- \begin{minipage}[t]{6.3cm}
- \tiny
- \begin{itemize}
- \item C-C peak at 0.15 nm similar to next neighbour distance of graphite
- or diamond\\
- $\Rightarrow$ Formation of strong C-C bonds
- (almost only for high C concentrations)
- \item Si-C peak at 0.19 nm similar to next neighbour distance in 3C-SiC
- \item C-C peak at 0.31 nm equals C-C distance in 3C-SiC\\
- (due to concatenated, differently oriented
- <100> dumbbell interstitials)
- \item Si-Si shows non-zero g(r) values around 0.31 nm like in 3C-SiC\\
- and a decrease at regular distances\\
- (no clear peak,
- interval of enhanced g(r) corresponds to C-C peak width)
- \end{itemize}
+ \vspace{-0.1cm}
+
+ \footnotesize
+ \underline{C-C, 0.15 nm}:\\
+ NN-Abstand in Graphit/Diamant\\
+ $\Rightarrow$ starke C-C Bindungen bei hohen Konz.\\
+ \underline{Si-C, 0.19 nm}:\\
+ NN-Abstand in 3C-SiC\\
+ \underline{C-C, 0.31 nm}:\\
+ C-C Abstand in 3C-SiC\\
+ vekettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
+ \underline{Si-Si, $\sim$ 0.31 nm}:\\
+ g(r) erh"oht, Si-Si in 3C-SiC\\
+ Intervall entspricht C-C Peakbreite\\
+ Abfall bei regul"aren Abst"anden
+
+ \begin{picture}(0,0)(-175,-40)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_02.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-278,-10)
+ \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_01.eps}
+ \end{picture}
+
+ \end{slide}
+
+ \begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Simulationen zum Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{c_in_si_100.ps}
+
+ \footnotesize
+
+ \underline{Niedrige C-Konzentration ($V_1$)}:
+ 100 Dumbbell-Konfiguration\\
+ dehnt Si-Si NN-Abstand auf 0.3 nm\\
+ Beitrag zum Si-C Peak bei 0.19 nm\\
+ erkl"art weitere Si-C Peaks (gestrichelte Linien)\\
+ $\Rightarrow$ C-Atome als erstes im erwarteten 3C-SiC-Abstand\\
+ \underline{Hohe C-Konzentration ($V_2$ und $V_3$)}:\\
+ Gro"se Anzahl an Defekten/Sch"adigung erzeugt\\
+ Fast nur kurzreichweitige Ordnung erkennbar\\
+ $\Rightarrow$ Bildung einer amorphen SiC-"ahnlichen Phase\\
+ $\Rightarrow$ T$\uparrow$ oder t$\uparrow$ f"ur Bildung von 3C-SiC
+
+ \begin{picture}(0,0)(-230,-15)
+ \includegraphics[width=5cm]{a-sic_pc.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-240,-5)
+ \begin{minipage}{5cm}
+ {\scriptsize
+ PRB 66, 024106 (2002)\\[-4pt]
+ F. Gao und W. J. Weber
+ }