]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/commitdiff
new ones + cleaned by bibclean
authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Thu, 15 Oct 2009 15:52:44 +0000 (17:52 +0200)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Thu, 15 Oct 2009 15:52:44 +0000 (17:52 +0200)
bibdb/bibdb.bib

index c6cbfd42a3e1c0f58c1ecefedfb5d1b0cfb03ed3..fc2d17acf98822ec19ad788fdce679b7d7518e05 100644 (file)
 % bibliography database
 %
 
-% molecular dynamics: basics / potential
-
-@article{albe_sic_pot,
-  author = {Paul Erhart and Karsten Albe},
-  title = {Analytical potential for atomistic simulations of silicon, carbon,
-           and silicon carbide},
-  publisher = {APS},
-  year = {2005},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {71},
-  number = {3},
-  eid = {035211},
-  numpages = {14},
-  pages = {035211},
-  notes = {alble reparametrization, analytical bond oder potential (ABOP)},
-  keywords = {silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon compounds;
-              wide band gap semiconductors; elasticity; enthalpy;
-              point defects; crystallographic shear; atomic forces},
-  url = {http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.71.035211}
+@Article{albe_sic_pot,
+  author =       "Paul Erhart and Karsten Albe",
+  title =        "Analytical potential for atomistic simulations of
+                 silicon, carbon, and silicon carbide",
+  publisher =    "APS",
+  year =         "2005",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "71",
+  number =       "3",
+  eid =          "035211",
+  numpages =     "14",
+  pages =        "035211",
+  notes =        "alble reparametrization, analytical bond oder
+                 potential (ABOP)",
+  keywords =     "silicon; elemental semiconductors; carbon; silicon
+                 compounds; wide band gap semiconductors; elasticity;
+                 enthalpy; point defects; crystallographic shear; atomic
+                 forces",
+  URL =          "http://link.aps.org/abstract/PRB/v71/e035211",
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.71.035211",
 }
 
 @Article{albe2002,
-  title = {Modeling the metal-semiconductor interaction:
-           Analytical bond-order potential for platinum-carbon},
-  author = {Albe, Karsten  and Nordlund, Kai  and Averback, Robert S.},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {65},
-  number = {19},
-  pages = {195124},
-  numpages = {11},
-  year = {2002},
-  month = {May},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.65.195124},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {derivation of albe bond order formalism},
-}
-
-@ARTICLE{mattoni2007,
-  author = {{Mattoni}, A. and {Ippolito}, M. and {Colombo}, L.},
-  title = "{Atomistic modeling of brittleness in covalent materials}",
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  year = 2007,
-  month = dec,
-  volume = 76,
-  number = 22,
-  pages = {224103-+},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.76.224103},
-  notes = {adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
-           longe(r)-range-interactions, brittle propagation of fracture,
-           more available potentials, universal energy relation (uer),
-           minimum range model (mrm)}
+  title =        "Modeling the metal-semiconductor interaction:
+                 Analytical bond-order potential for platinum-carbon",
+  author =       "Karsten Albe and Kai Nordlund and Robert S. Averback",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "65",
+  number =       "19",
+  pages =        "195124",
+  numpages =     "11",
+  year =         "2002",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.65.195124",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "derivation of albe bond order formalism",
+}
+
+@Book{laplace,
+  author =       "P. S. de Laplace",
+  title =        "Th\'eorie analytique des probabilit\'es",
+  series =       "Oeuvres Compl\`etes de Laplace",
+  volume =       "VII",
+  publisher =    "Gauthier-Villars",
+  year =         "1820",
+}
+
+@Article{mattoni2007,
+  author =       "A. {Mattoni} and M. {Ippolito} and L. {Colombo}",
+  title =        "{Atomistic modeling of brittleness in covalent
+                 materials}",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  year =         "2007",
+  month =        dec,
+  volume =       "76",
+  number =       "22",
+  pages =        "224103",
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.76.224103",
+  notes =        "adopted tersoff potential for Si, C, Ge ad SiC;
+                 longe(r)-range-interactions, brittle propagation of
+                 fracture, more available potentials, universal energy
+                 relation (uer), minimum range model (mrm)",
 }
 
 @Article{koster2002,
-  title = {Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion bombardment},
-  author = {M. Koster, H. M. Urbassek},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {62},
-  number = {16},
-  pages = {11219--11224},
-  numpages = {5},
-  year = {2000},
-  month = {Oct},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.62.11219},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
+  title =        "Stress relaxation in $a-Si$ induced by ion
+                 bombardment",
+  author =       "H. M. Urbassek M. Koster",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "62",
+  number =       "16",
+  pages =        "11219--11224",
+  numpages =     "5",
+  year =         "2000",
+  month =        oct,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.62.11219",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 }
 
 @Article{breadmore99,
-  title = {Direct simulation of ion-beam-induced stressing
-           and amorphization of silicon},
-  author = {K. M. Beardmore, N. Gr\o{}nbech-Jensen},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {60},
-  number = {18},
-  pages = {12610--12616},
-  numpages = {6},
-  year = {1999},
-  month = {Nov},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.60.12610},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {virial derivation for 3-body tersoff potential}
+  title =        "Direct simulation of ion-beam-induced stressing and
+                 amorphization of silicon",
+  author =       "N. Gr\o{}nbech-Jensen K. M. Beardmore",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "60",
+  number =       "18",
+  pages =        "12610--12616",
+  numpages =     "6",
+  year =         "1999",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.60.12610",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "virial derivation for 3-body tersoff potential",
 }
 
 @Article{verlet67,
-  title = {Computer "Experiments" on Classical Fluids. I. Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules},
-  author = {Verlet, Loup },
-  journal = {Phys. Rev.},
-  volume = {159},
-  number = {1},
-  pages = {98},
-  year = {1967},
-  month = {Jul},
-  doi = {10.1103/PhysRev.159.98},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {velocity verlet integration algorithm equation of motion}
-}
-
-@article{berendsen84,
-  author = {H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van Gunsteren
-            and A. DiNola and J. R. Haak},
-  collaboration = {},
-  title = {Molecular dynamics with coupling to an external bath},
-  publisher = {AIP},
-  year = {1984},
-  journal = {The Journal of Chemical Physics},
-  volume = {81},
-  number = {8},
-  pages = {3684-3690},
-  keywords = {MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
-              COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS},
-  url = {http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1},
-  doi = {10.1063/1.448118},
-  notes = {berendsen thermostat barostat}
-}
-
-@article{huang95,
-  author={Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M Baskes},
-  title={Molecular dynamics determination of defect energetics in beta -SiC
-         using three representative empirical potentials},
-  journal={Modelling and Simulation in Materials Science and Engineering},
-  volume={3},
-  number={5},
-  pages={615-627},
-  url={http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615},
-  notes = {comparison of tersoff, pearson and eam for defect energetics in sic;
-           (m)eam parameters for sic},
-  year={1995}
+  title =        "Computer {"}Experiments{"} on Classical Fluids. {I}.
+                 Thermodynamical Properties of Lennard-Jones Molecules",
+  author =       "Loup Verlet",
+  journal =      "Phys. Rev.",
+  volume =       "159",
+  number =       "1",
+  pages =        "98",
+  year =         "1967",
+  month =        jul,
+  doi =          "10.1103/PhysRev.159.98",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "velocity verlet integration algorithm equation of
+                 motion",
+}
+
+@Article{berendsen84,
+  author =       "H. J. C. Berendsen and J. P. M. Postma and W. F. van
+                 Gunsteren and A. DiNola and J. R. Haak",
+  collaboration = "",
+  title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1984",
+  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  volume =       "81",
+  number =       "8",
+  pages =        "3684--3690",
+  keywords =     "MOLECULAR DYNAMICS CALCULATION; TRANSPORT THEORY;
+                 COMPUTERIZED SIMULATION; LIQUIDS; STRUCTURE FACTORS",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/81/3684/1",
+  doi =          "10.1063/1.448118",
+  notes =        "berendsen thermostat barostat",
+}
+
+@Article{huang95,
+  author =       "Hanchen Huang and N M Ghoniem and J K Wong and M
+                 Baskes",
+  title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
+                 in beta -Si{C} using three representative empirical
+                 potentials",
+  journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
+                 Engineering",
+  volume =       "3",
+  number =       "5",
+  pages =        "615--627",
+  URL =          "http://stacks.iop.org/0965-0393/3/615",
+  notes =        "comparison of tersoff, pearson and eam for defect
+                 energetics in sic; (m)eam parameters for sic",
+  year =         "1995",
 }
 
 @Article{tersoff89,
-  title = {Relationship between the embedded-atom method and
-           Tersoff potentials},
-  author = {Brenner, Donald W.},
-  journal = {Phys. Rev. Lett.},
-  volume = {63},
-  number = {9},
-  pages = {1022},
-  numpages = {1},
-  year = {1989},
-  month = {Aug},
-  doi = {10.1103/PhysRevLett.63.1022},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {relation of tersoff and eam potential}
-}
-
-% molecular dynamics: applications
+  title =        "Relationship between the embedded-atom method and
+                 Tersoff potentials",
+  author =       "Donald W. Brenner",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "63",
+  number =       "9",
+  pages =        "1022",
+  numpages =     "1",
+  year =         "1989",
+  month =        aug,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.63.1022",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "relation of tersoff and eam potential",
+}
 
 @Article{batra87,
-  title = {Molecular-dynamics study of self-interstitials in silicon},
-  author = {Inder P. Batra, Farid F. Abraham, S. Ciraci},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {35},
-  number = {18},
-  pages = {9552--9558},
-  numpages = {6},
-  year = {1987},
-  month = {Jun},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.35.9552},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
-           calculation of defect formation energy, defect interstitial types}
+  title =        "Molecular-dynamics study of self-interstitials in
+                 silicon",
+  author =       "S. Ciraci {Inder P. Batra, Farid F. Abraham}",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "35",
+  number =       "18",
+  pages =        "9552--9558",
+  numpages =     "6",
+  year =         "1987",
+  month =        jun,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.35.9552",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "selft-interstitials in silicon, stillinger-weber,
+                 calculation of defect formation energy, defect
+                 interstitial types",
 }
 
 @Article{schober89,
-  title = {Extended interstitials in silicon and germanium},
-  author = {H. R. Schober},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {39},
-  number = {17},
-  pages = {13013--13015},
-  numpages = {2},
-  year = {1989},
-  month = {Jun},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.39.13013},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {stillinger-weber silicon 110 stable and metastable dumbbell
-           configuration}
+  title =        "Extended interstitials in silicon and germanium",
+  author =       "H. R. Schober",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "39",
+  number =       "17",
+  pages =        "13013--13015",
+  numpages =     "2",
+  year =         "1989",
+  month =        jun,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.39.13013",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "stillinger-weber silicon 110 stable and metastable
+                 dumbbell configuration",
 }
 
 @Article{gao02,
-  title = {Cascade overlap and amorphization in $3C-SiC:$
-           Defect accumulation, topological features, and disordering},
-  author = {Gao, F.  and Weber, W. J.},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {66},
-  number = {2},
-  pages = {024106},
-  numpages = {10},
-  year = {2002},
-  month = {Jul},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.66.024106},
-  publisher = {American Physical Society},
-  note = {sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization, tersoff modified,
-          pair correlation of amorphous sic, md result analyze}
+  title =        "Cascade overlap and amorphization in $3{C}-Si{C}:$
+                 Defect accumulation, topological features, and
+                 disordering",
+  author =       "F. Gao and W. J. Weber",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "66",
+  number =       "2",
+  pages =        "024106",
+  numpages =     "10",
+  year =         "2002",
+  month =        jul,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.66.024106",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  note =         "sic intro, si cascade in 3c-sic, amorphization,
+                 tersoff modified, pair correlation of amorphous sic, md
+                 result analyze",
 }
 
 @Article{devanathan98,
-  title = "Computer simulation of a 10 keV Si displacement cascade in SiC",
-  journal = "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B:
-             Beam Interactions with Materials and Atoms",
-  volume = "141",
-  number = "1-4",
-  pages = "118 - 122",
-  year = "1998",
-  note = "",
-  issn = "0168-583X",
-  doi = "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
-  author = "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la Rubia",
-  notes = {modified tersoff short range potential, ab initio 3c-sic}
+  title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
+                 cascade in Si{C}",
+  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
+                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  volume =       "141",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "118--122",
+  year =         "1998",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0168-583X",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00084-6",
+  author =       "R. Devanathan and W. J. Weber and T. Diaz de la
+                 Rubia",
+  notes =        "modified tersoff short range potential, ab initio
+                 3c-sic",
 }
 
 @Article{devanathan98_2,
-  title = "Displacement threshold energies in [beta]-SiC",
-  journal = "Journal of Nuclear Materials",
-  volume = "253",
-  number = "1-3",
-  pages = "47 - 52",
-  year = "1998",
-  issn = "0022-3115",
-  doi = "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
-  author = "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J. Weber",
-  notes = "modified tersoff, ab initio, combined ab initio tersoff"
+  title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
+  journal =      "Journal of Nuclear Materials",
+  volume =       "253",
+  number =       "1-3",
+  pages =        "47--52",
+  year =         "1998",
+  ISSN =         "0022-3115",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0022-3115(97)00304-8",
+  author =       "R. Devanathan and T. Diaz de la Rubia and W. J.
+                 Weber",
+  notes =        "modified tersoff, ab initio, combined ab initio
+                 tersoff",
 }
 
 @Article{batra87,
-  title = {SiC/Si heteroepitaxial growth},
-  author = {M. Kitabatake},
-  journal = {Thin Solid Films},
-  volume = {369},
-  pages = {257--264},
-  numpages = {8},
-  year = {2000},
-  notes = {md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe}
+  title =        "Si{C}/Si heteroepitaxial growth",
+  author =       "M. Kitabatake",
+  journal =      "Thin Solid Films",
+  volume =       "369",
+  pages =        "257--264",
+  numpages =     "8",
+  year =         "2000",
+  notes =        "md simulation, sic si heteroepitaxy, mbe",
 }
 
-% tight binding
-
 @Article{tang97,
-  title = {Intrinsic point defects in crystalline silicon:
-           Tight-binding molecular dynamics studies of self-diffusion,
-           interstitial-vacancy recombination, and formation volumes},
-  author = {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu, T. Diaz de la Rubia},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {55},
-  number = {21},
-  pages = {14279--14289},
-  numpages = {10},
-  year = {1997},
-  month = {Jun},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.55.14279},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {si self interstitial, diffusion, tbmd}
+  title =        "Intrinsic point defects in crystalline silicon:
+                 Tight-binding molecular dynamics studies of
+                 self-diffusion, interstitial-vacancy recombination, and
+                 formation volumes",
+  author =       "T. Diaz de la Rubia {M. Tang, L. Colombo, J. Zhu}",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "55",
+  number =       "21",
+  pages =        "14279--14289",
+  numpages =     "10",
+  year =         "1997",
+  month =        jun,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.55.14279",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "si self interstitial, diffusion, tbmd",
 }
 
 @Article{tang97,
-  title = {Tight-binding theory of native point defects in silicon},
-  author = {L. Colombo},
-  journal = {Annu. Rev. Mater. Res.},
-  volume = {32},
-  pages = {271--295},
-  numpages = {25},
-  year = {2002},
-  doi = {10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036},
-  publisher = {Annual Reviews},
-  notes = {si self interstitial, tbmd, virial stress}
+  title =        "Tight-binding theory of native point defects in
+                 silicon",
+  author =       "L. Colombo",
+  journal =      "Annu. Rev. Mater. Res.",
+  volume =       "32",
+  pages =        "271--295",
+  numpages =     "25",
+  year =         "2002",
+  doi =          "10.1146/annurev.matsci.32.111601.103036",
+  publisher =    "Annual Reviews",
+  notes =        "si self interstitial, tbmd, virial stress",
 }
 
-% mixed
-
 @Article{gao2001,
-  title = {Ab initio and empirical-potential studies of defect properties
-           in $3C-SiC$ },
-  author = {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber, L. R. Corrales},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {64},
-  number = {24},
-  pages = {245208},
-  numpages = {7},
-  year = {2001},
-  month = {Dec},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.64.245208},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {defects in 3c-sic}
+  title =        "Ab initio and empirical-potential studies of defect
+                 properties in $3{C}-Si{C}$",
+  author =       "L. R. Corrales {F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber}",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "64",
+  number =       "24",
+  pages =        "245208",
+  numpages =     "7",
+  year =         "2001",
+  month =        dec,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.64.245208",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "defects in 3c-sic",
 }
 
 @Article{mattoni2002,
-  title = {Self-interstitial trapping by carbon complexes in crystalline silicon},
-  author = {Mattoni, A.  and Bernardini, F.  and Colombo, L. },
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {66},
-  number = {19},
-  pages = {195214},
-  numpages = {6},
-  year = {2002},
-  month = {Nov},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.66.195214},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {c in c-si, diffusion, interstitial configuration + links}
-}
-
-% ab initio
+  title =        "Self-interstitial trapping by carbon complexes in
+                 crystalline silicon",
+  author =       "A. Mattoni and F. Bernardini and L. Colombo",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "66",
+  number =       "19",
+  pages =        "195214",
+  numpages =     "6",
+  year =         "2002",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.66.195214",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "c in c-si, diffusion, interstitial configuration +
+                 links",
+}
 
 @Article{leung99,
-  title = {Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects},
-  author = {Leung, W.-K.  and Needs, R. J. and Rajagopal, G.  and
-            Itoh, S.  and Ihara, S. },
-  journal = {Phys. Rev. Lett.},
-  volume = {83},
-  number = {12},
-  pages = {2351--2354},
-  numpages = {3},
-  year = {1999},
-  month = {Sep},
-  doi = {10.1103/PhysRevLett.83.2351},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {nice images of the defects}
+  title =        "Calculations of Silicon Self-Interstitial Defects",
+  author =       "W.-K. Leung and R. J. Needs and G. Rajagopal and S.
+                 Itoh and S. Ihara",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "83",
+  number =       "12",
+  pages =        "2351--2354",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1999",
+  month =        sep,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.83.2351",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "nice images of the defects",
 }
 
 @Article{capazd94,
-  title = {Identification of the migration path of interstitial carbon
-           in silicon},
-  author = {R. B. Capazd, A Dal Pino, J. D. Joannopoulos},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {50},
-  number = {11},
-  pages = {7439--7442},
-  numpages = {3},
-  year = {1994},
-  month = {Sep},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.50.7439},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {carbon interstitial migration path shown, 001 c-si dumbbell}
+  title =        "Identification of the migration path of interstitial
+                 carbon in silicon",
+  author =       "J. D. Joannopoulos {R. B. Capazd, A Dal Pino}",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "50",
+  number =       "11",
+  pages =        "7439--7442",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1994",
+  month =        sep,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.50.7439",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "carbon interstitial migration path shown, 001 c-si
+                 dumbbell",
 }
 
 @Article{car84,
-  title = {Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in Silicon},
-  author = {Car, Roberto  and Kelly, Paul J. and Oshiyama, Atsushi
-            and Pantelides, Sokrates T.},
-  journal = {Phys. Rev. Lett.},
-  volume = {52},
-  number = {20},
-  pages = {1814--1817},
-  numpages = {3},
-  year = {1984},
-  month = {May},
-  doi = {10.1103/PhysRevLett.52.1814},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {microscopic theory diffusion silicon dft migration path formation}
-}
-
-% monte carlo md
+  title =        "Microscopic Theory of Atomic Diffusion Mechanisms in
+                 Silicon",
+  author =       "Roberto Car and Paul J. Kelly and Atsushi Oshiyama and
+                 Sokrates T. Pantelides",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "52",
+  number =       "20",
+  pages =        "1814--1817",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1984",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.52.1814",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "microscopic theory diffusion silicon dft migration
+                 path formation",
+}
 
 @Article{kelires97,
-  title = {Short-range order, bulk moduli,
-           and physical trends in c-$Si1-x$$Cx$ alloys },
-  author = {Kelires, P. C. },
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {55},
-  number = {14},
-  pages = {8784--8787},
-  numpages = {3},
-  year = {1997},
-  month = {Apr},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.55.8784},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next neighbour dist}
+  title =        "Short-range order, bulk moduli, and physical trends in
+                 c-$Si1-x$$Cx$ alloys",
+  author =       "P. C. Kelires",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "55",
+  number =       "14",
+  pages =        "8784--8787",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1997",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.55.8784",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "c strained si, montecarlo md, bulk moduli, next
+                 neighbour dist",
 }
 
 @Article{kelires95,
-  title = {Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
-           Application to the $Si1-x-yGexCy$ System},
-  author = {Kelires, P. C.},
-  journal = {Phys. Rev. Lett.},
-  volume = {75},
-  number = {6},
-  pages = {1114--1117},
-  numpages = {3},
-  year = {1995},
-  month = {Aug},
-  doi = {10.1103/PhysRevLett.75.1114},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {mc md, strain compensation in si ge by c insertion}
-}
-
-% experimental stuff - interstitials
+  title =        "Monte Carlo Studies of Ternary Semiconductor Alloys:
+                 Application to the $Si1-x-yGexCy$ System",
+  author =       "P. C. Kelires",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "75",
+  number =       "6",
+  pages =        "1114--1117",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1995",
+  month =        aug,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.75.1114",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "mc md, strain compensation in si ge by c insertion",
+}
 
 @Article{watkins76,
-  title = {EPR Observation of the Isolated Interstitial Carbon Atom in Silicon},
-  author = {G. D. Watkins and K. L. Brower},
-  journal = {Phys. Rev. Lett.},
-  volume = {36},
-  number = {22},
-  pages = {1329--1332},
-  numpages = {3},
-  year = {1976},
-  month = {May},
-  doi = {10.1103/PhysRevLett.36.1329},
-  publisher = {American Physical Society},
-  notes = {epr observations of 100 interstitial carbon atom in silicon}
+  title =        "{EPR} Observation of the Isolated Interstitial Carbon
+                 Atom in Silicon",
+  author =       "G. D. Watkins and K. L. Brower",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "36",
+  number =       "22",
+  pages =        "1329--1332",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1976",
+  month =        may,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.36.1329",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "epr observations of 100 interstitial carbon atom in
+                 silicon",
 }
 
 @Article{song90,
-  title = {EPR identification of the single-acceptor state of interstitial carbon in silicon},
-  author = {L. W. Song, G. D. Watkins},
-  journal = {Phys. Rev. B},
-  volume = {42},
-  number = {9},
-  pages = {5759--5764},
-  numpages = {5},
-  year = {1990},
-  month = {Sep},
-  doi = {10.1103/PhysRevB.42.5759},
-  publisher = {American Physical Society}
+  title =        "{EPR} identification of the single-acceptor state of
+                 interstitial carbon in silicon",
+  author =       "G. D. Watkins L. W. Song",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "42",
+  number =       "9",
+  pages =        "5759--5764",
+  numpages =     "5",
+  year =         "1990",
+  month =        sep,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.42.5759",
+  publisher =    "American Physical Society",
 }
 
-% experimental stuff - strained silicon
-
 @Article{strane96,
-  title = {Carbon incorporation into Si at high concentrations
-           by ion implantation and solid phase epitaxy},
-  author = {J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T. Picraux and
-            J. K. Watanabe and J. W. Mayer},
-  journal = {J. Appl. Phys.},
-  volume = {79},
-  pages = {637},
-  year = {1996},
-  month = {January},
-  doi = {10.1063/1.360806},
-  notes = {strained silicon, carbon supersaturation}
-}
-
-@article{laveant2002,
-  title = {Epitaxy of carbon-rich silicon with MBE},
-  author = {P. Laveant, G. Gerth, P. Werner, U. Gosele},
-  journal = {Materials Science and Engineering B},
-  volume = {89},
-  number = {1-3},
-  pages = {241-245},
-  keywords = {Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon},
-  notes = {low c in si, tensile stress to compensate compressive stress,
-           avoid sic precipitation}}
-}
-
-% sic formation mechanism
-
-@article{werner97,
-  author = {P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R. K\"{o}gler and W. Skorupa},
-  title = {Investigation of C[sub x]Si defects in C implanted silicon by transmission electron microscopy},
-  publisher = {AIP},
-  year = {1997},
-  journal = {Applied Physics Letters},
-  volume = {70},
-  number = {2},
-  pages = {252-254},
-  keywords = {silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
-              transmission electron microscopy; annealing;
-             positron annihilation; secondary ion mass spectroscopy;
-             buried layers; precipitation},
-  url = {http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1},
-  doi = {10.1063/1.118381},
-  notes = {si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic precipitate}
-}
-
-@article{strane94,
-  author = {J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T. Picraux and
-            J. K. Watanabe and J. W. Mayer},
-  collaboration = {},
-  title = {Precipitation and relaxation in strained
-           Si[sub 1 - y]C[sub y]/Si heterostructures},
-  publisher = {AIP},
-  year = {1994},
-  journal = {Journal of Applied Physics},
-  volume = {76},
-  number = {6},
-  pages = {3656-3668},
-  keywords = {SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS},
-  url = {http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1},
-  doi = {10.1063/1.357429},
-  notes = {strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs}
-}
-
-% properties sic
+  title =        "Carbon incorporation into Si at high concentrations by
+                 ion implantation and solid phase epitaxy",
+  author =       "J. W. Strane and S. R. Lee and H. J. Stein and S. T.
+                 Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
+  volume =       "79",
+  pages =        "637",
+  year =         "1996",
+  month =        jan,
+  doi =          "10.1063/1.360806",
+  notes =        "strained silicon, carbon supersaturation",
+}
+
+@Article{laveant2002,
+  title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
+  author =       "U. Gosele {P. Laveant, G. Gerth, P. Werner}",
+  journal =      "Materials Science and Engineering B",
+  volume =       "89",
+  number =       "1-3",
+  pages =        "241--245",
+  keywords =     "Growth; Epitaxy; MBE; Carbon; Silicon",
+  notes =        "low c in si, tensile stress to compensate compressive
+                 stress, avoid sic precipitation",
+}
+
+}
+
+@Article{werner97,
+  author =       "P. Werner and S. Eichler and G. Mariani and R.
+                 K{\"{o}}gler and W. Skorupa",
+  title =        "Investigation of {C}[sub x]Si defects in {C} implanted
+                 silicon by transmission electron microscopy",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1997",
+  journal =      "Applied Physics Letters",
+  volume =       "70",
+  number =       "2",
+  pages =        "252--254",
+  keywords =     "silicon; ion implantation; carbon; crystal defects;
+                 transmission electron microscopy; annealing; positron
+                 annihilation; secondary ion mass spectroscopy; buried
+                 layers; precipitation",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/70/252/1",
+  doi =          "10.1063/1.118381",
+  notes =        "si-c complexes, agglomerate, sic in si matrix, sic
+                 precipitate",
+}
+
+@Article{strane94,
+  author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
+                 Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
+  collaboration = "",
+  title =        "Precipitation and relaxation in strained Si[sub 1 -
+                 y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1994",
+  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  volume =       "76",
+  number =       "6",
+  pages =        "3656--3668",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; SILICON; PRECIPITATION; STRAINS",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/3656/1",
+  doi =          "10.1063/1.357429",
+  notes =        "strained si-c to 3c-sic, carbon nucleation + refs",
+}
 
 @Article{edgar92,
-  title = {Prospects for device implementation of wide band gap semiconductors},
-  author = {J. H. Edgar},
-  journal = {J. Mater. Res.},
-  volume = {7},
-  pages = {235},
-  year = {1992},
-  month = {January},
-  doi = {10.1557/JMR.1992.0235},
-  notes = {properties wide band gap semiconductor, sic polytypes}
-}
-
-% my own publications
-
-@article{zirkelbach2007,
-  title = {Monte Carlo simulation study of a selforganisation process
-           leading to ordered precipitate structures},
-  author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
-  journal = {Nucl. Instr. and Meth. B},
-  volume = {257},
-  number = {1--2},
-  pages = {75--79},
-  numpages = {5},
-  year = {2007},
-  month = {Apr},
-  doi = {doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118},
-  publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
-}
-
-@article{zirkelbach2006,
-  title = {Monte-Carlo simulation study of the self-organization of nanometric
-           amorphous precipitates in regular arrays during ion irradiation},
-  author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
-  journal = {Nucl. Instr. and Meth. B},
-  volume = {242},
-  number = {1--2},
-  pages = {679--682},
-  numpages = {4},
-  year = {2006},
-  month = {Jan},
-  doi = {doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162},
-  publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
-}
-
-@article{zirkelbach2005,
-  title = {Modelling of a selforganization process leading to periodic arrays
-           of nanometric amorphous precipitates by ion irradiation},
-  author = {F. Zirkelbach, M. H"aberlen, J.K.N. Lindner, B. Stritzker},
-  journal = {Comp. Mater. Sci.},
-  volume = {33},
-  number = {1--3},
-  pages = {310--316},
-  numpages = {7},
-  year = {2005},
-  month = {Apr},
-  doi = {doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016},
-  publisher = {ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM, NETHERLANDS}
-}
-
-% the one of my boss
+  title =        "Prospects for device implementation of wide band gap
+                 semiconductors",
+  author =       "J. H. Edgar",
+  journal =      "J. Mater. Res.",
+  volume =       "7",
+  pages =        "235",
+  year =         "1992",
+  month =        jan,
+  doi =          "10.1557/JMR.1992.0235",
+  notes =        "properties wide band gap semiconductor, sic
+                 polytypes",
+}
+
+@Article{zirkelbach2007,
+  title =        "Monte Carlo simulation study of a selforganisation
+                 process leading to ordered precipitate structures",
+  author =       "B. Stritzker {F. Zirkelbach, M. H{"}aberlen, J.K.N.
+                 Lindner}",
+  journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
+  volume =       "257",
+  number =       "1--2",
+  pages =        "75--79",
+  numpages =     "5",
+  year =         "2007",
+  month =        apr,
+  doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2006.12.118",
+  publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
+                 NETHERLANDS",
+}
+
+@Article{zirkelbach2006,
+  title =        "Monte-Carlo simulation study of the self-organization
+                 of nanometric amorphous precipitates in regular arrays
+                 during ion irradiation",
+  author =       "B. Stritzker {F. Zirkelbach, M. H{"}aberlen, J.K.N.
+                 Lindner}",
+  journal =      "Nucl. Instr. and Meth. B",
+  volume =       "242",
+  number =       "1--2",
+  pages =        "679--682",
+  numpages =     "4",
+  year =         "2006",
+  month =        jan,
+  doi =          "doi:10.1016/j.nimb.2005.08.162",
+  publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
+                 NETHERLANDS",
+}
+
+@Article{zirkelbach2005,
+  title =        "Modelling of a selforganization process leading to
+                 periodic arrays of nanometric amorphous precipitates by
+                 ion irradiation",
+  author =       "B. Stritzker {F. Zirkelbach, M. H{"}aberlen, J.K.N.
+                 Lindner}",
+  journal =      "Comp. Mater. Sci.",
+  volume =       "33",
+  number =       "1--3",
+  pages =        "310--316",
+  numpages =     "7",
+  year =         "2005",
+  month =        apr,
+  doi =          "doi:10.1016/j.commatsci.2004.12.016",
+  publisher =    "ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, 1000 AE AMSTERDAM,
+                 NETHERLANDS",
+}
 
 @Article{lindner02,
-  title = {High-dose carbon implantations into silicon:
-           fundamental studies for new technological tricks},
-  author = {J. K. N. Lindner},
-  journal = {Appl. Phys. A},
-  volume = {77},
-  pages = {27--38},
-  year = {2003},
-  doi = {10.1007/s00339-002-2062-8},
-  notes = {ibs, burried sic layers}
+  title =        "High-dose carbon implantations into silicon:
+                 fundamental studies for new technological tricks",
+  author =       "J. K. N. Lindner",
+  journal =      "Appl. Phys. A",
+  volume =       "77",
+  pages =        "27--38",
+  year =         "2003",
+  doi =          "10.1007/s00339-002-2062-8",
+  notes =        "ibs, burried sic layers",
+}
+
+@Article{alder57,
+  author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
+  title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1957",
+  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  volume =       "27",
+  number =       "5",
+  pages =        "1208--1209",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/27/1208/1",
+  doi =          "10.1063/1.1743957",
+}
+
+@Article{alder59,
+  author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
+  title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1959",
+  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  volume =       "31",
+  number =       "2",
+  pages =        "459--466",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JCP/31/459/1",
+  doi =          "10.1063/1.1730376",
+}
+
+@Article{tersoff_si1,
+  title =        "New empirical model for the structural properties of
+                 silicon",
+  author =       "J. Tersoff",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "56",
+  number =       "6",
+  pages =        "632--635",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1986",
+  month =        feb,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.56.632",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{tersoff_si2,
+  title =        "New empirical approach for the structure and energy of
+                 covalent systems",
+  author =       "J. Tersoff",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "37",
+  number =       "12",
+  pages =        "6991--7000",
+  numpages =     "9",
+  year =         "1988",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.37.6991",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{tersoff_si3,
+  title =        "Empirical interatomic potential for silicon with
+                 improved elastic properties",
+  author =       "J. Tersoff",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "38",
+  number =       "14",
+  pages =        "9902--9905",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1988",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.38.9902",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{tersoff_c,
+  title =        "Empirical Interatomic Potential for Carbon, with
+                 Applications to Amorphous Carbon",
+  author =       "J. Tersoff",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "61",
+  number =       "25",
+  pages =        "2879--2882",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1988",
+  month =        dec,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.61.2879",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{tersoff_m,
+  title =        "Modeling solid-state chemistry: Interatomic potentials
+                 for multicomponent systems",
+  author =       "J. Tersoff",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "39",
+  number =       "8",
+  pages =        "5566--5568",
+  numpages =     "2",
+  year =         "1989",
+  month =        mar,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.39.5566",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{fahey89,
+  title =        "Point defects and dopant diffusion in silicon",
+  author =       "P. M. Fahey and P. B. Griffin and J. D. Plummer",
+  journal =      "Rev. Mod. Phys.",
+  volume =       "61",
+  number =       "2",
+  pages =        "289--384",
+  numpages =     "95",
+  year =         "1989",
+  month =        apr,
+  doi =          "10.1103/RevModPhys.61.289",
+  publisher =    "American Physical Society",
+}
+
+@Article{wesch96,
+  title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
+  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
+                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  volume =       "116",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "305--321",
+  year =         "1996",
+  note =         "Radiation Effects in Insulators",
+  ISSN =         "0168-583X",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0168-583X(96)00065-1",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3VXHNFT-C7/2/4216cb1ec9e422c22de5fed7360fb06e",
+  author =       "W. Wesch",
+}
+
+@Article{morkoc94,
+  author =       "H. Morko\c{c} and S. Strite and G. B. Gao and M. E.
+                 Lin and B. Sverdlov and M. Burns",
+  collaboration = "",
+  title =        "Large-band-gap Si{C}, {III}-{V} nitride, and {II}-{VI}
+                 ZnSe-based semiconductor device technologies",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1994",
+  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  volume =       "76",
+  number =       "3",
+  pages =        "1363--1398",
+  keywords =     "SEMICONDUCTOR DEVICES; SILICON CARBIDES; GALLIUM
+                 NITRIDES; ZINC SELENIDES; SUBSTRATES; MOS JUNCTIONS;
+                 LASER MATERIALS; MATERIALS; REVIEWS; ENERGY GAP; THIN
+                 FILMS; INDUSTRY",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/76/1363/1",
+  doi =          "10.1063/1.358463",
 }
-
-