Die L"oslichkeit von Kohlenstoff in kristallinen Silizium ($c-Si$) bei Raumtemperatur ist nahezu Null \cite{bean}.
Die amorphen Gebiete reichern sich mit Kohlenstoff an und erh"ohen wiederum die lateralen Spannungen auf die Umgebung.
Mit zunehmender Dosis bilden sich so durchgehende kohlenstoffreiche amorphe Lamellen.
Der Kohlenstoff diffundiert von den kristallinen in angrenzende amorphe Gebiete.
Kristalline Gebiete, die auf diese Weise Kohlenstoff an ihre amorphe Nachbarschaft abgegeben haben, werden bei fortgesetzter Bestrahlung mit geringerer Wahrscheinlichkeit amorphisiert.
So entstehen abwechselnd amorphe und kristalline Lamellen.
Die L"oslichkeit von Kohlenstoff in kristallinen Silizium ($c-Si$) bei Raumtemperatur ist nahezu Null \cite{bean}.
Die amorphen Gebiete reichern sich mit Kohlenstoff an und erh"ohen wiederum die lateralen Spannungen auf die Umgebung.
Mit zunehmender Dosis bilden sich so durchgehende kohlenstoffreiche amorphe Lamellen.
Der Kohlenstoff diffundiert von den kristallinen in angrenzende amorphe Gebiete.
Kristalline Gebiete, die auf diese Weise Kohlenstoff an ihre amorphe Nachbarschaft abgegeben haben, werden bei fortgesetzter Bestrahlung mit geringerer Wahrscheinlichkeit amorphisiert.
So entstehen abwechselnd amorphe und kristalline Lamellen.