ci often and soon

diff --git a/nlsop/diplom/literatur.tex b/nlsop/diplom/literatur.tex
index 36edf1e25a5e7cdacaa086984929de9438e43a81..2ba0177e690690a5758072a94948c1eb3ac35211 100644 (file)
--- a/nlsop/diplom/literatur.tex
+++ b/nlsop/diplom/literatur.tex
@@ -20,4 +20,5 @@
   \bibitem{taylor} W. J. Taylor, T. Y. Tan, U. G"osele. Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 3336.
   \bibitem{eftem_tbp} M. H"aberlen, J. K. N. Lindner, B. Stritzker. to be published.
   \bibitem{maik_temper} M. H"aberlen, J. K. N. Lindner. B. Stritzker. Nucl. Instr. Meth. B 206 (2003) 916-921.
   \bibitem{taylor} W. J. Taylor, T. Y. Tan, U. G"osele. Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 3336.
   \bibitem{eftem_tbp} M. H"aberlen, J. K. N. Lindner, B. Stritzker. to be published.
   \bibitem{maik_temper} M. H"aberlen, J. K. N. Lindner. B. Stritzker. Nucl. Instr. Meth. B 206 (2003) 916-921.

+  \bibitem{reiber} J. K. N. Lindner, W. Reiber, B. Stritzker. Mater. Sci. Forum 264-268 (1998) 215-218.

 \end{thebibliography}
 \end{thebibliography}

diff --git a/nlsop/diplom/modell.tex b/nlsop/diplom/modell.tex
index a0f5541340fcfc0875f709aae5a630263ec12625..b212bbe30c5879f2e4a3e03daf86611591d53700 100644 (file)
--- a/nlsop/diplom/modell.tex
+++ b/nlsop/diplom/modell.tex
@@ -64,6 +64,7 @@
   Zus"atzlich dienen die amorphen Gebiete als Senke f"ur Kohlenstoff, der von der kristallinen Umgebung in die amorphe Ausscheidung diffundieren kann.
   Die kristallinen Gebiete reduzieren damit die "Ubers"attigung mit Kohlenstoff, dessen L"oslichkeit in $c-Si$ bei Raumtemperatur nahezu Null ist.
   Die amorphen Gebiete reichern sich mit Kohlenstoff an und erh"ohen wiederum die lateralen Spannungen auf die Umgebung.
   Zus"atzlich dienen die amorphen Gebiete als Senke f"ur Kohlenstoff, der von der kristallinen Umgebung in die amorphe Ausscheidung diffundieren kann.
   Die kristallinen Gebiete reduzieren damit die "Ubers"attigung mit Kohlenstoff, dessen L"oslichkeit in $c-Si$ bei Raumtemperatur nahezu Null ist.
   Die amorphen Gebiete reichern sich mit Kohlenstoff an und erh"ohen wiederum die lateralen Spannungen auf die Umgebung.

+  Da in experimentellen Ergebnissen von Implantationen bei weitaus h"oheren Temperaturen \cite{reiber}, bei denen sich keine amorphe Phase bildet, keine Verbreiterung des Kohlenstoffprofils durch Diffusion beobachtet wird, wird Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete ausgeschlossen. 

   
   Mit zunehmender Dosis bilden sich so durchgehende kohlenstoffreiche amorphe Lamellen.
   Wegen der Diffusion von Kohlenstoff von den oberhalb und unterhalb dieser Lamellen liegenden Gebieten, rekristallisiert dort zuf"allig amorphisiertes (im Folgenden ballistische Amorphisierung genannt) $a-Si$ mit sehr gro"ser Wahrscheinlichkeit.
   
   Mit zunehmender Dosis bilden sich so durchgehende kohlenstoffreiche amorphe Lamellen.
   Wegen der Diffusion von Kohlenstoff von den oberhalb und unterhalb dieser Lamellen liegenden Gebieten, rekristallisiert dort zuf"allig amorphisiertes (im Folgenden ballistische Amorphisierung genannt) $a-Si$ mit sehr gro"ser Wahrscheinlichkeit.

diff --git a/nlsop/diplom/simulation.tex b/nlsop/diplom/simulation.tex
index 8486c9d85f01edb73dbc7d8686f761418408194b..9d5edb437f4714e02c90a4821ef6330b6917821a 100644 (file)
--- a/nlsop/diplom/simulation.tex
+++ b/nlsop/diplom/simulation.tex
@@ -95,9 +95,12 @@
     \subsection{Diffusion}
 
     Weiterhin sieht das Modell die M"oglichkeit der Diffusion von Kohelnstoff aus kristallinen in umliegende amorphe Volumina vor.
     \subsection{Diffusion}
 
     Weiterhin sieht das Modell die M"oglichkeit der Diffusion von Kohelnstoff aus kristallinen in umliegende amorphe Volumina vor.

-    Es wird angenommen, dass Diffusion von Kohlenstoff nur von kristalline in amorphe Gebiete besteht.
-    Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete wird ausgeschlossen.
-
+    Die Diffusion wird durch zwei weitere Parameter beschrieben.
+    In Zeitintervallen $T_{Diff}$ wird ein Anteil $d_r$ des Kohlenstoffs eines kristallinen Volumens in das benachbarte amorphe Volumen transferiert.
+    Da von einem konstanten Strahlstrom ausgegangen wird, kann die Zeit $T_{Diff}$ auf eine Anzahl von implantierten Ionen $d_v$ abgebildet werden.
+    Die Diffusion des Kohlenstoffs von amorphe in kristalline Gebiete wird also durch die zwei Parameter $d_r$ und $d_v$ gesteuert.
+    Die Parameter sind ebenfalls frei w"ahlbar.
+    Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete sowie Diffusion innerhalb amorpher Gebiete wird ausgeschlossen.

 
     \subsection{Sputtern}
 
 
     \subsection{Sputtern}