Tats"achlich ist bekannt, dass reines kristallines Silizium unter diesen Gegebenheiten ionenstrahl-induziert epitaktisch rekristallisiert.
Die Amorphisierung wird dem Kohlenstoff zugeschrieben.
Um bei diesen Temperaturen amorphe Ausscheidungen zu erhalten, m"uss eine hohe Dosis implantiert werden.
Tats"achlich ist bekannt, dass reines kristallines Silizium unter diesen Gegebenheiten ionenstrahl-induziert epitaktisch rekristallisiert.
Die Amorphisierung wird dem Kohlenstoff zugeschrieben.
Um bei diesen Temperaturen amorphe Ausscheidungen zu erhalten, m"uss eine hohe Dosis implantiert werden.