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authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Sun, 26 Sep 2010 13:22:30 +0000 (15:22 +0200)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Sun, 26 Sep 2010 13:22:30 +0000 (15:22 +0200)
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index 860fe77659247fd3516ef7ac6b74f525717da0a1..7d481b531c9851f13c44e1ba11c0de602fa797c5 100644 (file)
@@ -353,14 +353,16 @@ It turned out that the EA potential still favors a C$_{\text{i}}$ \hkl<1 0 0> DB
 
 MD simulations at temperatures used in IBS resulted in structures that were dominated by the C$_{\text{i}}$ \hkl<1 0 0> DB and its combinations if C is inserted into the total volume.
 Incoorporation into volmes $V_2$ and $V_3$ led to an amorphous SiC-like structure within the respective volume.
-To ensure correct diffusion behavior simulations at elevated temperatures have been performed.
-Although ...
+To compensate overestimated diffusion barriers we performed simulations at elevated temperatures.
+TOOD: High C conc simulations ... then low:
+Time scales are still too low to observe C agglomeration sufficient for SiC precipitation, which is attributed to the slow phase space propagation inherent to MD in general.
+However, we observed a phase tranisiton of the C$_{\text{i}}$-dominated into a clearly C$_{\text{s}}$-dominated structure.
+The amount of substitutionally occupied C atoms increases with increasing temperature.
+Entropic contributions are assumed to be responsible for these structures that deviate from the ground state at 0 K.
+Indeed, in a previous ab initio MD simulation\cite{zirkelbach10b} performed at \unit[900]{$^{\text{C}}$} we observed the departing of a Si$_{\text{i}}$ \hkl<1 1 0> DB located next to a C$_{\text{s}}$ atom instead of a recombination into the ground state configuration, i.e. a C$_{\text{i}}$ \hkl<1 0 0> DB.
 
-entropic contribution.
-as in \cite{zirkelbach10b}, next neighbored Cs and Sii did not recombine, but departed from each other.
-
-Sii stress compensation ...
 Thus, we prpopose (support) the follwing model ...
+Sii stress compensation and vehicle
 
 Concluded that C sub is very probable ...
 Alignment lost, successive substitution more probable to end up with topotactic 3C-SiC.