]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/commitdiff
new items
authorhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Wed, 14 Jul 2010 18:22:12 +0000 (20:22 +0200)
committerhackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Wed, 14 Jul 2010 18:22:12 +0000 (20:22 +0200)
bibdb/bibdb.bib

index c5f22cf20cd657a3b9ba504bf39a7bb8031ec405..1c174a1b7ce38f147fd9842a2f67e827b63168ba 100644 (file)
   year =         "1995",
 }
 
-@Article{tersoff89,
+@Article{brenner89,
   title =        "Relationship between the embedded-atom method and
                  Tersoff potentials",
   author =       "Donald W. Brenner",
                  precipitate",
 }
 
+@InProceedings{werner96,
+  author =       "P. Werner and R. Koegler and W. Skorupa and D.
+                 Eichler",
+  booktitle =    "Ion Implantation Technology. Proceedings of the 11th
+                 International Conference on",
+  title =        "{TEM} investigation of {C}-Si defects in carbon
+                 implanted silicon",
+  year =         "1996",
+  month =        jun,
+  volume =       "",
+  number =       "",
+  pages =        "675--678",
+  keywords =     "beta;-SiC precipitates;30 s;700 to 1300 C;C
+                 atom/radiation induced defect interaction;C depth
+                 distribution;C precipitation;C-Si defects;C-Si
+                 dimers;CZ Si;HREM;Si:C;TEM;buried layer morphology;high
+                 energy ion implantation;ion implantation;metastable
+                 agglomerates;microdefects;positron annihilation
+                 spectroscopy;rapid thermal annealing;secondary ion mass
+                 spectrometry;vacancy clusters;buried
+                 layers;carbon;elemental semiconductors;impurity-defect
+                 interactions;ion implantation;positron
+                 annihilation;precipitation;rapid thermal
+                 annealing;secondary ion mass
+                 spectra;silicon;transmission electron
+                 microscopy;vacancies (crystal);",
+  doi =          "10.1109/IIT.1996.586497",
+  ISSN =         "",
+  notes =        "c-si agglomerates dumbbells",
+}
+
 @Article{strane94,
   author =       "J. W. Strane and H. J. Stein and S. R. Lee and S. T.
                  Picraux and J. K. Watanabe and J. W. Mayer",
   number =       "1-4",
   pages =        "528--533",
   year =         "1999",
-  note =         "",
   ISSN =         "0168-583X",
   doi =          "DOI: 10.1016/S0168-583X(98)00787-3",
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJN-3XGFSSH-3H/2/17d138baa6db68cb279e6de9161e5f85",
   author =       "J. K. N. Lindner and B. Stritzker",
+  notes =        "3c-sic precipitation model, c-si dimers (dumbbells)",
 }
 
 @Article{lindner01,
   notes =        "ibs, burried sic layers",
 }
 
+@Article{ito04,
+  title =        "Ion beam synthesis of 3{C}-Si{C} layers in Si and its
+                 application in buffer layer for Ga{N} epitaxial
+                 growth",
+  journal =      "Applied Surface Science",
+  volume =       "238",
+  number =       "1-4",
+  pages =        "159--164",
+  year =         "2004",
+  note =         "APHYS'03 Special Issue",
+  ISSN =         "0169-4332",
+  doi =          "DOI: 10.1016/j.apsusc.2004.05.199",
+  URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6THY-4CTTNGX-B/2/d24ee637db87f3f1a6ef7fe6820f267c",
+  author =       "Y. Ito and T. Yamauchi and A. Yamamoto and M. Sasase
+                 and S. Nishio and K. Yasuda and Y. Ishigami",
+  notes =        "gan on 3c-sic",
+}
+
 @Article{alder57,
   author =       "B. J. Alder and T. E. Wainwright",
   title =        "Phase Transition for a Hard Sphere System",
   notes =        "cvd of 3c-sic on si, sic buffer layer",
 }
 
-@Article{nishino:4889,
+@Article{nishino87,
   author =       "Shigehiro Nishino and Hajime Suhara and Hideyuki Ono
                  and Hiroyuki Matsunami",
   collaboration = "",
   number =       "1-2",
   pages =        "72--80",
   year =         "1995",
-  notes =        "solid source mbe",
   ISSN =         "0022-0248",
   doi =          "DOI: 10.1016/0022-0248(95)00170-0",
   URL =          "http://www.sciencedirect.com/science/article/B6TJ6-3Y5MMXM-1N/2/65549019b878bf02d5ec645b7eea9e98",
   author =       "A. Fissel and U. Kaiser and E. Ducke and B. Schröter
                  and W. Richter",
+  notes =        "solid source mbe of 3c-sic on si and 6h-sic",
+}
+
+@Article{fissel95_apl,
+  author =       "A. Fissel and B. Schr{\"{o}}ter and W. Richter",
+  collaboration = "",
+  title =        "Low-temperature growth of Si{C} thin films on Si and
+                 6{H}--Si{C} by solid-source molecular beam epitaxy",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1995",
+  journal =      "Applied Physics Letters",
+  volume =       "66",
+  number =       "23",
+  pages =        "3182--3184",
+  keywords =     "SILICON CARBIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY;
+                 RHEED; NUCLEATION",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/66/3182/1",
+  doi =          "10.1063/1.113716",
+  notes =        "mbe 3c-sic on si and 6h-sic",
 }
 
 @Article{borders71,
   number =       "11",
   pages =        "509--511",
   URL =          "http://link.aip.org/link/?APL/18/509/1",
-  notes =        "first time sic by ibs",
   doi =          "10.1063/1.1653516",
+  notes =        "first time sic by ibs, follow cites for precipitation
+                 ideas",
 }
 
 @Article{reeson87,
   publisher =    "American Physical Society",
 }
 
+@Article{brenner90,
+  title =        "Empirical potential for hydrocarbons for use in
+                 simulating the chemical vapor deposition of diamond
+                 films",
+  author =       "Donald W. Brenner",
+  journal =      "Phys. Rev. B",
+  volume =       "42",
+  number =       "15",
+  pages =        "9458--9471",
+  numpages =     "13",
+  year =         "1990",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRevB.42.9458",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "brenner hydro carbons",
+}
+
+@Article{bazant96,
+  title =        "Modeling of Covalent Bonding in Solids by Inversion of
+                 Cohesive Energy Curves",
+  author =       "Martin Z. Bazant and Efthimios Kaxiras",
+  journal =      "Phys. Rev. Lett.",
+  volume =       "77",
+  number =       "21",
+  pages =        "4370--4373",
+  numpages =     "3",
+  year =         "1996",
+  month =        nov,
+  doi =          "10.1103/PhysRevLett.77.4370",
+  publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "first si edip",
+}
+
 @Article{bazant97,
   title =        "Environment-dependent interatomic potential for bulk
                  silicon",
   month =        oct,
   doi =          "10.1103/PhysRevB.56.8542",
   publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "second si edip",
 }
 
 @Article{justo98,
   month =        aug,
   doi =          "10.1103/PhysRevB.58.2539",
   publisher =    "American Physical Society",
+  notes =        "latest si edip",
 }
 
 @Article{parcas_md,
                  angular distribution, coordination",
 }
 
-@Article{wen:073522,
+@Article{wen09,
   author =       "C. Wen and Y. M. Wang and W. Wan and F. H. Li and J.
                  W. Liang and J. Zou",
   collaboration = "",
   author =       "J. Hornstra",
   notes =        "dislocations in diamond lattice",
 }
+
+@Article{eichhorn99,
+  author =       "F. Eichhorn and N. Schell and W. Matz and R.
+                 K{\"{o}}gler",
+  collaboration = "",
+  title =        "Strain and Si{C} particle formation in silicon
+                 implanted with carbon ions of medium fluence studied by
+                 synchrotron x-ray diffraction",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "1999",
+  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  volume =       "86",
+  number =       "8",
+  pages =        "4184--4187",
+  keywords =     "silicon; carbon; elemental semiconductors; chemical
+                 interdiffusion; ion implantation; X-ray diffraction;
+                 precipitation; semiconductor doping",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/86/4184/1",
+  doi =          "10.1063/1.371344",
+  notes =        "sic conversion by ibs, detected substitutional
+                 carbon",
+}
+
+@Article{eichhorn02,
+  author =       "F. Eichhorn and N. Schell and A. M{\"{u}}cklich and H.
+                 Metzger and W. Matz and R. K{\"{o}}gler",
+  collaboration = "",
+  title =        "Structural relation between Si and Si{C} formed by
+                 carbon ion implantation",
+  publisher =    "AIP",
+  year =         "2002",
+  journal =      "Journal of Applied Physics",
+  volume =       "91",
+  number =       "3",
+  pages =        "1287--1292",
+  keywords =     "silicon compounds; wide band gap semiconductors; ion
+                 implantation; annealing; X-ray scattering; transmission
+                 electron microscopy",
+  URL =          "http://link.aip.org/link/?JAP/91/1287/1",
+  doi =          "10.1063/1.1428105",
+  notes =        "3c-sic alignement to si host in ibs depending on
+                 temperature, might explain c int to c sub trafo",
+}
+
+@Article{lucas10,
+  author =       "G Lucas and M Bertolus and L Pizzagalli",
+  title =        "An environment-dependent interatomic potential for
+                 silicon carbide: calculation of bulk properties,
+                 high-pressure phases, point and extended defects, and
+                 amorphous structures",
+  journal =      "Journal of Physics: Condensed Matter",
+  volume =       "22",
+  number =       "3",
+  pages =        "035802",
+  URL =          "http://stacks.iop.org/0953-8984/22/i=3/a=035802",
+  year =         "2010",
+  notes =        "edip sic",
+}