Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
- \small
+ {\small
- \begin{minipage}{6cm}
\begin{itemize}
- \item Implantation 1:\\
- 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100)\\
+ \item Implantation 1:
+ 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
$D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
$T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
- $\rightarrow$
- \item Implantation 2:\\
- 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100)\\
+ epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
+ in kastenf"ormigen Bereich,\\
+ eingeschlossen in a-Si:C
+ \item Implantation 2:
+ 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
$D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
$T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
- $\rightarrow$
+ Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
+ in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten
\item Tempern:
- $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
+ $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\
+ Homogene, st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
+ scharfen Grenzfl"achen
\end{itemize}
+
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps}
\end{minipage}
- \hspace*{0.3cm}
- \begin{minipage}{6cm}
- \includegraphics[width=7cm]{ibs_3c-sic.eps}
+ \hspace*{0.2cm}
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \vspace*{2.3cm}
{\scriptsize
Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
3C-SiC-Schicht.\\
}
\end{minipage}
+ \vspace{0.2cm}
+
+ Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur
+
+}
+
\end{slide}
\begin{slide}