2 \documentclass[landscape,semhelv]{seminar}
5 \usepackage[greek,german]{babel}
6 \usepackage[latin1]{inputenc}
7 \usepackage[T1]{fontenc}
12 \usepackage{calc} % Simple computations with LaTeX variables
13 \usepackage{caption} % Improved captions
14 \usepackage{fancybox} % To have several backgrounds
16 \usepackage{fancyhdr} % Headers and footers definitions
17 \usepackage{fancyvrb} % Fancy verbatim environments
18 \usepackage{pstricks} % PSTricks with the standard color package
27 \graphicspath{{../img/}}
29 \usepackage[setpagesize=false]{hyperref}
32 \usepackage{semlayer} % Seminar overlays
33 \usepackage{slidesec} % Seminar sections and list of slides
35 \input{seminar.bug} % Official bugs corrections
36 \input{seminar.bg2} % Unofficial bugs corrections
43 %\usepackage{cmbright}
44 %\renewcommand{\familydefault}{\sfdefault}
45 %\usepackage{mathptmx}
51 \extraslideheight{10in}
56 % specify width and height
60 % shift it into visual area properly
61 \def\slideleftmargin{3.3cm}
62 \def\slidetopmargin{0.6cm}
64 \newcommand{\ham}{\mathcal{H}}
65 \newcommand{\pot}{\mathcal{V}}
66 \newcommand{\foo}{\mathcal{U}}
67 \newcommand{\vir}{\mathcal{W}}
70 \renewcommand\labelitemii{{\color{gray}$\bullet$}}
73 \newrgbcolor{si-yellow}{.6 .6 0}
74 \newrgbcolor{hb}{0.75 0.77 0.89}
75 \newrgbcolor{lbb}{0.75 0.8 0.88}
76 \newrgbcolor{lachs}{1.0 .93 .81}
86 Molekulardynamische Untersuchung\\
87 zum SiC-Ausscheidungsvorgang
92 \textsc{F. Zirkelbach}
115 \item SiC-Ausscheidungsvorgang
118 \item Details der MD-Simulation
119 \item Zwischengitter-Konfigurationen
120 \item Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
121 \item SiC-Ausscheidungen in Si
123 \item Zusammenfassung und Ausblick
138 Eigenschaften von SiC:
141 \item gro"se Bandl"ucke (3C: 2.39 eV, 4H: 3.28 eV, 6H: 3.03 eV)
142 \item hohe mechanische Stabilit"at
143 \item gute Ladungstr"agermobilit"at
144 \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit
145 \item hohe Durchbruchfeldst"arke
146 \item chemisch inerte Substanz
147 \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at
148 \item geringer Neutroneneinfangquerschnitt
149 \item strahlungsresistent
155 \item Hochfrequenz-, Hochtemperatur- und Hochleistungsbauelemente
156 \item Optoelektronik (blaue LEDs), Sensoren
157 \item Kandidat f"ur Tr"ager und W"ande in Fusionsreaktoren
158 \item Luft- und Raumfahrtindustrie, Milit"ar
159 \item Micro-Electro-Mechanical System (MEMS)
164 \begin{picture}(0,0)(-255,-125)
165 \includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps}
167 \begin{picture}(0,0)(-251,-115)
168 \begin{minipage}{4cm}
169 {\tiny DLR ISE: Inverter, $E=98.5\%$}
183 SiC - \emph{Born from the stars, perfected on earth.}
187 Herstellung d"unner SiC-Filme:
189 \item modifizierter Lely-Prozess
191 \item Impfkristall mit $T=2200 \, ^{\circ} \text{C}$
192 \item umgeben von polykristallinen SiC mit
193 $T=2400 \, ^{\circ} \text{C}$
195 \item CVD Homoepitaxie
197 \item 'step controlled epitaxy' auf 6H-SiC-Substrat
198 \item C$_3$H$_8$/SiH$_4$/H$_2$ bei $1500 \, ^{\circ} \text{C}$
199 \item Winkel $\rightarrow$ 3C/6H/4H-SiC
200 \item hohe Qualit"at aber limitiert durch\\
203 \item CVD/MBE Heteroepitaxie von 3C-SiC auf Si
205 \item 2 Schritte: Karbonisierung und Wachstum
206 \item $T=650-1050 \, ^{\circ} \text{C}$
207 \item Qualit"at/Gr"o"se noch nicht ausreichend
211 \begin{picture}(0,0)(-245,-50)
212 \includegraphics[width=5cm]{6h-sic_3c-sic.eps}
214 \begin{picture}(0,0)(-240,-35)
215 \begin{minipage}{5cm}
217 NASA: 6H-SiC LED und 3C-SiC LED\\[-6pt]
218 nebeneinander auf 6H-SiC-Substrat
233 3C-SiC (\foreignlanguage{greek}{b}-SiC) /
234 6H-SiC (\foreignlanguage{greek}{a}-SiC)
236 \item h"ohere Ladungstr"agerbeweglichkeit in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
237 \item h"ohere Durchbruchfeldst"arke in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
238 \item Micropipes (makroskopischer Bereich an Fehlstellen bis hin zur
239 Oberfl"ache) entlang c-Richtung
240 bei \foreignlanguage{greek}{a}-SiC
241 \item gro"sfl"achige epitaktische \foreignlanguage{greek}{a}-SiC-Herstellung
242 sehr viel weiter fortgeschritten verglichen mit der von 3C-SiC
249 Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorgangs\\
251 Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung
257 Grundlage zur Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in
258 $\text{Si}_{\text{1-y}}\text{C}_{\text{y}}$ Legierungen
261 \item Ma"sschneidern der elektronischen Eigenschaften von Si
262 \item gestreckte Heterostrukturen
273 Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
278 \item Implantation 1:
279 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
280 $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
281 $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
282 epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
283 in kastenf"ormigen Bereich,\\
284 eingeschlossen in a-Si:C
285 \item Implantation 2:
286 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
287 $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
288 $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
289 Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
290 in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten
292 $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\
293 Homogene st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
294 scharfen Grenzfl"achen
297 \begin{minipage}{6.3cm}
298 \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps}
301 \begin{minipage}{6.5cm}
304 Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
306 (a) Hellfeldaufnahme\\
307 (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
313 Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur
322 SiC-Ausscheidungsvorgang
327 {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:}
329 \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\
330 ${\color{si-yellow}\bullet}$ und ${\color{gray}\bullet}$
331 $\leftarrow$ Si-Atome
332 \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\
333 ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\
334 ${\color{gray}\bullet} \leftarrow$ C-Atome
337 \begin{minipage}{8cm}
338 {\bf Gitterkonstanten:}
340 4a_{\text{c-Si}}\approx5a_{\text{3C-SiC}}
342 {\bf Siliziumdichten:}
344 \frac{n_{\text{3C-SiC}}}{n_{\text{c-Si}}}=97,66\,\%
347 \begin{minipage}{5cm}
348 \includegraphics[width=5cm]{sic_unit_cell.eps}
356 SiC-Ausscheidungsvorgang
359 Hochaufl"osungs-TEM:\\[-0.5cm]
361 \begin{minipage}{3.3cm}
362 \includegraphics[width=3.3cm]{tem_c-si-db.eps}
364 \begin{minipage}{9cm}
365 Bereich oberhalb des Implantationsmaximums\\
366 Wolkenstruktur "uberlagert auf ungest"orten Si-Muster\\
367 $\rightarrow$ C-Si Dumbbells
369 \begin{minipage}{3.3cm}
370 \includegraphics[width=3.3cm]{tem_3c-sic.eps}
372 \begin{minipage}{9cm}
373 Bereich um das Implantationsmaximum\\
374 Moir\'e-Kontrast-Muster\\
375 $\rightarrow$ inkoh"arente 3C-SiC-Ausscheidungen in c-Si-Matrix
383 SiC-Ausscheidungsvorgang
390 Vermuteter 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang in c-Si:
394 \begin{minipage}{3.8cm}
395 \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_01.eps}
398 \begin{minipage}{3.8cm}
399 \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_02.eps}
402 \begin{minipage}{3.8cm}
403 \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_03.eps}
408 \begin{minipage}{3.8cm}
409 Bildung von C-Si Dumbbells auf regul"aren c-Si Gitterpl"atzen
412 \begin{minipage}{3.8cm}
413 Anh"aufung hin zu gro"sen Clustern (Embryos)\\
416 \begin{minipage}{3.8cm}
417 Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen
422 Aus experimentellen Untersuchungen:
424 \item kritischer Durchmesser einer Ausscheidung: 4 - 5 nm
425 \item gleiche Orientierung der c-Si and 3C-SiC (hkl)-Ebenen
433 Details der MD-Simulation
441 \item Mikroskopische Beschreibung eines N-Teilchensystems
442 \item Analytisches Wechselwirkungspotential
443 \item Numerische Integration der Newtonschen Bewegungsgleichung\\
444 als Propagationsvorschrift im 6N-dimensionalen Phasenraum
445 \item Observablen sind die Zeit- und/oder Ensemblemittelwerte
447 {\bf Details der Simulation:}
449 \item Integration: Velocity Verlet, Zeitschritt: $1\text{ fs}$
450 \item Ensemble: NpT, isothermal-isobares Ensemble
452 \item Berendsen Thermostat:
453 $\tau_{\text{T}}=100\text{ fs}$
454 \item Berendsen Barostat:\\
455 $\tau_{\text{P}}=100\text{ fs}$,
456 $\beta^{-1}=100\text{ GPa}$
458 \item Potential: Tersoff-"ahnliches 'bond order' Potential
461 E = \frac{1}{2} \sum_{i \neq j} \pot_{ij}, \quad
462 \pot_{ij} = f_C(r_{ij}) \left[ f_R(r_{ij}) + b_{ij} f_A(r_{ij}) \right]
466 \begin{picture}(0,0)(-230,-30)
467 \includegraphics[width=5cm]{tersoff_angle.eps}
475 Zwischengitter-Konfigurationen
480 Simulationssequenz:\\
484 \begin{pspicture}(0,0)(7,8)
485 \rput(3.5,7){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
488 \item initiale Konfiguration:\\
489 $9\times9\times9$ Einheitszellen c-Si
490 \item periodische Randbedingungen
491 \item $T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$
494 \rput(3.5,3.5){\rnode{insert}{\psframebox{
496 Einf"ugen der C/Si Atome:
498 \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetraedrisch}
499 (${\color{red}\triangleleft}$)
500 \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ $\rightarrow$ {\color{green}hexagonal}
501 (${\color{green}\triangleright}$)
502 \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$\\
503 $\rightarrow$ {\color{magenta}110 Dumbbell}
504 (${\color{magenta}\Box}$,$\circ$)
505 \item zuf"allige Position (Minimalabstand)
508 \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
512 \ncline[]{->}{init}{insert}
513 \ncline[]{->}{insert}{cool}
516 \begin{picture}(0,0)(-210,-45)
517 \includegraphics[width=6cm]{unit_cell_s.eps}
525 Zwischengitter-Konfigurationen
530 \begin{minipage}[t]{4.3cm}
531 \underline{Tetraedrisch}\\
533 \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_tetra_0.eps}
535 \begin{minipage}[t]{4.3cm}
536 \underline{110 Dumbbell}\\
538 \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_dumbbell_0.eps}
540 \begin{minipage}[t]{4.3cm}
541 \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
542 \href{../video/si_self_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
543 $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (nicht stabil!)\\
544 \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_hexa_0.eps}
547 \underline{zuf"allige Positionen}
549 \begin{minipage}{4.3cm}
551 \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_397_0.eps}
553 \begin{minipage}{4.3cm}
555 \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_375_0.eps}
557 \begin{minipage}{4.3cm}
559 \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_356_0.eps}
567 Zwischengitter-Konfigurationen
572 \begin{minipage}[t]{4.3cm}
573 \underline{Tetraedrisch}\\
575 \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_tetra_0.eps}
577 \begin{minipage}[t]{4.3cm}
578 \underline{110 Dumbbell}\\
580 \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_dumbbell_0.eps}
582 \begin{minipage}[t]{4.3cm}
583 \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
584 \href{../video/c_in_si_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
585 $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (nicht stabil!)\\
586 \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_hexa_0.eps}
589 \underline{zuf"allige Positionen}
593 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
595 \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_001db_0.eps}
596 \begin{picture}(0,0)(-15,-3)
600 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
602 \includegraphics[width=3.2cm]{c_in_si_int_rand_162_0.eps}
604 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
606 \includegraphics[width=3.1cm]{c_in_si_int_rand_239_0.eps}
608 \begin{minipage}[t]{3.0cm}
610 \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_rand_341_0.eps}
618 Zwischengitter-Konfigurationen
627 \begin{minipage}{5.5cm}
630 \item sehr h"aufig beobachtet
631 \item energetisch g"unstigste\\ Konfiguration
632 \item experimentelle und theoretische Hinweise
633 f"ur die Existenz dieser Konfiguration
635 \includegraphics[width=5.6cm]{c_in_si_100.ps}
637 \begin{minipage}{7cm}
638 \includegraphics[width=8cm]{100-c-si-db_s.eps}
646 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
653 Simulationssequenz:\\
657 \begin{pspicture}(0,0)(12,8)
659 \rput(3.5,7.0){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
662 \item initiale Konfiguration:\\
663 $31\times31\times31$ c-Si Einheitszellen
664 \item periodsche Randbedingungen
665 \item $T=450\, ^{\circ}\text{C}$, $p=0\text{ bar}$
666 \item "Aquilibrierung von $E_{\text{kin}}$ and $E_{\text{pot}}$
669 \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{
671 Einf"ugen von 6000 C-Atomen\\
672 bei konstanter Temperatur
674 \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
675 \item Volumen einer minimalen SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
676 \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}}
679 \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
681 Nach 100 ps abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
683 \ncline[]{->}{init}{insert}
684 \ncline[]{->}{insert}{cool}
685 \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8)
686 \rput(7.8,7.6){\footnotesize $V_1$}
687 \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3)
688 \rput(9.2,6.15){\tiny $V_2$}
689 \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05)
690 \rput(9.55,5.85){\footnotesize $V_3$}
691 \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}}
692 \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}}
693 \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}}
694 \ncline[]{->}{in1}{ins1}
695 \ncline[]{->}{in2}{ins2}
696 \ncline[]{->}{in3}{ins3}
704 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
707 \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
708 \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}
713 \underline{C-C, 0.15 nm}:\\
714 NN-Abstand in Graphit/Diamant\\
715 $\Rightarrow$ starke C-C Bindungen bei hohen Konz.\\
716 \underline{Si-C, 0.19 nm}:\\
717 NN-Abstand in 3C-SiC\\
718 \underline{C-C, 0.31 nm}:\\
719 C-C Abstand in 3C-SiC\\
720 verkettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
721 \underline{Si-Si, $\sim$ 0.31 nm}:\\
722 g(r) erh"oht, Si-Si in 3C-SiC\\
723 Intervall entspricht C-C Peakbreite\\
724 Abfall bei regul"aren Abst"anden
726 \begin{picture}(0,0)(-175,-40)
727 \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_02.eps}
729 \begin{picture}(0,0)(-278,-10)
730 \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_01.eps}
738 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
741 \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
742 \includegraphics[width=6.3cm]{c_in_si_100.ps}
746 \underline{Niedrige C-Konzentration ($V_1$)}:
747 100 Dumbbell-Konfiguration\\
748 dehnt Si-Si NN-Abstand auf 0.3 nm\\
749 Beitrag zum Si-C Peak bei 0.19 nm\\
750 erkl"art weitere Si-C Peaks (gestrichelte Linien)\\
751 $\Rightarrow$ C-Atome als erstes im erwarteten 3C-SiC-Abstand\\
752 \underline{Hohe C-Konzentration ($V_2$ und $V_3$)}:\\
753 Gro"se Anzahl an Defekten/Sch"adigung erzeugt\\
754 Fast nur kurzreichweitige Ordnung erkennbar\\
755 $\Rightarrow$ Bildung einer amorphen SiC-"ahnlichen Phase\\
756 $\Rightarrow$ T$\uparrow$ oder t$\uparrow$ f"ur Bildung von 3C-SiC
758 \begin{picture}(0,0)(-230,-15)
759 \includegraphics[width=5cm]{a-sic_pc.eps}
761 \begin{picture}(0,0)(-240,-5)
762 \begin{minipage}{5cm}
764 PRB 66, 024106 (2002)\\[-4pt]
765 F. Gao und W. J. Weber
775 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
780 Zusammenfassung und Problemstellung:
782 \item keine 3C-SiC-Ausscheidungen
783 \item C-Konzentration niedrig:
785 \item 100 Dumbbell gepr"agte Struktur\\
786 (entspricht Vermutungen aus IBS Untersuchungen)
787 \item keine Anh"aufung zu Embryos
789 \item C-Konzentration hoch:
791 \item Ausbildung von C-C Bindungen
792 (IBS: C-"Uberdosis behindert C-Umverteilung)
794 (C-induzierte Amorphisierung ab einem T-abh"angigen
801 Bedingungen finden unter denen 3C-SiC-Ausscheidung stattfindet}\\[0.3cm]
803 \begin{minipage}{7.5cm}
805 \item H"ohere Temperaturen
807 \item Temperaturen im Implantationsbereich h"oher
808 \item H"ohere T statt l"angerer Simulationszeit\\
809 Arrhenius-Gesetz $\rightarrow$ "Ubergangszeiten
811 \item Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
813 \item minimaler Abstand
814 \item Zeitpunkt, Geschwindigkeit (Dosisrate)
818 \begin{minipage}{5.1cm}
820 \item Modifikation der\\
821 Kraft/Potentialberechnung
823 \item C-C cut-off erh"ohen
824 \item Beitrag aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ zur Kraft
836 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
839 H"ohere Temperaturen - $V_1$-Simulationen\\
840 \includegraphics[width=6.3cm]{tot_ba.ps}
841 \includegraphics[width=6.3cm]{tot_pc.ps}
843 \begin{minipage}{6.5cm}
845 \text{\scriptsize Quality}
846 = \frac{\textrm{\scriptsize Anzahl C mit 4 Bindungen zu Si}}
847 {\textrm{\scriptsize Gesamtanzahl C}}
850 \underline{Si-C PCF}:\\
851 cut-off Artefakt nimmt ab mit T $\uparrow$\\
852 $2050 \, ^{\circ}\text{C}$ Si-C Peaks
853 $\rightarrow \text{C}_{\text{S}}$-Si Bindungen\\[0.2cm]
854 {\color{red} Problem: L"oslichkeit durch hohe T erh"oht}
857 \begin{picture}(0,0)(-175,-2)
858 \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_01.eps}
860 \begin{picture}(0,0)(-278,16)
861 \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_02.eps}
869 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
872 H"ohere Temperaturen - $V_2$-Simulationen\\
873 \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc.ps}
874 \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba.ps}
875 \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc_c-c.ps}
876 \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba_noa.ps}
883 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
886 H"ohere Temperaturen - Neuer Temperaturfahrplan\\[0.3cm]
888 \item Einf"ugen der C-Atome bei $1650 \, ^{\circ} \text{C}$
889 \item Aufw"armen auf $2650 \, ^{\circ} \text{C}$
890 \item Temperatur f"ur 100 ps halten
891 \item Abk"uhlen auf $20 \, ^{\circ} \text{C}$
894 \includegraphics[width=6.3cm]{12_anneal_amod.ps}
895 \includegraphics[width=6.3cm]{12_amod_anneal.ps}
902 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
905 Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
909 \begin{minipage}{6.3cm}
911 Kritischer Abstand 0.15 nm $\rightarrow$ 0.05 nm\\
913 \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr.ps}
914 \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr_ba.ps}
916 \begin{minipage}{6.3cm}
918 Dosisrate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
920 \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps}
921 \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps}
929 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
932 Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
934 \underline{Erh"ohter C-C cut-off}
936 \includegraphics[width=6.5cm]{12_pc_c-c_amod.ps}
939 \underline{Beitrag zur Kraft aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ weglassen}
941 \item System nicht mehr konservativ
942 \item Energie steigt trotz 'starker' T-Kontrolle
944 $\Rightarrow$ nicht geeignet f"ur Simulationen mit endlicher/hoher Temperatur
951 SiC-Ausscheidungen in Si
955 \item $10\times10\times10$ Einheitszellen 3C-SiC
956 \item Zwei $8\times8\times8$ Einheitszellen Si unter- und oberhalb
957 \item "Aquilibrierung f"ur 2 ps
958 \item Einschalten der $T$- und $p$-Kontrolle
959 ($T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$)
964 Relaxation: \href{../video/sd_sic_in_si_01.avi}{$\rhd$}\\
965 Spannungen: \href{../video/sd_sic_in_si_01_strain.avi}{$\rhd$}
969 \begin{minipage}{5cm}
970 Initial Konfiguration\\
971 \includegraphics[width=6cm]{sd_sic_in_si_strain_01.eps}
973 \begin{minipage}{1cm}
976 \begin{minipage}{6cm}
977 Relaxierte Konfiguration\\
978 \includegraphics[width=6.4cm]{sd_sic_in_si_strain_02.eps}
987 Zusammenfassung und Ausblick
993 \item SiC als HL-Bauelemente f"ur Anwendungen unter extremen Bedingungen
994 \item Schwierigkeiten in der Herstellung d"unner SiC-Schichten
995 \item Notwendigkeit den 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang zu verstehen
1001 \item Zwischengitterkonfigurationen
1002 \item Suche nach SiC-Ausscheidungsbedingungen
1003 \item Untersuchungen an selbst konstruierten 3C-SiC in c-Si
1009 \item Neue Versuche, neue Kombinationen
1010 \item W"armebad koppelt nur an Randatome der Simulationszelle
1012 \item Alternative Potentiale (SW, mod. Tersoff)
1013 \item Weitere Untersuchungen an selbst konstruierten Ausscheidungen