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\articlemag{1}

\begin{document}

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\def\slidebottommargin{.2in} % fucking slide number gone now :)

% topic

\begin{slide}
\begin{figure}[t]
 \begin{center}
  \includegraphics[height=1cm]{ifp.eps}
  \\
  \includegraphics[height=2cm]{Lehrstuhl-Logo.eps}
 \end{center}
\end{figure}
\begin{center}
 \large\bf
 Kinetik des Selbstorganisationsvorgangs bei der Bildung von $SiC_x$-Ausscheidungs-Arrays in $C^+$-Ionen-implantiertem Silizium
\end{center}
\begin{center}
 F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J. K. N. Lindner und B. Stritzker
\end{center}
\end{slide}

% start of content
\ptsize{8}

\begin{slide}
{\large\bf
 Cross-Section TEM-Aufnahme selbstorganisierter amorpher Lamellen
}
\begin{figure}
 \begin{center}
  \includegraphics[width=10cm]{k393abild1_.eps}
  Hellfeld-TEM-Abbildung, $180 keV \textrm{ } C^+ \rightarrow Si(100)$, $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$, $4.3 \times 10^{17} cm^{-2}$
 \end{center}
\end{figure}
\end{slide}

\begin{slide}
{\large\bf
 Modell
}
\begin{figure}
 \begin{center}
  \includegraphics[width=8cm]{model1_s_german.eps}
 \end{center}
\end{figure}
\begin{itemize}
 \small
 \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
 \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
 \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
 \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
 \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
 \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
\end{itemize}
\end{slide}

\begin{slide}
{\large\bf
 Simulation
}
%\begin{picture}(50,50)(-50,0)
 \begin{figure}
  \includegraphics[width=7cm]{gitter_oZ.eps}
 \end{figure}
%\end{picture}
\begin{picture}(200,0)(-180,0)
 \begin{figure}
  \includegraphics[width=6cm]{2pTRIM180C.eps}
  %\includegraphics[width=6cm]{implsim_new.eps}
 \end{figure}
\end{picture}
\begin{tabular}{l|c|c}
 & Version 1 & Version 2 \\
 \hline{}
 Anzahl Zellen $(x,y,z)$ & $64 \times 64 \times 100$ & $64 \times 64 \times 233$ \\
 \hline{}
 nukleares Bremskraftprofil & linear gen"ahert & exakt (TRIM) \\
 \hline{}
 Implantationsprofil & linear gen"ahert & exakt (TRIM) \\
 \hline{}
 Treffer pro implantierten Teilchen & $1$ & exakt (TRIM) \\
 \hline{}
 Anzahl der implantierten Teilchen & freier Parameter & $\equiv$ Dosis \\
\end{tabular}
\end{slide}

\begin{slide}
{\large\bf
 Amorphisierungs und Rekristallisationswahrscheinlichkeit \\
}
\vspace{12pt}
\[
  \displaystyle p_{c \rightarrow a}(\vec r) = \textcolor[rgb]{0,1,1}{p_{b}} \qquad + \qquad \textcolor{red}{p_{c} \, c_{Kohlenstoff}(\vec r)} \qquad + \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{\sum_{amorphe \, Nachbarn} \frac{p_{s} \, c_{Kohlenstoff}(\vec{r'})}{(\vec r - \vec{r'})^2}} \\
\]
\begin{picture}(70,15)(-28,0)
 \textcolor[rgb]{0,1,1}{ballistisch}
\end{picture}
\begin{picture}(100,15)(-15,0)
 \textcolor{red}{kohlenstoffinduziert}
\end{picture}
\begin{picture}(120,15)(-40,0)
 \textcolor[rgb]{0.5,0.25,0.12}{spannungsinduziert}
\end{picture}
\begin{picture}(300,40)
$
  p_{a \rightarrow c}(\vec r) = (1 - p_{c \rightarrow a}(\vec r)) \displaystyle \Big( 1 - \frac{\sum_{direkte \, Nachbarn} \delta (\vec{r'})}{6} \Big) \, \textrm{, mit}
$
\end{picture}
\vspace{6pt}
\begin{displaymath}
 \delta (\vec r) = \left\{ \begin{array}{ll}
  1 & \textrm{wenn Gebiet bei $\vec r$ amorph} \\
  0 & \textrm{sonst} \\
 \end{array} \right.
\end{displaymath}
\end{slide}

\begin{slide}
{\large\bf
 Simulationsalgorithmus
}
 \includegraphics[width=11cm]{flowchart2.eps}
\end{slide}

%\begin{slide}
%{\large\bf
% Simulationsalgorithmus
%}
%\begin{enumerate}
% \item Amorphisierung/Rekristallisation
%  \begin{itemize}
%   \item gewichtete Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess entsprechend nuklearer Bremskraft
%   \item Berechnung der lokalen Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit $p_{c \rightarrow a}$ und $p_{a \rightarrow c}$
%   \item Ausw"urfeln der entscheidenden Zufallszahl
%  \end{itemize}
% \item Einbau des implantierten Kohlenstoffions ins Silizium-Target
%  \begin{itemize}
%   \item gewichtete Wahl der Koordinaten f"ur Kohlenstofferh"ohung entsprechend Implantationsprofil
%   \item lokale Erh"ohung des Kohelnstoffgehalts
%  \end{itemize}
% \item Diffusionsprozess und Sputtern
%  \begin{itemize}
%   \item Kohelnstoffdiffusion von kristallinen in amorphe Gebiete alle $d_v$ Schritte:
%    \[
%     \Delta c =  c_C(Nachbar) \times dr_{ac}
%    \]
%   \item Nachr"ucken einer kristallinen kohlenstofffreien Ebene von oben
%  \end{itemize}
%\end{enumerate}
%\end{slide}

\begin{slide}
{\large\bf
 Ergebnisse - Version 1 \\
}
\begin{picture}(100,15)(0,0)
 \textcolor[rgb]{1,0,0}{Lamellare Strukturen}
\end{picture}
\begin{center}
 \includegraphics[height=7cm]{if_cmp3.eps}
\end{center}
\end{slide}

\begin{slide}
{\large\bf
 Ergebnisse - Version 1 \\
}
\begin{picture}(100,25)(0,-10)
 Einfluss der Diffusion
\end{picture}
\vspace{6pt}
\begin{tabular}{lr}
  \includegraphics[height=5cm]{diff_einfluss.eps} &
  \includegraphics[height=5cm]{sim2-a004-Z_and_noZ-TEMVIEW-ls2.eps} \\
\end{tabular}
\end{slide}

\begin{slide}
{\large\bf
 Ergebnisse - Version 1 \\
}
\begin{picture}(300,15)(0,0)
 Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen
\end{picture}
\begin{picture}(300,15)(0,-5)
 in aufeinander folgenden Ebenen.
\end{picture}
\begin{tabular}{lr}
 \includegraphics[height=7cm]{really_all_z-z_plus1.eps} &
 \includegraphics[width=8cm]{ac_cconc_d.eps} \\
\end{tabular}
\end{slide}

\begin{slide}
{\large\bf
 Ergebnisse - Version 2 \\
}
\begin{picture}(100,15)(0,0)
 Dosisentwicklung
\end{picture}
\begin{figure}
 \begin{center}
  \includegraphics[width=12cm]{dosis_entwicklung2.eps}
 \end{center}
\end{figure}
\end{slide}

\begin{slide}
{\large\bf
 Zusammenfassung
}
\begin{itemize}
 \item selbstorganisierte Anordnung nanometrischer Ausscheidungen bei Ionenimplantation \\
  $C \rightarrow Si \qquad T_{i}: 150 - 350 \, ^{\circ} \mathrm{C} \qquad D \le 8 \times 10^{17} cm^{-2}$
 \item Amorphisierung $\rightarrow$ Dichteunterschied $\rightarrow$ Spannungen $\rightarrow$ Selbstorganisation
 \item Modell: Wahrscheinlichkeiten f"ur Amorphisierung/Rekristallisation abh"angig von:
  \begin{itemize}
   \item nuklearer Bremskraft
   \item Implantationsprofil
   \item Spannungen
  \end{itemize}
 \item lamellare Anordnung nachvollziehbar durch Simulation
 \item Entwicklung der Morphologie der a/c-Grenzfl"ache reproduzierbar
\end{itemize}
\vspace{32pt}
\end{slide}

\end{document}
