Anwendungen:
\begin{itemize}
- \item Hochfrequenz-, Hochtemperatur und Hochleistungsbauelemente
+ \item Hochfrequenz-, Hochtemperatur- und Hochleistungsbauelemente
\item Optoelektronik (blaue LEDs), Sensoren
\item Kandidat f"ur Tr"ager und W"ande in Fusionsreaktoren
\item Luft- und Raumfahrtindustrie, Milit"ar
}
- \begin{picture}(0,0)(-278,-150)
+ \begin{picture}(0,0)(-280,-150)
%\includegraphics[width=4cm]{sic_inverter_ise.eps}
\end{picture}
- \begin{picture}(0,0)(-278,-20)
+ \begin{picture}(0,0)(-280,-20)
%\includegraphics[width=4cm]{cc_sic_brake_dlr.eps}
\end{picture}
Motivation
}
+ \vspace{8pt}
+
3C-SiC (\foreignlanguage{greek}{b}-SiC) /
6H-SiC (\foreignlanguage{greek}{a}-SiC)
\begin{itemize}
im Anfangsstudium
\end{itemize}
+ \vspace{16pt}
+
\begin{center}
{\color{red}
- Einsicht in den Mechanismus des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\
+ Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\
}
- $\Rightarrow$\\
+ $\Downarrow$\\
signifikanter technologischen Fortschritt in 3C-SiC D"unnschichtherstellung
\end{center}
- \vspace{12pt}
+ \vspace{16pt}
- Vermeidung von SiC-Ausscheidungen
+ Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in
+ $\text{Si}_{\text{1-y}}\text{C}_{\text{y}}$ Legierungen
\begin{itemize}
- \item Ma"sschneidern der Bandl"ucke
+ \item Ma"sschneidern der elektronischen Eigenschaften von Si
\item gestreckte Heterostrukturen
\end{itemize}
\begin{slide}
{\large\bf
- Crystalline silicon and cubic silicon carbide
+ Motivation bzw. SiC-Ausscheidungsvorgang
+ }
+
+ \vspace{64pt}
+
+ Noch was zur Herstellung rein ...
+
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+
+ {\large\bf
+ SiC-Ausscheidungsvorgang
}
\vspace{8pt}
- {\bf Lattice types and unit cells:}
+ {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:}
\begin{itemize}
- \item Crystalline silicon (c-Si) has diamond structure\\
- $\Rightarrow {\color{si-yellow}\bullet}$ and
- ${\color{gray}\bullet}$ are Si atoms
- \item Cubic silicon carbide (3C-SiC) has zincblende structure\\
- $\Rightarrow {\color{si-yellow}\bullet}$ are Si atoms,
- ${\color{gray}\bullet}$ are C atoms
+ \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\
+ ${\color{si-yellow}\bullet}$, ${\color{gray}\bullet}$
+ $\leftarrow$ Si-Atome
+ \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\
+ ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\
+ ${\color{gray}\bullet} \leftarrow$ C-Atome
\end{itemize}
\vspace{8pt}
\begin{minipage}{8cm}
- {\bf Lattice constants:}
+ {\bf Gitterkonstanten:}
\[
4a_{\text{c-Si}}\approx5a_{\text{3C-SiC}}
\]
- {\bf Silicon density:}
+ {\bf Siliziumdichten:}
\[
\frac{n_{\text{3C-SiC}}}{n_{\text{c-Si}}}=97,66\,\%
\]
\end{slide}
-\end{document}
-
\small
\begin{slide}
{\large\bf
- Supposed Si to 3C-SiC conversion
+ SiC-Ausscheidungsvorgang
}
\small
\vspace{6pt}
- Supposed conversion mechanism of heavily carbon doped Si into SiC:
+ Vermuteter SiC-Ausscheidungsvorgang in Si:
\vspace{8pt}
\vspace{8pt}
\begin{minipage}{3.8cm}
- Formation of C-Si dumbbells on regular c-Si lattice sites
+ Bildung von C-Si Dumbbells auf regul"aren c-Si Gitterpl"atzen
\end{minipage}
\hspace{0.6cm}
\begin{minipage}{3.8cm}
- Agglomeration into large clusters (embryos)\\
+ Anh"aufung hin zu gro"sen Clustern (Embryos)\\
\end{minipage}
\hspace{0.6cm}
\begin{minipage}{3.8cm}
- Precipitation of 3C-SiC + Creation of interstitials\\
+ Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen\\
\end{minipage}
\vspace{12pt}
\end{slide}
+\end{document}
+
\begin{slide}
{\large\bf