]> hackdaworld.org Git - lectures/latex.git/commitdiff
hopefully dpg2005 release!
authorhackbard <hackbard>
Tue, 1 Mar 2005 14:31:10 +0000 (14:31 +0000)
committerhackbard <hackbard>
Tue, 1 Mar 2005 14:31:10 +0000 (14:31 +0000)
nlsop/nlsop_dpg_2005.tex

index d460192ff7d0b2d167c09189e5984301472c2c79..5366998c2e68886098bb10cc8a42e90711e08806 100644 (file)
 {\large\bf
  "Uberblick
 }
+\begin{picture}(300,30)
+\end{picture}
 \begin{itemize}
- \item TEM-Aufnahme selbstorganisierter $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \item selbstorganisierte $SiC_x$-Ausscheidungen
  \item Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsprozesses
  \item Umsetzung des Modells in eine Monte-Carlo-Simulation
- \item Ergebnisse
-  \begin{itemize}
-   \item Einfluss der Diffusion
-   \item Vergleich von Simulationsergebnissen mit TEM-Aufnahmen
-   \item Reproduzierbarkeit der Dosisentwicklung
-  \end{itemize}
+ \item Vergleich von Simulationsergebnissen mit experimentellen Befunden
  \item Zusammenfassung
 \end{itemize}
 \end{slide}
 \end{figure}
  \scriptsize
 \begin{itemize}
- \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
- \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph
- \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung
- \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung
- \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
- \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
+ \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ {\bf Nukleation} sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen
+ \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind {\bf amorph}
+ \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ {\bf Druckspannungen} auf Umgebung
+ \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ {\bf Relaxation} der Druckspannung in $ {\bf z}$-{\bf Richtung}
+ \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ {\bf Diffusion} von Kohlenstoff in amorphe Gebiete
+ \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ {\bf bevorzugte Amorphisierung} zwischen zwei amorphen Ausscheidungen
 \end{itemize}
 \end{slide}