1 \documentclass[semhelv]{seminar}
4 \usepackage[german]{babel}
5 \usepackage[latin1]{inputenc}
6 \usepackage[T1]{fontenc}
10 \usepackage{calc} % Simple computations with LaTeX variables
11 \usepackage[hang]{caption2} % Improved captions
12 \usepackage{fancybox} % To have several backgrounds
14 \usepackage{fancyhdr} % Headers and footers definitions
15 \usepackage{fancyvrb} % Fancy verbatim environments
16 \usepackage{pstcol} % PSTricks with the standard color package
19 \graphicspath{{./img/}}
22 \usepackage{semlayer} % Seminar overlays
23 \usepackage{slidesec} % Seminar sections and list of slides
25 \input{seminar.bug} % Official bugs corrections
26 \input{seminar.bg2} % Unofficial bugs corrections
32 \extraslideheight{10in}
35 \def\slideleftmargin{.0in}
36 \def\sliderightmargin{0in}
37 \def\slidetopmargin{0in}
38 \def\slidebottommargin{.2in} % fucking slide number gone now :)
45 \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps}
47 \includegraphics[height=2cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}
52 Kinetik des Selbstorganisationsvorgangs bei der Bildung von $SiC_x$-Ausscheidungs-Arrays in $C^+$-Ionen-implantiertem Silizium
55 F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J. K. N. Lindner und B. Stritzker
64 Cross-Section TEM-Aufnahme selbstorganisierter amorpher Lamellen
68 \includegraphics[width=10cm]{k393abild1_.eps}
69 Hellfeld-TEM-Abbildung, $180 keV \textrm{ } C^+ \rightarrow Si(100)$, $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$
80 \includegraphics[width=8cm]{model1_s_german.eps}
85 \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
86 \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
87 \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
88 \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
89 \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
90 \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
98 %\begin{picture}(50,50)(-50,0)
100 \includegraphics[width=7cm]{gitter_oZ.eps}
103 \begin{picture}(200,0)(-180,0)
105 \includegraphics[width=6cm]{2pTRIM180C.eps}
106 %\includegraphics[width=6cm]{implsim_new.eps}
109 \begin{tabular}{l|c|c}
110 & Version 1 & Version 2 \\
112 Anzahl Zellen $(x,y,z)$ & $64 \times 64 \times 100$ & $64 \times 64 \times 233$ \\
114 nukleares Bremskraftprofil & linear gen"ahert & exakt (TRIM) \\
116 Implantationsprofil & linear gen"ahert & exakt (TRIM) \\
118 Treffer pro implantierten Teilchen & $1$ & exakt (TRIM) \\
120 Anzahl der implantierten Teilchen & freier Parameter & $\equiv$ Dosis \\
126 Amorphisierungs und Rekristallisationswahrscheinlichkeit \\
129 \displaystyle p_{c \rightarrow a}(\vec r) = \textcolor[rgb]{0,1,1}{p_{b}} \qquad + \qquad \textcolor{red}{p_{c} \, c_{Kohlenstoff}(\vec r)} \qquad + \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{\sum_{amorphe \, Nachbarn} \frac{p_{s} \, c_{Kohlenstoff}(\vec{r'})}{(\vec r - \vec{r'})^2}} \\
131 \begin{picture}(70,15)(-28,0)
132 \textcolor[rgb]{0,1,1}{ballistisch}
134 \begin{picture}(100,15)(-15,0)
135 \textcolor{red}{kohlenstoffinduziert}
137 \begin{picture}(120,15)(-40,0)
138 \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{spannungsinduziert}
140 \begin{picture}(300,40)
142 p_{a \rightarrow c}(\vec r) = (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)) \displaystyle \Big( 1 - \frac{\sum_{direkte \, Nachbarn} \delta (\vec{r'})}{6} \Big) \, \textrm{, mit}
146 \delta (\vec r) = \left\{ \begin{array}{ll}
147 1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
148 0 & \textrm{sonst} \\
155 Simulationsalgorithmus
157 \includegraphics[width=10cm]{flowchart2.eps}
162 % Simulationsalgorithmus
165 % \item Amorphisierung/Rekristallisation
167 % \item gewichtete Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess entsprechend nuklearer Bremskraft
168 % \item Berechnung der lokalen Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit $p_{c \rightarrow a}$ und $p_{a \rightarrow c}$
169 % \item Ausw"urfeln der entscheidenden Zufallszahl
171 % \item Einbau des implantierten Kohlenstoffions ins Silizium-Target
173 % \item gewichtete Wahl der Koordinaten f"ur Kohlenstofferh"ohung entsprechend Implantationsprofil
174 % \item lokale Erh"ohung des Kohelnstoffgehalts
176 % \item Diffusionsprozess und Sputtern
178 % \item Kohelnstoffdiffusion von kristallinen in amorphe Gebiete alle $d_v$ Schritte:
180 % \Delta c = c_C(Nachbar) \times dr_{ac}
182 % \item Nachr"ucken einer kristallinen kohlenstofffreien Ebene von oben
189 Ergebnisse - Version 1
192 \item \textcolor[rgb]{1,0,0}{Lamellare Strukturen}
194 \includegraphics[height=6cm]{if_cmp3.eps}
201 Ergebnisse - Version 1
204 \item Einfluss der Diffusion
207 \includegraphics[height=5cm]{diff_einfluss.eps} &
208 \includegraphics[height=5cm]{sim2-a004-Z_and_noZ-TEMVIEW-ls.eps} \\
214 Ergebnisse - Version 1
217 \item Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen in aufeinander folgenden Ebenen.
220 \includegraphics[height=7cm]{really_all_z-z_plus1.eps} &
221 \includegraphics[width=8cm]{ac_cconc_d.eps} \\
227 Ergebnisse - Version 2
230 \item Dosisentwicklung
234 \includegraphics[width=12cm]{dosis_entwicklung2.eps}
244 \item einfaches Modell zur Erzeugung selbstorganisierter amorpher Ausscheidungen
245 \item lamellare Strukturen durch Simulation nachvollziehbar
252 \item mehr \dq Version 2 \dq{} - Versuche
253 \item Simulation anderer Ion-Target Kombinationen \\
254 $\rightarrow$ Zusammenhang zwischen Simulations und Implantationsparametern
258 {\small Folien und Quellcode: http://www.physik.uni-augsburg.de/\~{}zirkelfr/} \\
259 {\small Email: frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}