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authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Sun, 16 Nov 2008 11:49:20 +0000 (12:49 +0100)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Sun, 16 Nov 2008 11:49:20 +0000 (12:49 +0100)
posic/talks/seminar_2008.tex

index d946ce37b26b3b0dd537470b3e92f5f22c1e4b7e..600080c7c1af27858dd6d64d0182e9d96b37c8e0 100644 (file)
 
  Die Alternative: Ionenstrahlsynthese
 
+ \small
+
+ \begin{minipage}{6cm}
  \begin{itemize}
-  \item Implantation 1:
-        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+  \item Implantation 1:\\
+        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100)\\
+        $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
         $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\
         $\rightarrow$
-  \item Implantation 2:
-        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
+  \item Implantation 2:\\
+        180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100)\\
+        $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$,
         $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\
         $\rightarrow$
   \item Tempern:
         $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$
  \end{itemize}
+ \end{minipage}
+ \hspace*{0.3cm}
+ \begin{minipage}{6cm}
+ \includegraphics[width=7cm]{ibs_3c-sic.eps}
+ {\scriptsize
+ Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen
+ 3C-SiC-Schicht.\\
+ (a) Hellfeldaufnahme\\
+ (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\
+ }
+ \end{minipage}
 
 \end{slide}