\documentclass{seminar}

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\author{F. Zirkelbach, M. Haeberlen, J. K. N. Lindner \\ und B. Stritzker}
\title{Monte-Carlo-Simulation der Selbstorganisation amorpher nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in Silizium waehrend $C^+$-Ionen-Implantation}

\begin{document}

\extraslideheight{5in}

\begin{slide}
\maketitle
\end{slide}

\begin{slide}
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\end{slide}

\begin{slide}
\part{Modell}
\begin{itemize}
 \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium $rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
 \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
 \item $20-30%$ geringere Dichte von amorphen $SiC$ $\rightarrow$ 
\end{itemize}

\end{document}
