2 \documentclass[landscape,semhelv]{seminar}
5 \usepackage[greek,german]{babel}
6 \usepackage[latin1]{inputenc}
7 \usepackage[T1]{fontenc}
12 \usepackage{calc} % Simple computations with LaTeX variables
13 \usepackage{caption} % Improved captions
14 \usepackage{fancybox} % To have several backgrounds
16 \usepackage{fancyhdr} % Headers and footers definitions
17 \usepackage{fancyvrb} % Fancy verbatim environments
18 \usepackage{pstricks} % PSTricks with the standard color package
27 \graphicspath{{../img/}}
29 \usepackage[setpagesize=false]{hyperref}
32 \usepackage{semlayer} % Seminar overlays
33 \usepackage{slidesec} % Seminar sections and list of slides
35 \input{seminar.bug} % Official bugs corrections
36 \input{seminar.bg2} % Unofficial bugs corrections
43 %\usepackage{cmbright}
44 %\renewcommand{\familydefault}{\sfdefault}
45 %\usepackage{mathptmx}
51 \extraslideheight{10in}
56 % specify width and height
60 % shift it into visual area properly
61 \def\slideleftmargin{3.3cm}
62 \def\slidetopmargin{0.6cm}
64 \newcommand{\ham}{\mathcal{H}}
65 \newcommand{\pot}{\mathcal{V}}
66 \newcommand{\foo}{\mathcal{U}}
67 \newcommand{\vir}{\mathcal{W}}
70 \renewcommand\labelitemii{{\color{gray}$\bullet$}}
73 \newrgbcolor{si-yellow}{.6 .6 0}
74 \newrgbcolor{hb}{0.75 0.77 0.89}
75 \newrgbcolor{lbb}{0.75 0.8 0.88}
76 \newrgbcolor{lachs}{1.0 .93 .81}
86 Molekulardynamische Untersuchung\\
87 zum SiC-Ausscheidungsvorgang
92 \textsc{F. Zirkelbach}
115 \item SiC-Ausscheidungsvorgang
118 \item Details der MD-Simulation
119 \item Zwischengitter-Konfigurationen
120 \item Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
121 \item SiC-Ausscheidungen in Si
123 \item Zusammenfassung und Ausblick
138 Eigenschaften von SiC:
141 \item gro"se Bandl"ucke (3C: 2.39 eV, 4H: 3.28 eV, 6H: 3.03 eV)
142 \item hohe mechanische Stabilit"at
143 \item gute Ladungstr"agermobilit"at
144 \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit
145 \item hohe Durchbruchfeldst"arke
146 \item chemisch inerte Substanz
147 \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at
148 \item geringer Neutroneneinfangquerschnitt
149 \item strahlungsresistent
155 \item Hochfrequenz-, Hochtemperatur- und Hochleistungsbauelemente
156 \item Optoelektronik (blaue LEDs), Sensoren
157 \item Kandidat f"ur Tr"ager und W"ande in Fusionsreaktoren
158 \item Luft- und Raumfahrtindustrie, Milit"ar
159 \item kohlenfaserverst"arkte SiC-Verbundkeramik
164 \begin{picture}(0,0)(-280,-150)
165 %\includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps}
168 \begin{picture}(0,0)(-280,-20)
169 %\includegraphics[width=4cm]{cc_sic_brake_dlr.eps}
182 SiC - \emph{Born from the stars, perfected on earth.}
186 Herstellung d"unner SiC-Filme:
188 \item modifizierter Lely-Prozess
190 \item Impfkristall mit $T=2200 \, ^{\circ} \text{C}$
191 \item umgeben von polykristallinen SiC mit
192 $T=2400 \, ^{\circ} \text{C}$
194 \item CVD Homoepitaxie
196 \item 'step controlled epitaxy' auf 6H-SiC-Substrat
197 \item C$_3$H$_8$/SiH$_4$/H$_2$ bei $1500 \, ^{\circ} \text{C}$
198 \item Winkel $\rightarrow$ 3C/6H/4H-SiC
199 \item hohe Qualit"at aber limitiert durch\\
202 \item CVD/MBE Heteroepitaxie von 3C-SiC auf Si
204 \item 2 Schritte: Karbonisierung und Wachstum
205 \item $T=650-1050 \, ^{\circ} \text{C}$
206 \item Qualit"at/Gr"o"se noch nicht ausreichend
210 \begin{picture}(0,0)(-245,-50)
211 \includegraphics[width=5cm]{6h-sic_3c-sic.eps}
213 \begin{picture}(0,0)(-240,-35)
214 \begin{minipage}{5cm}
216 NASA: 6H-SiC LED und 3C-SiC LED\\[-6pt]
217 nebeneinander auf 6H-SiC-Substrat
232 3C-SiC (\foreignlanguage{greek}{b}-SiC) /
233 6H-SiC (\foreignlanguage{greek}{a}-SiC)
235 \item h"ohere Ladungstr"agerbeweglichkeit in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
236 \item h"ohere Durchbruchfeldst"arke in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC
237 \item Micropipes (makroskopischer Bereich an Fehlstellen bis hin zur
238 Oberfl"ache) entlang c-Richtung
239 bei \foreignlanguage{greek}{a}-SiC
240 \item gro"sfl"achige epitaktische \foreignlanguage{greek}{a}-SiC-Herstellung
241 sehr viel weiter fortgeschritten verglichen mit der von 3C-SiC
248 Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorgangs\\
250 Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung
256 Grundlage zur Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in
257 $\text{Si}_{\text{1-y}}\text{C}_{\text{y}}$ Legierungen
260 \item Ma"sschneidern der elektronischen Eigenschaften von Si
261 \item gestreckte Heterostrukturen
272 Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
277 \item Implantation 1:
278 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
279 $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
280 $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
281 epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
282 in kastenf"ormigen Bereich,\\
283 eingeschlossen in a-Si:C
284 \item Implantation 2:
285 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
286 $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
287 $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
288 Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
289 in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten
291 $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\
292 Homogene st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
293 scharfen Grenzfl"achen
296 \begin{minipage}{6.3cm}
297 \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps}
300 \begin{minipage}{6.5cm}
303 Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
305 (a) Hellfeldaufnahme\\
306 (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
312 Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur
321 SiC-Ausscheidungsvorgang
326 {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:}
328 \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\
329 ${\color{si-yellow}\bullet}$ und ${\color{gray}\bullet}$
330 $\leftarrow$ Si-Atome
331 \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\
332 ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\
333 ${\color{gray}\bullet} \leftarrow$ C-Atome
336 \begin{minipage}{8cm}
337 {\bf Gitterkonstanten:}
339 4a_{\text{c-Si}}\approx5a_{\text{3C-SiC}}
341 {\bf Siliziumdichten:}
343 \frac{n_{\text{3C-SiC}}}{n_{\text{c-Si}}}=97,66\,\%
346 \begin{minipage}{5cm}
347 \includegraphics[width=5cm]{sic_unit_cell.eps}
355 SiC-Ausscheidungsvorgang
358 Hochaufl"osungs-TEM:\\[-0.5cm]
360 \begin{minipage}{3.3cm}
361 \includegraphics[width=3.3cm]{tem_c-si-db.eps}
363 \begin{minipage}{9cm}
364 Bereich oberhalb des Implantationsmaximums\\
365 Wolkenstruktur "uberlagert auf ungest"orten Si-Muster\\
366 $\rightarrow$ C-Si Dumbbells
368 \begin{minipage}{3.3cm}
369 \includegraphics[width=3.3cm]{tem_3c-sic.eps}
371 \begin{minipage}{9cm}
372 Bereich ums Implantationsmaximum\\
373 Moir\'e-Kontrast-Muster\\
374 $\rightarrow$ inkoh"arente 3C-SiC-Ausscheidungen in c-Si-Matrix
382 SiC-Ausscheidungsvorgang
389 Vermuteter 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang in c-Si:
393 \begin{minipage}{3.8cm}
394 \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_01.eps}
397 \begin{minipage}{3.8cm}
398 \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_02.eps}
401 \begin{minipage}{3.8cm}
402 \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_03.eps}
407 \begin{minipage}{3.8cm}
408 Bildung von C-Si Dumbbells auf regul"aren c-Si Gitterpl"atzen
411 \begin{minipage}{3.8cm}
412 Anh"aufung hin zu gro"sen Clustern (Embryos)\\
415 \begin{minipage}{3.8cm}
416 Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen
421 Aus experimentellen Untersuchungen:
423 \item kritischer Durchmesser einer Ausscheidung: 4 - 5 nm
424 \item gleiche Orientierung der c-Si and 3C-SiC (hkl)-Ebenen
432 Details der MD-Simulation
440 \item Mikroskopische Beschreibung eines N-Teilchensystems
441 \item Analytisches Wechselwirkungspotential
442 \item Numerische Integration der Newtonschen Bewegungsgleichung\\
443 als Propagationsvorschrift im 6N-dimensionalen Phasenraum
444 \item Observablen sind die Zeit- und/oder Ensemblemittelwerte
446 {\bf Details der Simulation:}
448 \item Integration: Velocity Verlet, Zeitschritt: $1\text{ fs}$
449 \item Ensemble: NpT, isothermal-isobares Ensemble
451 \item Berendsen Thermostat:
452 $\tau_{\text{T}}=100\text{ fs}$
453 \item Berendsen Barostat:\\
454 $\tau_{\text{P}}=100\text{ fs}$,
455 $\beta^{-1}=100\text{ GPa}$
457 \item Potential: Tersoff-"ahnliches 'bond order' Potential
460 E = \frac{1}{2} \sum_{i \neq j} \pot_{ij}, \quad
461 \pot_{ij} = f_C(r_{ij}) \left[ f_R(r_{ij}) + b_{ij} f_A(r_{ij}) \right]
465 \begin{picture}(0,0)(-230,-30)
466 \includegraphics[width=5cm]{tersoff_angle.eps}
474 Zwischengitter-Konfigurationen
479 Simulationssequenz:\\
483 \begin{pspicture}(0,0)(7,8)
484 \rput(3.5,7){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
487 \item initiale Konfiguration:\\
488 $9\times9\times9$ Einheitszellen c-Si
489 \item periodische Randbedingungen
490 \item $T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$
493 \rput(3.5,3.5){\rnode{insert}{\psframebox{
495 Einf"ugen der C/Si Atome:
497 \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetraedrisch}
498 (${\color{red}\triangleleft}$)
499 \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ $\rightarrow$ {\color{green}hexagonal}
500 (${\color{green}\triangleright}$)
501 \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$\\
502 $\rightarrow$ {\color{magenta}110 Dumbbell}
503 (${\color{magenta}\Box}$,$\circ$)
504 \item zuf"allige Position (Minimalabstand)
507 \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
511 \ncline[]{->}{init}{insert}
512 \ncline[]{->}{insert}{cool}
515 \begin{picture}(0,0)(-210,-45)
516 \includegraphics[width=6cm]{unit_cell_s.eps}
524 Zwischengitter-Konfigurationen
529 \begin{minipage}[t]{4.3cm}
530 \underline{Tetraedrisch}\\
532 \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_tetra_0.eps}
534 \begin{minipage}[t]{4.3cm}
535 \underline{110 Dumbbell}\\
537 \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_dumbbell_0.eps}
539 \begin{minipage}[t]{4.3cm}
540 \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
541 \href{../video/si_self_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
542 $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (nicht stabil!)\\
543 \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_hexa_0.eps}
546 \underline{zuf"allige Positionen}
548 \begin{minipage}{4.3cm}
550 \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_397_0.eps}
552 \begin{minipage}{4.3cm}
554 \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_375_0.eps}
556 \begin{minipage}{4.3cm}
558 \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_356_0.eps}
566 Zwischengitter-Konfigurationen
571 \begin{minipage}[t]{4.3cm}
572 \underline{Tetraedrisch}\\
574 \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_tetra_0.eps}
576 \begin{minipage}[t]{4.3cm}
577 \underline{110 Dumbbell}\\
579 \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_dumbbell_0.eps}
581 \begin{minipage}[t]{4.3cm}
582 \underline{Hexagonal} \hspace{4pt}
583 \href{../video/c_in_si_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\
584 $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (nicht stabil!)\\
585 \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_hexa_0.eps}
588 \underline{zuf"allige Positionen}
592 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
594 \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_001db_0.eps}
595 \begin{picture}(0,0)(-15,-3)
599 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
601 \includegraphics[width=3.2cm]{c_in_si_int_rand_162_0.eps}
603 \begin{minipage}[t]{3.3cm}
605 \includegraphics[width=3.1cm]{c_in_si_int_rand_239_0.eps}
607 \begin{minipage}[t]{3.0cm}
609 \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_rand_341_0.eps}
617 Zwischengitter-Konfigurationen
626 \begin{minipage}{5.5cm}
629 \item sehr h"aufig beobachtet
630 \item energetisch g"unstigste\\ Konfiguration
631 \item experimentelle und theoretische Hinweise
632 f"ur die Existenz dieser Konfiguration
634 \includegraphics[width=5.6cm]{c_in_si_100.ps}
636 \begin{minipage}{7cm}
637 \includegraphics[width=8cm]{100-c-si-db_s.eps}
645 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
652 Simulationssequenz:\\
656 \begin{pspicture}(0,0)(12,8)
658 \rput(3.5,7.0){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{
661 \item initiale Konfiguration:\\
662 $31\times31\times31$ c-Si Einheitszellen
663 \item periodsche Randbedingungen
664 \item $T=450\, ^{\circ}\text{C}$, $p=0\text{ bar}$
665 \item "Aquilibrierung von $E_{\text{kin}}$ and $E_{\text{pot}}$
668 \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{
670 Einf"ugen von 6000 C-Atomen\\
671 bei konstanter Temperatur
673 \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}}
674 \item Volumen einer minimalen SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}}
675 \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}}
678 \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{
680 Nach 100 ps abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$
682 \ncline[]{->}{init}{insert}
683 \ncline[]{->}{insert}{cool}
684 \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8)
685 \rput(7.8,7.6){\footnotesize $V_1$}
686 \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3)
687 \rput(9.2,6.15){\tiny $V_2$}
688 \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05)
689 \rput(9.55,5.85){\footnotesize $V_3$}
690 \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}}
691 \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}}
692 \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}}
693 \ncline[]{->}{in1}{ins1}
694 \ncline[]{->}{in2}{ins2}
695 \ncline[]{->}{in3}{ins3}
703 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
706 \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
707 \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}
712 \underline{C-C, 0.15 nm}:\\
713 NN-Abstand in Graphit/Diamant\\
714 $\Rightarrow$ starke C-C Bindungen bei hohen Konz.\\
715 \underline{Si-C, 0.19 nm}:\\
716 NN-Abstand in 3C-SiC\\
717 \underline{C-C, 0.31 nm}:\\
718 C-C Abstand in 3C-SiC\\
719 vekettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
720 \underline{Si-Si, $\sim$ 0.31 nm}:\\
721 g(r) erh"oht, Si-Si in 3C-SiC\\
722 Intervall entspricht C-C Peakbreite\\
723 Abfall bei regul"aren Abst"anden
725 \begin{picture}(0,0)(-175,-40)
726 \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_02.eps}
728 \begin{picture}(0,0)(-278,-10)
729 \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_01.eps}
737 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
740 \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
741 \includegraphics[width=6.3cm]{c_in_si_100.ps}
745 \underline{Niedrige C-Konzentration ($V_1$)}:
746 100 Dumbbell-Konfiguration\\
747 dehnt Si-Si NN-Abstand auf 0.3 nm\\
748 Beitrag zum Si-C Peak bei 0.19 nm\\
749 erkl"art weitere Si-C Peaks (gestrichelte Linien)\\
750 $\Rightarrow$ C-Atome als erstes im erwarteten 3C-SiC-Abstand\\
751 \underline{Hohe C-Konzentration ($V_2$ und $V_3$)}:\\
752 Gro"se Anzahl an Defekten/Sch"adigung erzeugt\\
753 Fast nur kurzreichweitige Ordnung erkennbar\\
754 $\Rightarrow$ Bildung einer amorphen SiC-"ahnlichen Phase\\
755 $\Rightarrow$ T$\uparrow$ oder t$\uparrow$ f"ur Bildung von 3C-SiC
757 \begin{picture}(0,0)(-230,-15)
758 \includegraphics[width=5cm]{a-sic_pc.eps}
760 \begin{picture}(0,0)(-240,-5)
761 \begin{minipage}{5cm}
763 PRB 66, 024106 (2002)\\[-4pt]
764 F. Gao und W. J. Weber
774 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
779 Zusammenfassung und Problemstellung:
781 \item keine 3C-SiC-Ausscheidungen
782 \item C-Konzentration niedrig:
784 \item 100 Dumbbell gepr"agte Struktur\\
785 (entspricht Vermutungen aus IBS Untersuchungen)
786 \item keine Anh"aufung zu Embryos
788 \item C-Konzentration hoch:
790 \item Ausbildung von C-C Bindungen
791 (IBS: C-"Uberdosis behindert C-Umverteilung)
793 (C-induzierte Amorphisierung ab einem T-abh"angigen
800 Bedingungen finden unter denen 3C-SiC-Ausscheidung stattfindet}\\[0.3cm]
802 \begin{minipage}{7.5cm}
804 \item H"ohere Temperaturen
806 \item Temperaturen im Implantationsbereich h"oher
807 \item H"ohere T statt l"angerer Simulationszeit\\
808 Arrhenius-Gesetz $\rightarrow$ "Ubergangszeiten
810 \item Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
812 \item minimaler Abstand
813 \item Zeitpunkt, Geschwindigkeit (Dosisrate)
817 \begin{minipage}{5.1cm}
819 \item Modifikation der\\
820 Kraft/Potentialberechnung
822 \item C-C cut-off erh"ohen
823 \item Beitrag aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ zur Kraft
835 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
838 H"ohere Temperaturen - $V_1$-Simulationen\\
839 \includegraphics[width=6.3cm]{tot_ba.ps}
840 \includegraphics[width=6.3cm]{tot_pc.ps}
842 \begin{minipage}{6.5cm}
844 \text{\scriptsize Quality}
845 = \frac{\textrm{\scriptsize Anzahl C mit 4 Bindungen zu Si}}
846 {\textrm{\scriptsize Gesamtanzahl C}}
849 \underline{Si-C PCF}:\\
850 cut-off Artefakt nimmt ab mit T $\uparrow$\\
851 $2050 \, ^{\circ}\text{C}$ Si-C Peaks
852 $\rightarrow \text{C}_{\text{S}}$-Si Bindungen\\[0.2cm]
853 {\color{red} Problem: L"oslichkeit durch hohe T erh"oht}
856 \begin{picture}(0,0)(-175,-2)
857 \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_01.eps}
859 \begin{picture}(0,0)(-278,16)
860 \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_02.eps}
868 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
871 H"ohere Temperaturen - $V_2$-Simulationen\\
872 \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc.ps}
873 \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba.ps}
874 \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc_c-c.ps}
875 \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba_noa.ps}
882 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
885 H"ohere Temperaturen - Neuer Temperaturfahrplan\\[0.3cm]
887 \item Einf"ugen der C-Atome bei $1650 \, ^{\circ} \text{C}$
888 \item Aufw"armen auf $2650 \, ^{\circ} \text{C}$
889 \item Temperatur f"ur 100 ps halten
890 \item Abk"uhlen auf $20 \, ^{\circ} \text{C}$
893 \includegraphics[width=6.3cm]{12_anneal_amod.ps}
894 \includegraphics[width=6.3cm]{12_amod_anneal.ps}
901 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
904 Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs
908 \begin{minipage}{6.3cm}
910 Kritischer Abstand 0.15 nm $\rightarrow$ 0.05 nm\\
912 \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr.ps}
913 \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr_ba.ps}
915 \begin{minipage}{6.3cm}
917 Dosirate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
919 \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps}
920 \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps}
928 Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
931 Modifikation der Kraft/Potentialberechnung
933 \underline{Erh"ohter C-C cut-off}
935 \includegraphics[width=6.5cm]{12_pc_c-c_amod.ps}
938 \underline{Beitrag zur Kraft aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ weglassen}
940 \item System nicht mehr konservativ
941 \item Energie steigt trotz 'starker' T-Kontrolle
943 $\Rightarrow$ nicht geeignet f"ur Simulationen mit endlicher/hoher Temperatur
950 SiC-Ausscheidungen in Si
959 Zusammenfassung und Ausblick
965 \item SiC als HL-Bauelemente f"ur Anwendungen unter extremen Bedingungen
966 \item Schwierigkeiten in der Herstellung d"unner SiC-Schichten
967 \item Notwendigkeit den 3C-SiC-Asuscheidungsvorgang zu verstehen
973 \item Zwischengitterkonfigurationen
974 \item Suche nach SiC-Ausscheidungsbedingungen
975 \item Untersuchungen zu selbst konstruierten 3C-SiC in c-Si
981 \item Neue Versuche, neue Kombinationen
982 \item W"armebad koppelt nur an Randatome der Simulationszelle
983 \item Alternative Potentiale (SW, mod. Tersoff)