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und nochmal ein tropfen auf den heissen stein ...
authorhackbard <hackbard>
Wed, 23 Mar 2005 16:56:35 +0000 (16:56 +0000)
committerhackbard <hackbard>
Wed, 23 Mar 2005 16:56:35 +0000 (16:56 +0000)
nlsop/diplom/einleitung.tex
nlsop/diplom/grundlagen.tex
nlsop/diplom/titel.tex

index 86c610d7b8297444e4210867b1e66cc12b3b586f..a920d8853be066e896f07f390e573b6cdb38e08d 100644 (file)
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 \chapter{Einleitung}
 
+Die Ionenimplantation ...\\
+
 Die Bestrahlung von Materialien mit energetischen Teilchen hat eine sehr hohe Energie-Dissipation im Material zur Folge, welche die zu Grunde liegende Nano- und Mikrostruktur weit aus dem Gleichgewichtszustand bringen kann.
 Eine der un"ublichsten Antworten des Systems auf die "au"sere Stimulation ist die Selbstorganisation der Nano- und Mikrostruktur zu periodisch angeordneten zwei- oder drei-dimensionalen Gebilden.
 
@@ -8,5 +10,12 @@ Diese Ausscheidungen sind regelm"a"sig angeordnet.
 Es handelt sich um einen Selbstorganisationsprozess.
 Ein Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsvorgangs ist in \cite{chef_habil} vorgestellt.
 
-Die folgende Arbeit beschreibt die Umsetzung des Modells in einen Monte Carlo Simulationscode, mit dessen Hilfe der Selbstorganisationsvorgang genauer untersucht und verstanden werden soll.
+Die folgende Arbeit beschreibt die Umsetzung des Modells in einen Monte-Carlo-Simulationscode, mit dessen Hilfe der Selbstorganisationsvorgang genauer untersucht und verstanden werden soll.
+Monte-Carlo-Rechnungen bieten hierbei den Vorteil, dass sie im Gegensatz zu sogenannten molekulardynamischen Berechnungen sehr viel weniger zeitintensiv sind, da im letztgenannten die Bewegung des Ions in dem Festk"orper durch L"osen der klassischen Bewegungsgleichungen errechnet wird.
+Weiterhin bieten sie den Vorteil, dass die physikalischen Vorg"ange weitgehend ohne einschr"ankende Annahmen behandelt werden k"onnen.
 
+Die Arbeit ist wie folgt aufgebaut. In Kapitel 2 werden die n"otigen Grundlagen der Ionen-Festk"orper Wechselwirkung wiederholt und eine kurze Einf"uhrung in das Konzept der Monte-Carlo-Simulation gegeben.
+Danach wird das Modell konkret formuliert.
+In Kapitel 4 wird die Implementierung des vorher vorgestellten Modells behandelt.
+Nach der Diskussion der Ergebnisse in Kapitel 5 schliesst die Arbeit mit einer Zusammenfassung und einem Ausblick in Kapitel 6.
index c79e3b070a8024b3b49dcb0f90f0cf1a2aff6cfe..63b28af79e64e1c2896ae3cedce00b4825974270 100644 (file)
@@ -1,8 +1,15 @@
 \chapter{Grundlagen}
 
-  \section{Monte Carlo Simulation}
+  \section{Monte-Carlo-Simulation}
 
-  \section{Ionenimplantation}
+  
+
+  \section{Ion-Festk"orper Wechselwirkung}
+
+  Zur theoretischen Beschreibung der Ionenimplantation mu"s die Wechselwirkung der Ionen mit dem Target betrachtet werden.
+  Durch St"o"se mit den Kernen und Elektronen des Targets werden die Ionen im Festk"orper abgebremst, ein entsprechendesImplantationsprofil stellt sich ein.
+  Weitere Folgen sind die durch Bestrahlung im Kristallgitter entstehenden Sch"aden.
+  Im Folgenden wird darauf genauer eingegangen.
 
     \subsection{Abbremsung von Ionen}
 
index e21e6b7ec1fb5ca6a0a5cdc841f0b87e145ab3e6..c5306d833bae001271053218405768073ba25493 100644 (file)
@@ -3,7 +3,7 @@
 \begin{center}
 
   {\LARGE\bf
-  Monte Carlo Simulation des Selbstorganisationsprozesses bei der Bildung nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-Ionen-implantierten Silizium \\
+  Monte-Carlo-Simulation des Selbstorganisationsprozesses bei der Bildung nanometrischer $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-Ionen-implantierten Silizium \\
   }
 
   \vspace{40pt}