]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/commitdiff
added abstract of my own publications
authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Tue, 26 Jul 2011 11:22:58 +0000 (13:22 +0200)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Tue, 26 Jul 2011 11:22:58 +0000 (13:22 +0200)
bibdb/bibdb.bib

index 8796de219e95bb05d0a59aba227cd4a6edfb39e0..0f1d404ab79f8982ff65b6fd8304631f0267ffc2 100644 (file)
   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
                  NETHERLANDS",
+  abstract =     "Periodically arranged, selforganised, nanometric,
+                 amorphous precipitates have been observed after
+                 high-fluence ion implantations into solids for a number
+                 of ion/target combinations at certain implantation
+                 conditions. A model describing the ordering process
+                 based on compressive stress exerted by the amorphous
+                 inclusions as a result of the density change upon
+                 amorphisation is introduced. A Monte Carlo simulation
+                 code, which focuses on high-fluence carbon
+                 implantations into silicon, is able to reproduce
+                 experimentally observed nanolamella distributions as
+                 well as the formation of continuous amorphous layers.
+                 By means of simulation, the selforganisation process
+                 becomes traceable and detailed information about the
+                 compositional and structural state during the ordering
+                 process is obtained. Based on simulation results, a
+                 recipe is proposed for producing broad distributions of
+                 ordered lamellar structures.",
 }
 
 @Article{zirkelbach2006,
   doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
                  NETHERLANDS",
+  abstract =     "High-dose ion implantation of materials that undergo
+                 drastic density change upon amorphization at certain
+                 implantation conditions results in periodically
+                 arranged, self-organized, nanometric configurations of
+                 the amorphous phase. A simple model explaining the
+                 phenomenon is introduced and implemented in a
+                 Monte-Carlo simulation code. Through simulation
+                 conditions for observing lamellar precipitates are
+                 specified and additional information about the
+                 compositional and structural state during the ordering
+                 process is gained.",
 }
 
 @Article{zirkelbach2005,
   doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
   publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
                  NETHERLANDS",
+  abstract =     "Ion irradiation of materials, which undergo a drastic
+                 density change upon amorphization have been shown to
+                 exhibit selforganized, nanometric structures of the
+                 amorphous phase in the crystalline host lattice. In
+                 order to better understand the process a
+                 Monte-Carlo-simulation code based on a simple model is
+                 developed. In the present work we focus on high-dose
+                 carbon implantations into silicon. The simulation is
+                 able to reproduce results gained by cross-sectional TEM
+                 measurements of high-dose carbon implanted silicon.
+                 Necessary conditions can be specified for the
+                 self-organization process and information is gained
+                 about the compositional and structural state during the
+                 ordering process which is difficult to be obtained by
+                 experiment.",
 }
 
 @Article{zirkelbach09,
   keywords =     "Nucleation",
   keywords =     "Defect formation",
   keywords =     "Molecular dynamics simulations",
+  abstract =     "The precipitation process of silicon carbide in
+                 heavily carbon doped silicon is not yet fully
+                 understood. High resolution transmission electron
+                 microscopy observations suggest that in a first step
+                 carbon atoms form C-Si dumbbells on regular Si lattice
+                 sites which agglomerate into large clusters. In a
+                 second step, when the cluster size reaches a radius of
+                 a few nm, the high interfacial energy due to the SiC/Si
+                 lattice misfit of almost 20\% is overcome and the
+                 precipitation occurs. By simulation, details of the
+                 precipitation process can be obtained on the atomic
+                 level. A recently proposed parametrization of a
+                 Tersoff-like bond order potential is used to model the
+                 system appropriately. Preliminary results gained by
+                 molecular dynamics simulations using this potential are
+                 presented.",
 }
 
 @Article{zirkelbach10,
   month =        sep,
   doi =          "10.1103/PhysRevB.82.094110",
   publisher =    "American Physical Society",
-}
-
-@Article{zirkelbach11a,
-  title =        "First principles study of defects in carbon implanted
-                 silicon",
-  journal =      "to be published",
-  volume =       "",
-  number =       "",
-  pages =        "",
-  year =         "2011",
-  author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and J. K. N. Lindner
-                 and W. G. Schmidt and E. Rauls",
-}
-
-@Article{zirkelbach11b,
-  title =        "...",
-  journal =      "to be published",
+  abstract =     "A comparative theoretical investigation of carbon
+                 interstitials in silicon is presented. Calculations
+                 using classical potentials are compared to
+                 first-principles density-functional theory calculations
+                 of the geometries, formation, and activation energies
+                 of the carbon dumbbell interstitial, showing the
+                 importance of a quantum-mechanical description of this
+                 system. In contrast to previous studies, the present
+                 first-principles calculations of the interstitial
+                 carbon migration path yield an activation energy that
+                 excellently matches the experiment. The bond-centered
+                 interstitial configuration shows a net magnetization of
+                 two electrons, illustrating the need for spin-polarized
+                 calculations.",
+}
+
+@Article{zirkelbach11,
+  title =        "Combined ab initio and classical potential simulation
+                 study on silicon carbide precipitation",
+  journal =      "accepted for publication in Phys. Rev. B",
   volume =       "",
   number =       "",
   pages =        "",
   year =         "2011",
   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
+  abstract =     "Atomistic simulations on the silicon carbide
+                 precipitation in bulk silicon employing both, classical
+                 potential and first-principles methods are presented.
+                 The calculations aim at a comprehensive, microscopic
+                 understanding of the precipitation mechanism in the
+                 context of controversial discussions in the literature.
+                 For the quantum-mechanical treatment, basic processes
+                 assumed in the precipitation process are calculated in
+                 feasible systems of small size. The migration mechanism
+                 of a carbon \hkl<1 0 0> interstitial and silicon \hkl<1
+                 1 0> self-interstitial in otherwise defect-free silicon
+                 are investigated using density functional theory
+                 calculations. The influence of a nearby vacancy,
+                 another carbon interstitial and a substitutional defect
+                 as well as a silicon self-interstitial has been
+                 investigated systematically. Interactions of various
+                 combinations of defects have been characterized
+                 including a couple of selected migration pathways
+                 within these configurations. Almost all of the
+                 investigated pairs of defects tend to agglomerate
+                 allowing for a reduction in strain. The formation of
+                 structures involving strong carbon-carbon bonds turns
+                 out to be very unlikely. In contrast, substitutional
+                 carbon occurs in all probability. A long range capture
+                 radius has been observed for pairs of interstitial
+                 carbon as well as interstitial carbon and vacancies. A
+                 rather small capture radius is predicted for
+                 substitutional carbon and silicon self-interstitials.
+                 Initial assumptions regarding the precipitation
+                 mechanism of silicon carbide in bulk silicon are
+                 established and conformability to experimental findings
+                 is discussed. Furthermore, results of the accurate
+                 first-principles calculations on defects and carbon
+                 diffusion in silicon are compared to results of
+                 classical potential simulations revealing significant
+                 limitations of the latter method. An approach to work
+                 around this problem is proposed. Finally, results of
+                 the classical potential molecular dynamics simulations
+                 of large systems are examined, which reinforce previous
+                 assumptions and give further insight into basic
+                 processes involved in the silicon carbide transition.",
 }
 
 @Article{lindner95,