \begin{block}{Bremskraft}
167 $- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( S_n(E) + S_e(E) \Big)$
171 \subsection[TRIM]{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
174 \frametitle{Grundlagen}
175 \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
176 \begin{block}{Monte-Carlo-Methode}
177 Abbildung von Zufallszahlen auf physikalische Gr"o"sen
179 \begin{block}{Das Prinzip von TRIM}
181 \item Verfolgung einer Vielzahl von Teilchenbahnen
183 \item Start mit gegebener Energie, Position und Richtung
185 \item Geradlinige Bewegung innerhalb freier Wegl"ange
187 \item Energieverlust durch St"o"se
189 \item Terminiert wenn $E_{Ion} < E_k$
195 \frametitle{Grundlagen}
196 \framesubtitle{Die Monte-Carlo-Simulation TRIM}
197 Abbildung der Zufallszahlen auf die physikalischen Gr"o"sen
200 \begin{pgfpicture}{0cm}{0cm}{8cm}{7cm}
201 % free path of flight l
205 \pgfputat{\pgfxy(1.75,5.1)}{\pgfbox[center,bottom]{$l$}}
208 % the atom and impact parameter p
210 \pgfcircle[fill]{\pgfxy(3,6)}{0.1cm}
213 \pgfputat{\pgfxy(2.9,5.5)}{\pgfbox[right,base]{$p$}}
216 % the scattering angle theta
218 \pgfmoveto{\pgfxy(3,5)}
219 \pgflineto{\pgfxy(7,2)}
220 \pgfsetdash{{0.2cm}{0.2cm}{0.2cm}{0.2cm}}{0cm}
222 \pgfsetdash{{1cm}{0cm}{1cm}{0cm}}{0cm} % reset dash ... strange!
223 \pgfputat{\pgfxy(3.9,4.6)}{\pgfbox[right,base]{$\Theta$}}
227 \pgfcircle[fill]{\pgfxy(1,5)}{0.1cm}
228 \pgfmoveto{\pgfxy(1,5)}
229 \pgflineto{\pgfxy(7,5)}
230 \pgfsetdash{{0.2cm}{0.2cm}{0.2cm}{0.2cm}}{0cm}
232 \pgfsetdash{{1cm}{0cm}{1cm}{0cm}}{0cm} % reset dash ... strange!
237 \item<3-> mittlere freie Wegl"ange \color{blue}{$l$}
238 \item<4-> Sto"sparameter \color{red}{$p$}\\
239 \color{black} % reset color ...
240 \onslide<5->{$\Rightarrow$ $\Theta$, $\Delta E$}
241 \item<6-> Azimutwinkel $\Phi$
246 \section{Experimentelle Befunde und Modell}
248 \subsection{Experimentelle Befunde}
251 \frametitle{Experimentelle Befunde}
252 \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
254 \includegraphics[height=5.5cm]{k393abild1_pres.eps}
257 {\scriptsize\bf Hellfeld-XTEM-Abbildung: $180 \, keV \, C^+ \rightarrow (100)Si$, $T = 150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $D = 4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$}
262 \frametitle{Experimentelle Befunde}
263 \framesubtitle{Lage und Ausdehnung amorpher Phasen}
266 \includegraphics[width=5.5cm]{a-d.eps}
267 {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis bei $T=150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$}
270 \includegraphics[width=5.5cm]{a-t.eps}
271 {\scriptsize Amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Temperatur f"ur die Dosis $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$}
276 \frametitle{Experimentelle Befunde}
277 \framesubtitle{Kohlenstoffsegregation}
279 \includegraphics[width=10cm]{eftem.eps}
280 {\scriptsize Hellfeld-XTEM- und Kohlenstoffverteilungsaufnahme. $D=4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$, $T=200 \, ^{\circ} \mathrm{C}$.}
289 \includegraphics[width=8cm]{modell_ng.eps}
294 \item "Uberschreitung der S"attigungsgrenze von $C$ in $c-Si$\\
295 $\rightarrow$ {\bf Nukleation} sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
297 \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $3C-SiC$ und $c-Si$\\
298 $\rightarrow$ Ausscheidungen sind {\bf amorph}
300 \item $20 - 30\,\%$geringere Dichte des amorphen $SiC_x$ im Gegensatz zum $c-Si$\\
301 $\rightarrow$ laterale {\bf Druckspannungen} auf Umgebung
303 \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten\\
304 $\rightarrow$ {\bf Diffusion} von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
306 \item Druckspannungen\\
307 $\rightarrow$ {\bf spannungsunterst"utzte Amorphisierung} zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
311 \section{Simulation und Ergebnisse}
313 \subsection{Simulation}
316 \frametitle{Simulation}
318 {\bf N}ano {\bf L}amellar {\bf S}elbst{\bf o}rganisations{\bf p}rozess
323 \begin{block}{Grober Ablauf}
325 \item Amorphisierung/Rekristallisation
326 \item Kohlenstoffeinbau
327 \item Diffusion/Sputtern
330 \begin{block}{Versionen}
332 \item Version 1 - Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe
333 \item Version 2 - Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich
338 \includegraphics[width=6cm]{gitter_oZ.eps}
340 \scriptsize{Unterteilung des Targets}
346 \frametitle{Simulation}
347 \framesubtitle{Statistik von Sto"sprozessen}
350 \includegraphics[width=5.5cm]{trim_nel.eps}
351 {\scriptsize SRIM 2003.26, nukleare Bremskraft,\\ $180 \, keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}
353 \includegraphics[width=5.5cm]{trim_impl2.eps}
354 {\scriptsize SRIM 2003.26, Implantationsprofil,\\ $180 \, keV$ $C^+ \rightarrow Si$.}
359 \frametitle{Simulation}
360 \framesubtitle{Statistik von Sto"sprozessen}
362 \includegraphics[width=7cm]{trim_coll.eps}\\
364 {\scriptsize $\Rightarrow$ Durchschnittliche Anzahl der St"o"se der Ionen und Energieabgabe}\\
365 {\scriptsize $\Rightarrow$ Mittlere W"urfel-Trefferzahl eines Ions}
369 \frametitle{Simulation}
370 \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation}
371 \begin{block}{Amorphisierungswahrscheinlichkeit}
373 p_{c \rightarrow a}(\vec{r}) = \pause \color{green}{p_b} \pause + \color{blue}{p_c c_C(\vec{r})} \pause + \color{red}{\sum_{\textrm{amorphe Nachbarn}} \frac{p_s c_C(\vec{r'})}{(r-r')^2}}
376 \onslide<2-> \item \color{green}{ballistische Amorphisierung}
377 \onslide<3-> \item \color{blue}{kohlenstoffinduzierte Amorphisierung}
378 \onslide<4-> \item \color{red}{spannungsuntert"utzte Amorphisierung}
384 \frametitle{Simulation}
385 \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallsiation}
386 \begin{block}{Rekristallisationswahrscheinlichkeit}
388 p_{a \rightarrow c}(\vec{r}) = \pause (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec{r})) \pause \Big( 1 - \frac{\sum_{\textrm{direkte Nachbarn}} \delta(\vec{r'})}{6} \Big)
392 \delta(\vec{r}) = \left\{
394 1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
395 0 & \textrm{sonst} \\
404 \frametitle{Simulation}
405 \framesubtitle{Algorithmus - Amorphisierung/Rekristallisation}
406 \begin{block}{Sto"skoordinaten}
408 \item $x,y$ gleichverteilt
409 \item $z$ entsprechend nuklearer Bremskraft
412 \begin{block}{Ablauf}
415 \item Ausw"urfeln der Sto"skoordinaten
417 \item Berechnung von $p_{c \rightarrow a}$ bzw. $p_{a \rightarrow c}$
419 \item Zufallszahl $\rightarrow$ Amorphisierung/Rekristallisation
421 \item Wiederholung f"ur mittlere Anzahl der Treffer des Ions
427 \frametitle{Simulation}
428 \framesubtitle{Algorithmus - Kohlenstoffeinbau}
429 \begin{block}{Koordinaten f"ur Kohlenstoffeinbau}
431 \item $x,y$ gleichverteilt
432 \item $z$ entsprechend Implantationsprofil
435 \begin{block}{Ablauf}
438 \item Ausw"urfeln der Koordinaten f"ur Kohlenstoffeinbau
440 \item Lokale Erh"ohung der Anzahl der Kohlenstoffatome
446 \frametitle{Simulation}
447 \framesubtitle{Algorithmus - Diffusion/Sputtern}
448 \begin{block}{Ablauf der Diffusion alle $d_v$ Schritte}
451 \item Gehe alle Zellen durch
453 \item Wenn Zelle amorph
456 \item Gehe alle Nachbarzellen durch
458 \item Wenn Nachbarzelle kristallin\\
460 $\Rightarrow$ Transferiere den Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs
465 \begin{block}{Sputterablauf alle $S$ Schritte}
468 \item Kopiere Inhalt von Ebene $i$ nach Ebene $i-1$\\
469 $i = 2,3,\ldots,Z-1,Z$
471 \item Setze Status jedes Volumens in Ebene $Z$ kristallin
473 \item Setze den Kohlenstoff jedes Volumens in Ebene $Z$ auf Null
478 \subsection{Simulation bis $300 \, nm$ Tiefe}
481 \frametitle{Ergebnisse}
482 \framesubtitle{Simulation, Version 1}
483 \begin{block}{Eigenschaften}
486 \item Linear gen"ahertes Implantations- und Bremskraftprofil
488 \item Ein W"urfel-Treffer pro Ion
490 \item Rekristallisationswahrscheinlichkeit unabh"angig von direkter Nachbarschaft
492 \item Tiefenbereich $0 - 300 \, nm$
494 \item Kein Sputtervorgang
500 \frametitle{Ergebnisse}
501 \framesubtitle{Erste Simulationen, $s=3 \times 10^5$, $p_c=0$}
503 \includegraphics[width=10cm]{first_sims.eps}
507 $\Rightarrow$ Abbruchradius $r=5$\\
508 $\Rightarrow$ niedrige Simulationsparameter\\
509 $\Rightarrow$ gro"se Anzahl an Durchl"aufen $\rightarrow$ $2$ bzw. $3 \times 10^7$\\}
513 \frametitle{Ergebnisse}
514 \framesubtitle{Vergleich mit TEM-Aufnahme, $p_b=0$, $p_c=0.0001$, $p_s=0.003$, $d_v=10$, $d_r=0.5$}
515 \color{red}{Lamellare Strukturen}
517 \includegraphics[width=10cm]{if_cmp3.eps}
522 \frametitle{Ergebnisse}
523 \framesubtitle{Einfluss der Diffusionsrate $d_r$}
526 \includegraphics[width=6cm]{diff_einfluss.eps}
527 \scriptsize{$p_b=0$, $p_c=0.0001$, $p_s=0.004$, $d_v=10$}
529 \includegraphics[width=6cm]{diff_einfluss_ls.eps}
534 \frametitle{Ergebnisse}
535 \framesubtitle{Einfluss der Diffusionsgeschwindigkeit $d_v$}
538 \includegraphics[width=8cm]{low_to_high_dv.eps}
539 \scriptsize{$p_b=0$, $p_c=0.0001$, $p_s=0.003$, $d_r=0.5$}
540 \column{4cm} \includegraphics[width=4cm]{ls_dv_cmp.eps}
545 \frametitle{Ergebnisse}
546 \framesubtitle{Einfluss der Druckspannung}
549 \includegraphics[width=8cm]{high_to_low_a.eps}
550 \scriptsize{$p_b=0$, $p_c=0.0001$, $d_v=10$, $d_r=0.5$}
552 \includegraphics[width=4cm]{ps_einfluss_ls.eps}
564 \frametitle{Ergebnisse}
565 \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung}
567 \column{5cm} \includegraphics[width=5cm]{97_98_ng.eps}
568 \column{7cm} \includegraphics[width=7cm]{ac_cconc_ver1.eps}
573 \frametitle{Ergebnisse}
574 \framesubtitle{Zusammenfassung, Version 1}
576 \item Modell/Simulation reproduziert die Bildung geordneter Lamellenstrukturen
577 \item Bildungsprozess nachvollziehbar durch die Simulation
578 \item hohe Anzahl an Simulationsdurchl"aufen,\\
579 kleine Amorphisierungswahrscheinlichkeiten
580 \item Diffusion essentiell, insbesondere die Diffusion in $z$-Richtung
581 \item hoher Beitrag durch kohlenstoffinduzierte Amorphisierung
582 \item Kohlenstoffverteilung im Einklang mit EFTEM-Aufnahme
586 \subsection{Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich}
589 \frametitle{Ergebnisse}
590 \framesubtitle{Simulation, Version 2}
591 \begin{block}{Eigenschaften}
594 \item exaktes TRIM Implantations- und Bremskraftprofil
596 \item mittlere Anzahl W"urfel-Treffer pro Ion aus TRIM
598 \item Rekristallisationswahrscheinlichkeit abh"angig von direkter Nachbarschaft
600 \item Tiefenbereich $0 - 700 \, nm$
608 \frametitle{Ergebnisse}
609 \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis}
611 \includegraphics[width=10cm]{dosis_entwicklung_ng1-2.eps}
616 \frametitle{Ergebnisse}
617 \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis}
619 \includegraphics[width=10cm]{dosis_entwicklung_ng2-2.eps}
624 \frametitle{Ergebnisse}
625 \framesubtitle{amorphe Phasen in Abh"angigkeit der Dosis}
628 \includegraphics[width=6cm]{position_al.eps}
630 {\scriptsize Simulation}
633 \includegraphics[width=6cm]{a-d.eps}
635 {\scriptsize Experiment}
641 \frametitle{Ergebnisse}
642 \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung}
644 \includegraphics[height=6.5cm]{ac_cconc_ver2_new_pres.eps}
649 \frametitle{Ergebnisse}
650 \framesubtitle{Kohlenstoffverteilung an den Grenzfl"achen zur amorphen Schicht}
654 \begin{tabular}{|c|c|c|}
656 Dosis & \begin{minipage}{3.5cm} \begin{center} $C$-Konzentration an vorderer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3.5cm} \begin{center} $C$-Konzentration an hinterer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} \\
658 $2,1 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 16 $at. \%$ & 13 $at. \%$ \\
660 $3,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 13 $at. \%$ & 14 $at. \%$ \\
662 $3,4 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 14 $at. \%$ & 12 $at. \%$ \\
668 \begin{tabular}{|c|c|c|c|}
670 Durchl"aufe & \begin{minipage}{2.5cm} \begin{center} "aquivalente Dosis \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3cm} \begin{center} $C$-Konzentration an vorderer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} & \begin{minipage}{3cm} \begin{center} $C$-Konzentration an hinterer Grenzfl"ache \end{center} \end{minipage} \\
673 $80 \times 10^6$ & $2,16 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 15,21 $at. \%$ & 16,62 $at. \%$ \\
675 $120 \times 10^6$ & $3,25 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 15,80 $at. \%$ & 17,67 $at. \%$ \\
677 $159 \times 10^6$ & $4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$ & 17,28 $at. \%$ & 17,73 $at. \%$ \\
684 \frametitle{Ergebnisse}
685 \framesubtitle{Variation der Simulationsparameter}
688 \includegraphics[width=8.5cm]{var_sim_paramters.eps}
699 s & = & 158 \times 10^6
707 \frametitle{Ergebnisse}
708 \framesubtitle{Zusammenfassung, Version 2}
710 \item Modell/Simulation reproduziert die dosisabh"angige Bildung der amorphen Phasen
711 \item Gute "Ubereinstimmung zwischen Experiment und Simulation (bis auf $30 \, nm$-Shift)
712 \item Entwicklung der Grenzfl"achen und lamellaren Ausscheidungen reproduzierbar
713 \item "Ubereinstimmung der Kohlenstoffkonzentration an den Grenzfl"achen
714 \item Detaillierte Untersuchungen zur Kohlenstoffkonzentration und zur genauen Struktur der Ausscheidungen
718 \subsection{Herstellung breiter Bereiche mit lamellarer Struktur}
721 \frametitle{Ergebnisse}
722 \framesubtitle{Herstellung breiter lamellarer Bereiche durch einen zweiten Implantationsschritt}
727 \item Grundlage: $180 \, keV$ $C^+$-implantiertes $Si$-Target
728 \item Target durchgehend kristallin (Implantation bei h"oherer Temperatur)
729 \item Bestrahlung mit $2 \, MeV$ $C^+$-Ionen bei $T=150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$
733 \includegraphics[width=7cm]{carbon_sim.eps}
738 \frametitle{Ergebnisse}
739 \framesubtitle{Nukleares Brmeskraft- und Implantationsprofil von $2 \, MeV$ $C^+ \rightarrow Si$}
742 \includegraphics[width=6cm]{nel_2mev.eps}
744 Nukleare Bremskraft $2 \, MeV$ $C^+ \rightarrow Si$
747 \includegraphics[width=6cm]{impl_2mev.eps}
749 Implantationsprofil $2 \, MeV$ $C^+ \rightarrow Si$
755 \frametitle{Ergebnisse}
756 \framesubtitle{Ergebnisse des zweiten Implantationsschrittes mit $2 \, MeV$ $C^+$-Ionen}
759 Grundlage: $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$ $180 \, keV$ $C^+$-Implantation\\
760 \includegraphics[width=8cm]{2nd_impl_4_3.eps}
766 \frametitle{Ergebnisse}
767 \framesubtitle{Ergebnisse des zweiten Implantationsschrittes mit $2 \, MeV$ $C^+$-Ionen}
770 Grundlage: $1.1 \times 10^{17} cm^{-2}$ $180 \, keV$ $C^+$-Implantation\\
771 \includegraphics[width=8cm]{2nd_impl_1_1.eps}
777 \frametitle{Ergebnisse}
778 \framesubtitle{Herstellung noch breiterer lamellarer Bereiche durch Mehrfachimplantation}
781 \includegraphics[width=7cm]{multiple_impl_cp.eps}
785 \item breite, konstante, kastenf"ormige Verteilung des Kohlenstoffs
786 \item Mehrfachimplantation, Energien zwischen $180$ und $10 \, keV$
787 \item Konzentrationsmaximum: $10 \, at.\%$
788 \item Bestrahlung mit $2\, MeV$ $C^+$-Ionen
795 \frametitle{Ergebnisse}
796 \framesubtitle{Ergebniss der $2\, MeV$ $C^+$-Bestrahlung}
798 \includegraphics[width=11cm]{multiple_impl.eps}
803 \frametitle{Ergebnisse}
804 \framesubtitle{Ergebniss der $2\, MeV$ $C^+$-Bestrahlung}
806 \includegraphics[width=10cm]{multiple_ls.eps}
810 \section{Zusammenfassung und Ausblick}
812 \subsection{Zusammenfassung}
815 \frametitle{Zusammenfassung}
818 \item Experimentell beobachtete selbstorganisierte Anordnung amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen
820 \item Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsvorganges
822 \item Implementierung in einen Monte-Carlo-Simulationscode
824 \item Ergebnisse der Simulation reproduzieren die experimentellen Befunde
826 \item Detaillierte Untersuchungen zur Kohlenstoffkonzentration und zur Struktur der Ausscheidungen m"oglich
828 \item Vorhersage zur Herstellung gro"ser Bereiche lamellar geordneter Strukturen
832 \subsection{Ausblick}
835 \frametitle{Ausblick}
838 \item Simulation: Variation der Ionensorte/Temperatur\\
840 $\rightarrow$ Abh"angigkeit der Simulationsparameter vom Materialsystem\\
841 $\rightarrow$ Abh"angigkeit der Simulationsparameter von der Temperatur}
844 \item Experimentell: "Uberpr"ufung der Vorhersage
850 \frametitle{Danksagung}
852 \item Prof. Dr. Bernd Stritzker
853 \item PD Volker Eyert
854 \item PD J"org Lindner
855 \item Dipl. Phys. Maik H"aberlen
856 \item Dipl. Phys. Ralf Utermann
857 \item EP4 + Diplomanden