+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ Motivation
+ }
+
+ \vspace{4pt}
+
+ SiC - \emph{Born from the stars, perfected on earth.}
+
+ \vspace{4pt}
+
+ Herstellung d"unner SiC-Filme:
+ \begin{itemize}
+ \item modifizierter Lely-Prozess
+ \begin{itemize}
+ \item Impfkristall mit $T=2200 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \item umgeben von polykristallinen SiC mit
+ $T=2400 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \end{itemize}
+ \item CVD Homoepitaxie
+ \begin{itemize}
+ \item 'step controlled epitaxy' auf 6H-SiC-Substrat
+ \item C$_3$H$_8$/SiH$_4$/H$_2$ bei $1500 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \item Winkel $\rightarrow$ 3C/6H/4H-SiC
+ \item hohe Qualit"at aber limitiert durch\\
+ Substratgr"o"se
+ \end{itemize}
+ \item CVD/MBE Heteroepitaxie von 3C-SiC auf Si
+ \begin{itemize}
+ \item 2 Schritte: Karbonisierung und Wachstum
+ \item $T=650-1050 \, ^{\circ} \text{C}$
+ \item Qualit"at/Gr"o"se noch nicht ausreichend
+ \end{itemize}
+ \end{itemize}
+
+ \begin{picture}(0,0)(-245,-50)
+ \includegraphics[width=5cm]{6h-sic_3c-sic.eps}
+ \end{picture}
+ \begin{picture}(0,0)(-240,-35)
+ \begin{minipage}{5cm}
+ {\scriptsize
+ NASA: 6H-SiC LED und 3C-SiC LED\\[-6pt]
+ nebeneinander auf 6H-SiC-Substrat
+ }
+ \end{minipage}
+ \end{picture}
+
+\end{slide}
+