]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/commitdiff
journal rename
authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Thu, 9 Sep 2010 11:21:21 +0000 (13:21 +0200)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Thu, 9 Sep 2010 11:21:21 +0000 (13:21 +0200)
bibdb/bibdb.bib

index 034ff304f45f64c5168ed03215957177aaf4c3bb..df700f14906679d1f1b72835a60ff450e56cbfad 100644 (file)
@@ -68,7 +68,7 @@
   author =       "G. R. Fisher and P. Barnes",
   title =        "Towards a unified view of polytypism in silicon
                  carbide",
-  journal =      "Philosophical Magazine Part B",
+  journal =      "Philos. Mag. B",
   volume =       "61",
   pages =        "217--236",
   year =         "1990",
@@ -82,7 +82,7 @@
   title =        "Synthesis of nano-sized Si{C} precipitates in Si by
                  simultaneous dual-beam implantation of {C}+ and Si+
                  ions",
-  journal =      "Applied Physics A: Materials Science \& Processing",
+  journal =      "Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process.",
   volume =       "76",
   pages =        "827--835",
   month =        mar,
   title =        "Molecular dynamics with coupling to an external bath",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1984",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "81",
   number =       "8",
   pages =        "3684--3690",
   title =        "Molecular dynamics determination of defect energetics
                  in beta -Si{C} using three representative empirical
                  potentials",
-  journal =      "Modelling and Simulation in Materials Science and
-                 Engineering",
+  journal =      "Modell. Simul. Mater. Sci. Eng.",
   volume =       "3",
   number =       "5",
   pages =        "615--627",
 @Article{devanathan98,
   title =        "Computer simulation of a 10 ke{V} Si displacement
                  cascade in Si{C}",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "141",
   number =       "1-4",
   pages =        "118--122",
 
 @Article{devanathan98_2,
   title =        "Displacement threshold energies in [beta]-Si{C}",
-  journal =      "Journal of Nuclear Materials",
+  journal =      "J. Nucl. Mater.",
   volume =       "253",
   number =       "1-3",
   pages =        "47--52",
                  presence of carbon and boron",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1998",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "84",
   number =       "4",
   pages =        "1963--1967",
 @Article{hobler05,
   title =        "Ab initio calculations of the interaction between
                  native point defects in silicon",
-  journal =      "Materials Science and Engineering: B",
+  journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
   volume =       "124-125",
   number =       "",
   pages =        "368--371",
 @Article{gao02,
   title =        "Empirical potential approach for defect properties in
                  3{C}-Si{C}",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "191",
   number =       "1-4",
   pages =        "487--496",
                  in cubic silicon carbide",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2007",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "90",
   number =       "22",
   eid =          "221915",
                  interactions in Si",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2002",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "80",
   number =       "1",
   pages =        "52--54",
   author =       "A K Tipping and R C Newman",
   title =        "The diffusion coefficient of interstitial carbon in
                  silicon",
-  journal =      "Semiconductor Science and Technology",
+  journal =      "Semicond. Sci. Technol.",
   volume =       "2",
   number =       "5",
   pages =        "315--317",
 
 @Article{laveant2002,
   title =        "Epitaxy of carbon-rich silicon with {MBE}",
-  journal =      "Materials Science and Engineering B",
+  journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
   volume =       "89",
   number =       "1-3",
   pages =        "241--245",
                  silicon by transmission electron microscopy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1997",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "70",
   number =       "2",
   pages =        "252--254",
   title =        "Carbon diffusion in silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1998",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "73",
   number =       "17",
   pages =        "2465--2467",
                  y]{C}[sub y]/Si heterostructures",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1994",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "76",
   number =       "6",
   pages =        "3656--3668",
                  strained Si[sub 1 - y]{C}[sub y] /Si heterostructures",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1995",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "77",
   number =       "5",
   pages =        "1934--1937",
 @Article{zirkelbach09,
   title =        "Molecular dynamics simulation of defect formation and
                  precipitation in heavily carbon doped silicon",
-  journal =      "Materials Science and Engineering: B",
+  journal =      "Mater. Sci. Eng., B",
   volume =       "159-160",
   number =       "",
   pages =        "149--152",
   journal =      "Phys. Rev. B",
   volume =       "82",
   number =       "9",
-  pages =        "",
+  pages =        "066033",
   year =         "2010",
   author =       "F. Zirkelbach and B. Stritzker and K. Nordlund and J.
                  K. N. Lindner and W. G. Schmidt and E. Rauls",
   title =        "Controlling the density distribution of Si{C}
                  nanocrystals for the ion beam synthesis of buried Si{C}
                  layers in silicon",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "147",
   number =       "1-4",
   pages =        "249--255",
 @Article{lindner99_2,
   title =        "Mechanisms in the ion beam synthesis of Si{C} layers
                  in silicon",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "148",
   number =       "1-4",
   pages =        "528--533",
 @Article{lindner01,
   title =        "Ion beam synthesis of buried Si{C} layers in silicon:
                  Basic physical processes",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "178",
   number =       "1-4",
   pages =        "44--54",
   title =        "On the balance between ion beam induced nanoparticle
                  formation and displacive precipitate resolution in the
                  {C}-Si system",
-  journal =      "Materials Science and Engineering: C",
+  journal =      "Mater. Sci. Eng., C",
   volume =       "26",
   number =       "5-7",
   pages =        "857--861",
   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1957",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "27",
   number =       "5",
   pages =        "1208--1209",
   title =        "Studies in Molecular Dynamics. {I}. General Method",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1959",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "31",
   number =       "2",
   pages =        "459--466",
 
 @Article{wesch96,
   title =        "Silicon carbide: synthesis and processing",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "116",
   number =       "1-4",
   pages =        "305--321",
                  ZnSe-based semiconductor device technologies",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1994",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "76",
   number =       "3",
   pages =        "1363--1398",
 @Article{tairov78,
   title =        "Investigation of growth processes of ingots of silicon
                  carbide single crystals",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "43",
   number =       "2",
   pages =        "209--212",
                  cubic Si{C} for semiconductor devices",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1983",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "42",
   number =       "5",
   pages =        "460--462",
                  Si{C} on silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1987",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "61",
   number =       "10",
   pages =        "4889--4893",
                  epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1993",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "73",
   number =       "2",
   pages =        "726--732",
                  6{H}-Si{C} substrates",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1990",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "56",
   number =       "14",
   pages =        "1353--1355",
                  silacyclobutane",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1995",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "78",
   number =       "2",
   pages =        "1271--1273",
   title =        "Epitaxial growth of Si{C} thin films on Si-stabilized
                  [alpha]-Si{C}(0001) at low temperatures by solid-source
                  molecular beam epitaxy",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "154",
   number =       "1-2",
   pages =        "72--80",
                  6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1995",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "66",
   number =       "23",
   pages =        "3182--3184",
                  {IMPLANTATION}",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1971",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "18",
   number =       "11",
   pages =        "509--511",
                  beam synthesis and incoherent lamp annealing",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1987",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "51",
   number =       "26",
   pages =        "2242--2244",
   title =        "Solubility of Carbon in Silicon and Germanium",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1959",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "30",
   number =       "6",
   pages =        "1551--1555",
                  {B} in silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1996",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "68",
   number =       "8",
   pages =        "1150--1152",
 @Article{stolk95,
   title =        "Implantation and transient boron diffusion: the role
                  of the silicon self-interstitial",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "96",
   number =       "1-2",
   pages =        "187--195",
                  diffusion in ion-implanted silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1997",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "81",
   number =       "9",
   pages =        "6031--6050",
                  of Si[sub 1 - y]{C}[sub y] random alloy layers",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1994",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "64",
   number =       "3",
   pages =        "324--326",
                  - x - y]Ge[sub x]{C}[sub y]",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1991",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "70",
   number =       "4",
   pages =        "2470--2472",
                  molecular beam epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1999",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "74",
   number =       "6",
   pages =        "836--838",
   title =        "Electron Transport Model for Strained Silicon-Carbon
                  Alloy",
   author =       "Shu-Tong Chang and Chung-Yi Lin",
-  journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
+  journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
   volume =       "44",
   number =       "4B",
   pages =        "2257--2262",
                  Si(001)",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1997",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "82",
   number =       "10",
   pages =        "4977--4981",
                  potential energy surfaces",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2009",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "130",
   number =       "11",
   eid =          "114711",
                  molecular dynamics method",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1981",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "52",
   number =       "12",
   pages =        "7182--7190",
                  simulation of infrequent events",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1997",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "106",
   number =       "11",
   pages =        "4665--4677",
                  infrequent events",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2000",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "112",
   number =       "21",
   pages =        "9599--9606",
                  simulation",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1999",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "110",
   number =       "19",
   pages =        "9401--9410",
                  to the production of amorphous silicon",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2005",
-  journal =      "The Journal of Chemical Physics",
+  journal =      "J. Chem. Phys.",
   volume =       "122",
   number =       "15",
   eid =          "154509",
                  difficult?",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1993",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "62",
   number =       "25",
   pages =        "3336--3338",
 
 @Article{chaussende08,
   title =        "Prospects for 3{C}-Si{C} bulk crystal growth",
-  journal =      "Journal of Crystal Growth",
+  journal =      "J. Cryst. Growth",
   volume =       "310",
   number =       "5",
   pages =        "976--981",
                  3{C}-Si{C}/Si (001) interface",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2009",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "106",
   number =       "7",
   eid =          "073522",
                  growth on Si(001) surface",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1993",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "74",
   number =       "7",
   pages =        "4438--4445",
                  synchrotron x-ray diffraction",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1999",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "86",
   number =       "8",
   pages =        "4184--4187",
                  carbon ion implantation",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2002",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "91",
   number =       "3",
   pages =        "1287--1292",
                  silicon carbide: calculation of bulk properties,
                  high-pressure phases, point and extended defects, and
                  amorphous structures",
-  journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
+  journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
   volume =       "22",
   number =       "3",
   pages =        "035802",
                  Beauchamp",
   title =        "Comparison between classical potentials and ab initio
                  methods for silicon under large shear",
-  journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
+  journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
   volume =       "15",
   number =       "41",
   pages =        "6943",
   title =        "Verification of Tersoff's Potential for Static
                  Structural Analysis of Solids of Group-{IV} Elements",
   author =       "Koji Moriguchi and Akira Shintani",
-  journal =      "Japanese Journal of Applied Physics",
+  journal =      "Japanese J. Appl. Phys.",
   volume =       "37",
   number =       "Part 1, No. 2",
   pages =        "414--422",
 @Article{nordlund97,
   title =        "Repulsive interatomic potentials calculated using
                  Hartree-Fock and density-functional theory methods",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "132",
   number =       "1",
   pages =        "45--54",
   title =        "Efficiency of ab-initio total energy calculations for
                  metals and semiconductors using a plane-wave basis
                  set",
-  journal =      "Computational Materials Science",
+  journal =      "Comput. Mater. Sci.",
   volume =       "6",
   number =       "1",
   pages =        "15--50",
 @Article{zhu98,
   title =        "Ab initio pseudopotential calculations of dopant
                  diffusion in Si",
-  journal =      "Computational Materials Science",
+  journal =      "Comput. Mater. Sci.",
   volume =       "12",
   number =       "4",
   pages =        "309--318",
                  950 [degree]{C}",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1995",
-  journal =      "Applied Physics Letters",
+  journal =      "Appl. Phys. Lett.",
   volume =       "66",
   number =       "20",
   pages =        "2646--2648",
                  alloys",
   publisher =    "AIP",
   year =         "1998",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "84",
   number =       "8",
   pages =        "4631--4633",
   author =       "R Jones and B J Coomer and P R Briddon",
   title =        "Quantum mechanical modelling of defects in
                  semiconductors",
-  journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
+  journal =      "J. Phys.: Condens. Matter",
   volume =       "16",
   number =       "27",
   pages =        "S2643",
                  molecular-beam epitaxy",
   publisher =    "AIP",
   year =         "2002",
-  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  journal =      "J. Appl. Phys.",
   volume =       "91",
   number =       "9",
   pages =        "5716--5727",
 @Article{kaxiras96,
   title =        "Review of atomistic simulations of surface diffusion
                  and growth on semiconductors",
-  journal =      "Computational Materials Science",
+  journal =      "Comput. Mater. Sci.",
   volume =       "6",
   number =       "2",
   pages =        "158--172",
 @Article{chen98,
   title =        "Production and recovery of defects in Si{C} after
                  irradiation and deformation",
-  journal =      "Journal of Nuclear Materials",
+  journal =      "J. Nucl. Mater.",
   volume =       "258-263",
   number =       "Part 2",
   pages =        "1803--1808",
 @Article{weber01,
   title =        "Accumulation, dynamic annealing and thermal recovery
                  of ion-beam-induced disorder in silicon carbide",
-  journal =      "Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
-                 Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms",
+  journal =      "Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B",
   volume =       "175-177",
   number =       "",
   pages =        "26--30",