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@@ -72,11 +72,11 @@
 \uni-header
 \section*{Modell}
 \begin{itemize}
- \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium $\rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
- \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
- \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen $SiC$ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
- \item d"unnes Target $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
- \item Kohlenstoff"ubers"attigung $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete
+ \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium \\ $\rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
+ \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
+ \item d"unnes Target \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
+ \item Kohlenstoff"ubers"attigung \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete
 \end{itemize}
 \end{slide}
 
@@ -147,7 +147,7 @@ Dreiteilung des Simulationsalgorithmus:
 \section*{Simulation(1/3) - Amorphisierung/Rekristallisation}
 \begin{itemize}
  \item zuf"allige Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess
- \item Berechnung der Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit:
+ \item Berechnung der Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit
   \[
     \begin{array}{ll}
      p_{c \rightarrow a} & \displaystyle =a_{cp} \times c^{\textrm{lokal}}_{\textrm{Kohlenstoff}} + b_{ap} + \sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap} \times c_{\textrm{Kohelstoff}}}{\textrm{Abstand}^2}\\
@@ -189,7 +189,81 @@ Diffusion findet alle $d_v$ Schritte statt.
 \begin{slide}
 \uni-header
 \section*{Ergebnisse}
+variierte Parameter:
+\begin{itemize}
+ \item Schrittzahl
+ \item Amorphisierung beschreibende Parameter
+ \item Diffusionsgeschwindigkeit und Diffusionsrate
+ \item Diffusion in $z$-Richtung
+ \item rein kristalline Diffusion
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Ergebnisse}
+Notwendig f"ur Bildung der lamellaren Ausscheidungen:
+\begin{itemize}
+ \item hohe Schrittzahl und niedrige Amorphisierungsparameter
+ \item Diffusion von Kohlenstoff von kristallinen in amorphe Gebiete, insbesondere in $z$-Richtung
+  \begin{figure}[h]
+   \begin{center}
+    \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_noZ.eps}
+    \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z.eps}
+    \caption{Messungen mit (rechts) und ohne (links) Diffusion von amorphen in kristalline Gebiete in $z$-Richtung}
+   \end{center}
+  \end{figure}
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Ergebnisse}
+Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen in aufeinander folgenden Ebenen
+\begin{figure}[h]
+ \begin{center}
+  \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z_x-y_97.eps}
+  \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z_x-y_98.eps}
+  \caption{Zwei aufeinander folgende Ebenen mit komplement"ar angeordneten amorphen und kristallinen Gebieten}
+ \end{center}
+\end{figure}
+\end{slide}
+ 
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Ergebnisse}
+Die amorph/kristalline Diffusionsrate beeinflusst die Tiefe in der erstmals lamellare Ordnung auftrit
+\begin{figure}[h]
+ \begin{center}
+  \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z_c-diff_x-z_21.eps}
+  \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z_0.2-ac-diff_y-z_28.eps}
+  \caption{Messunng mit verschiedenen amorph-kristallinen Diffusionsraten}
+ \end{center}
+\end{figure}
+\end{slide}
 
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Ergebnisse}
+Beste "Ubereinstimmung mit TEM-Aufnahme:
+\begin{figure}[t]
+ \begin{center}
+  \includegraphics[height=3.5cm]{sim2_64-64_a003_b0_no-c-diff_x-z_23-cmp-tem.eps}
+  \includegraphics[height=3.5cm]{tem-if.eps}
+  \caption{Vergleich von Simulationsergebniss und TEM-Aufnahme}
+ \end{center}
+\end{figure}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\uni-header
+\section*{Ausblick}
+\begin{itemize}
+ \item mehrere Sto"sprozesse pro Durchlauf $\rightarrow$ Durchlauf entspricht einem implantierten Ion
+ \item objektivere Methode zur Messung der lamellaren Struktur (Fouriertransformierte des Realbildes)
+ \item Intensivere Vergleiche mit TEM-Aufnahmen, insbesondere der Dosisentwicklung
+ \item Zusammenhang zwischen Simulations- und Implantationsparametern
+\end{itemize}
 \end{slide}
 
 \end{document}