]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/commitdiff
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authorhackbard <hackbard@tx2.hackdaworld.org>
Wed, 1 Sep 2010 23:31:33 +0000 (01:31 +0200)
committerhackbard <hackbard@tx2.hackdaworld.org>
Wed, 1 Sep 2010 23:31:33 +0000 (01:31 +0200)
posic/publications/defect_combos.tex

index a14f6ce91de821de0e1827b43a7e200424ca1cfc..8f3af45dddbba246a092d7732e1985110e2037a5 100644 (file)
@@ -570,8 +570,13 @@ In summary, C and Si point defects in Si, combinations of these defects and diff
 It is shown that C interstitials in Si tend to agglomerate, which is mainly driven by a reduction of strain.\r
 Investigations of migration pathways, however, allow to conclude that C clustering fails to appear by thermally activated processes due to high activation energies of the the respective diffusion processes.\r
 A highly attractive interaction and a large capture radius has been identified for the C$_{\text{i}}$ \hkl<1 0 0> DB and the vacancy indicating a high probability for the formation of C$_{\text{s}}$\r
-In contrast, a rapidly decreasing interaction with respect to the separation distance has been identified for C$_{\text{s}}$ and a Si$_{\text{i}}$ \hkl<1 1 0> DB resulting in a low probability of defects exhibiting respective separations ...\r
-These findings suggest an increased ... in prec model ....\r
+In contrast, a rapidly decreasing interaction with respect to the separation distance has been identified for C$_{\text{s}}$ and a Si$_{\text{i}}$ \hkl<1 1 0> DB resulting in a low probability of defects exhibiting respective separations to transform into the C$_{\text{i}}$ \hkl<1 0 0> DB, which constitutes the ground state configuration for a C atom introduced into otherwise perfect Si. \r
+Based on these findings conclusions on basic processes involved in the SiC precipitation in bulk Si are drawn.\r
+It is concluded that the precipitation process is governed by the formation of C$_{\text{s}}$ already in the initial stages.\r
+Agglomeration and rearrangement of C$_{\text{s}}$, however, is only possible by mobile C$_{\text{i}}$, which, thus, needs to be present at the same time.\r
+It is concluded that the precipitation proceeds by a successive occupation of Si lattice sites by C$_{\text{s}}$.\r
+However, rearrangement and agglomeration of these C atoms is only possible by forming    acting as a vehicle for ...\r
+\r
 \r
 % ----------------------------------------------------\r
 \section*{Acknowledgment}\r