]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/commitdiff
new literature ...
authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Mon, 5 Oct 2009 16:25:35 +0000 (18:25 +0200)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Mon, 5 Oct 2009 16:25:35 +0000 (18:25 +0200)
bibdb/bibdb.bib

index 71182911c50c827f02a10c9df2c908f63865e2bc..c6cbfd42a3e1c0f58c1ecefedfb5d1b0cfb03ed3 100644 (file)
   notes = {derivation of albe bond order formalism},
 }
 
+@ARTICLE{mattoni2007,
+  author = {{Mattoni}, A. and {Ippolito}, M. and {Colombo}, L.},
+  title = "{Atomistic modeling of brittleness in covalent materials}",
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  year = 2007,
+  month = dec,
+  volume = 76,
+  number = 22,
+  pages = {224103-+},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.76.224103},
+  notes = {adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
+           longe(r)-range-interactions, brittle propagation of fracture,
+           more available potentials, universal energy relation (uer),
+           minimum range model (mrm)}
+}
+
 @Article{koster2002,
   title = {Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion bombardment},
   author = {M. Koster, H. M. Urbassek},
   notes = {velocity verlet integration algorithm equation of motion}
 }
 
-@article{berendsen:3684,
+@article{berendsen84,
   author = {H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van Gunsteren
             and A. DiNola and J. R. Haak},
   collaboration = {},
   notes = {berendsen thermostat barostat}
 }
 
+@article{huang95,
+  author={Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M Baskes},
+  title={Molecular dynamics determination of defect energetics in beta -SiC
+         using three representative empirical potentials},
+  journal={Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering},
+  volume={3},
+  number={5},
+  pages={615-627},
+  url={http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615},
+  notes = {comparison of tersoff, pearson and eam for defect energetics in sic;
+           (m)eam parameters for sic},
+  year={1995}
+}
+
+@Article{tersoff89,
+  title = {Relationship between the embedded-atom method and
+           Tersoff potentials},
+  author = {Brenner, Donald W.},
+  journal = {Phys. Rev. Lett.},
+  volume = {63},
+  number = {9},
+  pages = {1022},
+  numpages = {1},
+  year = {1989},
+  month = {Aug},
+  doi = {10.1103/PhysRevLett.63.1022},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {relation of tersoff and eam potential}
+}
+
 % molecular dynamics: applications
 
 @Article{batra87,
           pair correlation of amorphous sic, md result analyze}
 }
 
+@Article{devanathan98,
+  title = "Computer simulation of a 10 keV Si displacement cascade in SiC",
+  journal = "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B:
+             Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  volume = "141",
+  number = "1-4",
+  pages = "118 - 122",
+  year = "1998",
+  note = "",
+  issn = "0168-583X",
+  doi = "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
+  author = "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la Rubia",
+  notes = {modified tersoff short range potential, ab initio 3c-sic}
+}
+
+@Article{devanathan98_2,
+  title = "Displacement threshold energies in [beta]-SiC",
+  journal = "Journal of Nuclear Materials",
+  volume = "253",
+  number = "1-3",
+  pages = "47 - 52",
+  year = "1998",
+  issn = "0022-3115",
+  doi = "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
+  author = "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J. Weber",
+  notes = "modified tersoff, ab initio, combined ab initio tersoff"
+}
+
 @Article{batra87,
   title = {SiC/Si heteroepitaxial growth},
   author = {M. Kitabatake},
 
 @Article{tang97,
   title = {Intrinsic point defects in crystalline silicon:
-           Tight-binding molecular dynamics studiesof self-diffusion,
+           Tight-binding molecular dynamics studies of self-diffusion,
            interstitial-vacancy recombination, and formation volumes},
   author = {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia},
   journal = {Phys. Rev. B},
   notes = {defects in 3c-sic}
 }
 
+@Article{mattoni2002,
+  title = {Self-interstitial trapping by carbon complexes in crystalline silicon},
+  author = {Mattoni, A.  and Bernardini, F.  and Colombo, L. },
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  volume = {66},
+  number = {19},
+  pages = {195214},
+  numpages = {6},
+  year = {2002},
+  month = {Nov},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.66.195214},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {c in c-si, diffusion, interstitial configuration + links}
+}
+
 % ab initio
 
 @Article{leung99,
   notes = {nice images of the defects}
 }
 
-@Article{PhysRevB.50.7439,
+@Article{capazd94,
   title = {Identification of the migration path of interstitial carbon
            in silicon},
   author = {R. B. Capazd, A Dal Pino, J. D. Joannopoulos},
   notes = {carbon interstitial migration path shown, 001 c-si dumbbell}
 }
 
+@Article{car84,
+  title = {Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in Silicon},
+  author = {Car, Roberto  and Kelly, Paul J. and Oshiyama, Atsushi
+            and Pantelides, Sokrates T.},
+  journal = {Phys. Rev. Lett.},
+  volume = {52},
+  number = {20},
+  pages = {1814--1817},
+  numpages = {3},
+  year = {1984},
+  month = {May},
+  doi = {10.1103/PhysRevLett.52.1814},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {microscopic theory diffusion silicon dft migration path formation}
+}
+
+% monte carlo md
+
+@Article{kelires97,
+  title = {Short-range order, bulk moduli,
+           and physical trends in c-$Si1-x$$Cx$ alloys },
+  author = {Kelires, P. C. },
+  journal = {Phys. Rev. B},
+  volume = {55},
+  number = {14},
+  pages = {8784--8787},
+  numpages = {3},
+  year = {1997},
+  month = {Apr},
+  doi = {10.1103/PhysRevB.55.8784},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next neighbour dist}
+}
+
+@Article{kelires95,
+  title = {Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
+           Application to the $Si1-x-yGexCy$ System},
+  author = {Kelires, P. C.},
+  journal = {Phys. Rev. Lett.},
+  volume = {75},
+  number = {6},
+  pages = {1114--1117},
+  numpages = {3},
+  year = {1995},
+  month = {Aug},
+  doi = {10.1103/PhysRevLett.75.1114},
+  publisher = {American Physical Society},
+  notes = {mc md, strain compensation in si ge by c insertion}
+}
+
 % experimental stuff - interstitials
 
 @Article{watkins76,