]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/commitdiff
some more refs
authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Wed, 20 Oct 2010 16:08:57 +0000 (18:08 +0200)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Wed, 20 Oct 2010 16:08:57 +0000 (18:08 +0200)
bibdb/bibdb.bib
posic/thesis/sic.tex

index 45d4ed8612c9631e83dcc1cc13106d038071d71b..b0e716ca40232b5230d6db8f03444d56bed39dfa 100644 (file)
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
   author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
                  and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
+  notes =        "gan on 3c-sic, focus on ibs of 3c-sic",
+}
+
+@Article{yamamoto04,
+  title =        "Organometallic vapor phase epitaxial growth of Ga{N}
+                 on a 3c-Si{C}/Si(1 1 1) template formed by {C}+-ion
+                 implantation into Si(1 1 1) substrate",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "261",
+  number =       "2-3",
+  pages =        "266--270",
+  year =         "2004",
+  note =         "Proceedings of the 11th Biennial (US) Workshop on
+                 Organometallic Vapor Phase Epitaxy (OMVPE)",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2003.11.041",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-4B5BFSX-2/2/55e79e024f2a23b487d19c6fd8dbf166",
+  author =       "A. Yamamoto and T. Yamauchi and T. Tanikawa and M.
+                 Sasase and B. K. Ghosh and A. Hashimoto and Y. Ito",
   notes =        "gan on 3c-sic",
 }
 
+@Article{liu02,
+  title =        "Substrates for gallium nitride epitaxy",
+  journal =      "Materials Science and Engineering: R: Reports",
+  volume =       "37",
+  number =       "3",
+  pages =        "61--127",
+  year =         "2002",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0927-796X",
+  doi =          "DOI: 10.1016/S0927-796X(02)00008-6",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TXH-45DFBSV-2/2/38c47e77fa91f23f8649a044e7135401",
+  author =       "L. Liu and J. H. Edgar",
+  notes =        "gan substrates",
+}
+
+@Article{takeuchi91,
+  title =        "Growth of single crystalline Ga{N} film on Si
+                 substrate using 3{C}-Si{C} as an intermediate layer",
+  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  volume =       "115",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "634--638",
+  year =         "1991",
+  note =         "",
+  ISSN =         "0022-0248",
+  doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-46FJ525-TY/2/7bb50016a50b1dd1dbc36b43c46b3140",
+  author =       "Tetsuya Takeuchi and Hiroshi Amano and Kazumasa
+                 Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki",
+  notes =        "gan on 3c-sic (first time?)",
+}
+
 @Article{alder57,
   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
   doi =          "10.1103/PhysRevB.68.155208",
   publisher =    "American Physical Society",
 }
+
+@Article{losev27,
+  journal =      "Telegrafiya i Telefoniya bez Provodov",
+  volume =       "44",
+  pages =        "485--494",
+  year =         "1927",
+  author =       "O. V. Lossev",
+}
+
+@Article{losev28,
+  title =        "Luminous carborundum detector and detection effect and
+                 oscillations with crystals",
+  journal =      "Philosophical Magazine Series 7",
+  volume =       "6",
+  number =       "39",
+  pages =        "1024--1044",
+  year =         "1928",
+  URL =          "http://www.informaworld.com/10.1080/14786441108564683",
+  author =       "O. V. Lossev",
+}
+
+@Article{losev29,
+  journal =      "Physik. Zeitschr.",
+  volume =       "30",
+  pages =        "920--923",
+  year =         "1929",
+  author =       "O. V. Lossev",
+}
+
+@Article{losev31,
+  journal =      "Physik. Zeitschr.",
+  volume =       "32",
+  pages =        "692--696",
+  year =         "1931",
+  author =       "O. V. Lossev",
+}
+
+@Article{losev33,
+  journal =      "Physik. Zeitschr.",
+  volume =       "34",
+  pages =        "397--403",
+  year =         "1933",
+  author =       "O. V. Lossev",
+}
+
+@Article{round07,
+  title =        "A note on carborundum",
+  journal =      "Electrical World",
+  volume =       "49",
+  pages =        "308",
+  year =         "1907",
+  author =       "H. J. Round",
+}
index ffaddca383892c86a59d955690537f5994e62fa7..46be2b5bfda27acfb39ff6dddd79b35827a6c83a 100644 (file)
@@ -60,11 +60,15 @@ Despite the lower charge carrier mobilities for low electric fields SiC outperfo
 The wide band gap, large breakdown field and high saturation drift velocity make SiC an ideal candidate for high-temperature, high-power and high-frequency electronic devices exhibiting high efficiency.
 In addition the high thermal conductivity enables the implementation of small-sized electronic devices enduring increased power densites.
 Despite high-temperature operations the wide band gap also allows the use of SiC in optoelectronic devices.
-Indeed, a forgotten figure, Oleg V. Losev discovered what we know as the light emitting diode (LED) today in the mid 1920s by observing light emission from SiC crystal rectifier diodes used in radio receivers when a current was passed through them\cite{losev}.
-Apparently not known to Losev, Henry J. Round published a small note\cite{round} reporting a bright glow from a SiC diode already in 1907.
-However, it was Losev who continued his studies providing comprehensive knowledge on light emission of SiC (entitled luminous carborundum) and its relation to diode action\cite{losev,losev,losev,losev} constituting the birth of solid-state optoelectronics.
-And indeed, the first significant blue LEDs reinvented at the start of the 1990s were based on SiC\cite{foobar}.
-Due to the indirect band gap and, thus, low light emitting efficiency, however, it is nowadays replaced by GaN based diodes.
+Indeed, a forgotten figure, Oleg V. Losev discovered what we know as the light emitting diode (LED) today in the mid 1920s by observing light emission from SiC crystal rectifier diodes used in radio receivers when a current was passed through them~\cite{losev27}.
+Apparently not known to Losev, Henry J. Round published a small note~\cite{round07} reporting a bright glow from a SiC diode already in 1907.
+However, it was Losev who continued his studies providing comprehensive knowledge on light emission of SiC (entitled luminous carborundum) and its relation to diode action~\cite{losev28,losev29,losev31,losev33} constituting the birth of solid-state optoelectronics.
+And indeed, the first significant blue LEDs reinvented at the start of the 1990s were based on SiC.
+Due to the indirect band gap and, thus, low light emitting efficiency, however, it is nowadays replaced by GaN and InGaN based diodes.
+However, even for GaN based diodes SiC turns out to be of great importance since it constitutes an ideal substrate material for GaN epitaxial layer growth~\ref{liu02}.
+In doing so, the 3C polytype promises good quality, single crystalline GaN films~\ref{takeuchi91,yamamoto04,ito04}.
+
+
 Focus on ... key ... to high efficiency
 
 The wide band gap ... light emitting diodes ... first blue led ... but GaN direct band gap semiconductor ...