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diff --git a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex
index ecf2220e49a3ae5a4353ea8ece1fea7be0e1b2f9..f1e29a0bbac8cf47c7689c074d57bdd2a4b4a3a6 100644 (file)
--- a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex
+++ b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex
@@ -1,8 +1,24 @@
 \chapter{Ergebnisse}
 \label{chapter:ergebnisse}
 
+Im Folgenden sollen die Ergebnisse der Simulation diskutiert werden.
+Dabei werden Simulationsergebnisse mit experimentell erfassten Ergebnissen aus \cite{maik_da} verglichen.
+
+Weiterhin soll der in Kapitel \ref{chapter:modell} vorgestellte Bildungsmechanismus der amorphen $SiC_x$-Phasen in $Si$ verifiziert werden.
+Hierbei wird vorallem der Einfluss einzelner Simulationsparameter, wie Diffusion und St"arke der Druckspannungen, auf den Selbstorganisationsprozess untersucht.
+
+Unter der Annahme der Richtigkeit des Modells und seiner Umsetzung k"onnen sehr leicht Aussagen "uber die Struktur und Zusammensetzung an jedem beliebigen Ort des Targets w"ahrend des Ordnungsprozesses gemacht werden.
+Diese Information ist experimentell sehr schwer zug"anglich.
+
+Zun"achst werden die Ergebnisse der Simulationen bis $300 nm$ Tiefe vorgestellt.
+Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich diskutiert.
+
   \section{Simulation bis $300 nm$ Tiefe}
 
+ 
+
+    \subsection{Erste Simulationsdurchl"aufe}
+
     \subsection{Vergleich von Simulationsergebnis und TEM-Aufnahme}
 
     \subsection{Notwendigkeit der Diffusion}

diff --git a/nlsop/diplom/grundlagen.tex b/nlsop/diplom/grundlagen.tex
index 631983ca5b364021ef1e03fa4160c250d1389641..27a1a68e42ecc67b0e78566b5e0ad49d576e1602 100644 (file)
--- a/nlsop/diplom/grundlagen.tex
+++ b/nlsop/diplom/grundlagen.tex
@@ -375,9 +375,15 @@
     Das einfallende Teilchen startet mit der Anfangsenergie $E = E_0$ an der Oberfl"ache des Targets.
     Drei Zufallszahlen $R_1$, $R_2$ und $R_3$ werden auf die physikalischen Gr"o"sen freie Wegl"ange $l$, Sto"sparamter $p$ und den Azimutwinkel $\Phi$ abgebildet.
 
-    Die freie Wegl"ange 
+    Es gibt Ans"atze die freie Wegl"ange zuf"allig zu bestimmen.
+    F"ur niedrige Ionenenergien (kleiner $0,1 Mev/amu$) reicht es jedoch den amorphen Festk"orper durch eine feste freie Wegl"ange $l$ zu modellieren.
+    Diese ist gegeben durch den mittleren Abstand der Targetatome.
+    \[
+    l = N^{- \frac{1}{3}}
+    \]
+    F"ur gr"ossere Energien muss der M"oglichkeit gr"osserer freier Wegl"angen Rechnung getragen werden und eine entsprechende Abbildung von $R_1$ auf $l$ ist n"otig \cite{ziegler_biersack_littmark}.
 
-    Danach wird der Sto"sparameter durch $p = R_2 p_{max}$ bestimmt.
+    Danach wird der Sto"sparameter durch $p = p_{max} R_2$ bestimmt.
     Dabei gilt f"ur das Maximum $p_{max}$ des Sto"sparameters:
     \[
     \pi p^2_{max} l = N^{-1} \quad \textrm{.}
@@ -394,6 +400,7 @@
     Durch die freie Wegl"ange und den Ablenk- und Azimutwinkel ist der Ort des n"achsten Sto"sprozesses festgelegt.
     Die Koordinaten und der Energie"ubertrag jedes Sto"ses werden protokolliert, womit die nukleare und elektronische Bremskraft bestimmt ist.
     Die Koordinaten der Ionen die unter einen bestimmten Energiebetrag abgefallen sind merkt sich das Programm ebenfalls.
+    Damit ist das Implantationsprofil bekannt.
 
     \subsection{Strahlensch"aden und Amorphisierung}