]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/blob - posic/publications/dpg2008_abstract.tex
getting more and more worth, rewrite?!?
[lectures/latex.git] / posic / publications / dpg2008_abstract.tex
1 \pdfoutput=0
2 \documentclass[a4paper,11pt]{article}
3 \usepackage[activate]{pdfcprot}
4 \usepackage{verbatim}
5 \usepackage{a4}
6 \usepackage{a4wide}
7 \usepackage[german]{babel}
8 \usepackage[latin1]{inputenc}
9 \usepackage[T1]{fontenc}
10 \usepackage{amsmath}
11 \usepackage{ae}
12 \usepackage{aecompl}
13 \usepackage[dvips]{graphicx}
14 \graphicspath{{./img/}}
15 \usepackage{color}
16 \usepackage{pstricks}
17 \usepackage{pst-node}
18 \usepackage{rotating}
19
20 \setlength{\headheight}{0mm} \setlength{\headsep}{0mm}
21 \setlength{\topskip}{-10mm} \setlength{\textwidth}{17cm}
22 \setlength{\oddsidemargin}{-10mm}
23 \setlength{\evensidemargin}{-10mm} \setlength{\topmargin}{-1cm}
24 \setlength{\textheight}{26cm} \setlength{\headsep}{0cm}
25
26 \begin{document}
27
28 % header
29 \begin{center}
30  {\LARGE {\bf Molecular dynamics simulation study
31               of the silicon carbide precipitation process}\\}
32  \vspace{16pt}
33  \textsc{\Large \underline{F. Zirkelbach}$^1$, J. K. N. Lindner$^1$,
34          K. Nordlund$^2$, B. Stritzker$^1$}\\
35  \vspace{16pt}
36  $^1$ Experimentalphysik IV, Institut f"ur Physik, Universit"at Augsburg,\\
37  Universit"atsstr. 1, D-86135 Augsburg, Germany\\
38  \vspace{16pt}
39  $^2$ Accelerator Laboratory, Department of Physical Sciences,
40  University of Helsinki,\\
41  Pietari Kalmink. 2, 00014 Helsinki, Finland\\
42 \end{center}
43
44 \vspace{24pt}
45
46 \section*{Abstract}
47 The precipitation process of silicon carbide in heavily carbon doped silicon is not yet understood for the most part.
48 High resolution transmission electron microscopy indicates that in a first step carbon atoms form $C-Si$ dumbbells on regular $Si$ lattice sites which agglomerate into large clusters.
49 In a second step, when the cluster size reaches a radius of a few $nm$, the high interfacial energy due to the $SiC$/$Si$ lattice misfit of almost $20 \, \%$ is overcome and the precipitation occurs.
50 A molecular dynamics simulation approach is used to gain information of the precipitation process on the atomic level.
51 A newly parametrized Tersoff like bond-order potential is used to model the system appropriately.
52 The present work discusses the first results gained by the molecular dynamics simulation.
53
54 \end{document}