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+++ b/posic/talks/seminar_2008.tex
@@ -277,38 +277,28 @@
   \item Implantation 1:
         180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
         $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
-        $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$
-        \begin{center}
-        $\Downarrow$\\
+        $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
         epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen
-        in kastenf"ormigen Bereich,
+        in kastenf"ormigen Bereich,\\
         eingeschlossen in a-Si:C 
-        \end{center}
   \item Implantation 2:
         180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100),
         $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
-        $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$
-        \begin{center}
-        $\Downarrow$\\
+        $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
         Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen
         in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten 
-        \end{center}
-  \item Tempen:
-        $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
-        \begin{center}
-        $\Downarrow$\\
+  \item Tempern:
+        $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\
         Homogene, st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit
         scharfen Grenzfl"achen
-        \end{center}
  \end{itemize}
-
-
- \begin{minipage}{5.9cm}
- \includegraphics[width=6cm]{ibs_3c-sic.eps}
+ 
+ \begin{minipage}{6.3cm}
+ \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps}
  \end{minipage}
- \hspace*{0.3cm}
+ \hspace*{0.2cm}
  \begin{minipage}{6.5cm}
- \vspace*{0.5cm}
+ \vspace*{2.3cm}
  {\scriptsize
  Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
  3C-SiC-Schicht.\\
@@ -317,6 +307,10 @@
  }
  \end{minipage}
 
+ \vspace{0.2cm}
+
+ Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur
+
 }
 
 \end{slide}