Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
+ {\small
+
\begin{itemize}
\item Implantation 1:
- 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+ 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+ $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
$T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
- $\rightarrow$
+ epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
+ in kastenf"ormigen Bereich,\\
+ eingeschlossen in a-Si:C
\item Implantation 2:
- 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+ 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
+ $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
$T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
- $\rightarrow$
+ Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
+ in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten
\item Tempern:
- $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
+ $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\
+ Homogene, st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
+ scharfen Grenzfl"achen
\end{itemize}
+
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps}
+ \end{minipage}
+ \hspace*{0.2cm}
+ \begin{minipage}{6.5cm}
+ \vspace*{2.3cm}
+ {\scriptsize
+ Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
+ 3C-SiC-Schicht.\\
+ (a) Hellfeldaufnahme\\
+ (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
+ }
+ \end{minipage}
+
+ \vspace{0.2cm}
+
+ Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur
+
+}
\end{slide}