+Bei der Ionenimplantation werden Atome oder Molek"ule ionisiert, in einem elektrostatischen Feld beschleunigt und in einen Festk"orper geschossen.
+Dabei sind beliebige Ion-Target-Kombinationen m"oglich.
+Die Beschleunigungsenergie kann zwischen einigen Kiloelektronenvolt und einigen Millionen Elektronenvolt liegen.
+Neben der Energie bestimmt die Masse der Ionen und die Masse der Atome des Festk"orpers die Eindringtiefe der Ionen.
+
+Die Ionenimplantation erm"oglicht so die Modifikation oberfl"achennaher Schichten des Festk"orpers.
+In der Halbleiterindustrie ist sie schon lang ein bew"ahrtes Mittel zur Dotierung von Halbleiterkristallen.
+Die Ionenimplantation ist prinzipiell unabh"angig von chemischen L"oslichkeitsgrenzen und der Implantationstemperatur.
+Ihre technologischen Vorz"uge sind:
+\begin{itemize}
+ \item Schnelligkeit
+ \item Homogenit"at
+ \item Reproduzierbarkeit
+ \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge \\
+ (durch einfache Stromintegration)
+\end{itemize}