From: hackbard Date: Tue, 12 Jul 2005 10:35:58 +0000 (+0000) Subject: ci often and soon X-Git-Url: https://hackdaworld.org/cgi-bin/gitweb.cgi?a=commitdiff_plain;h=030ba3ad2359c399a2c8baa6c831a478ae9ebb78;p=lectures%2Flatex.git ci often and soon --- diff --git a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex index f896fff..1e553d0 100644 --- a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex +++ b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex @@ -142,17 +142,27 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis \caption{Simulationsergebnisse f"ur a) $d_v=10$, b) $d_v=100$, c) $d_v=1000$, d) $d_v=10000$. Simulationsparameter: $p_b=0$, $p_c=0,0001$, $p_s=0,003$, $d_r=0,5$, $s=2 \times 10^{7}$} \label{img:dv_influence} \end{figure} - Neben der Diffusionsrate $d_r$ beschreibt der Simulationparameter $d_v$ den Diffusionsprozess. - Dieser gibt an wie oft der Diffusionsschritt ausgef"uhrt wird. - In Abbildung \ref{img:dv_influence} sind Simulationsergebnisse f"ur verschiedene $d_v$ abgebildet. - Erstaunlichwerweise scheint dieser Parameter keinen allzu grossen Einfluss auf das Ergebnis zu haben. - Man erkennt eine minimale Abnahme des lamellaren Tiefenbereichs von ungef"ahr $10 nm$. - \begin{figure}[h] \includegraphics[width=12cm]{ls_dv_cmp.eps} \caption{Linescan der fouriertransformierten Cross-Sections von Simulationen mit $d_v=10$ und $d_v=10000$. Simulationsparameter: $p_b=0$, $p_c=0,0001$, $p_s=0,003$, $d_r=0,5$, $s=2 \times 10^{7}$} \label{img:dv_ls} \end{figure} + Neben der Diffusionsrate $d_r$ beschreibt der Simulationparameter $d_v$ den Diffusionsprozess. + Dieser gibt an wie oft der Diffusionsschritt ausgef"uhrt wird. + In Abbildung \ref{img:dv_influence} sind Simulationsergebnisse f"ur verschiedene $d_v$ abgebildet. + Erstaunlichwerweise scheint dieser Parameter keinen allzu grossen Einfluss auf das Ergebnis zu haben. + Das liegt daran, dass selbst die Anzahl von $10 \times 10^{3}$ Schritten im Vergleich zur Anzahl der W"urfel im Target von $50 \times 50 \times 100 = 25 \times 10^{4}$ sehr viel keiner ist. + Damit ist es sehr wahrscheinlich, dass vor einem erneuten Sto"s in einem Volumen, ein Diffusionsprozess mit den Nachbarn stattfand. + + Man erkennt eine minimale Abnahme des lamellaren Tiefenbereichs von ungef"ahr $10 nm$. + Ausserdem kann man eine kleine Zunahme der Periodenl"ange der Lamellen mit zunehmendem $d_v$ erahnen. + Dies erkennt man am besten beim Vergleich der zwei Extrema $d_v=10$ und $d_v=10000$. + + In Abbildung \ref{img:dv_ls} sind die Linescans der fouriertransformierten Cross-Sections $a)$ und $b)$ aus Abbildung \ref{img:dv_influence} zu sehen. + Die Zunahme der Periode macht sich hier durch die Verschiebung der Intensit"atsmaxima zu h"oheren Frequenzen bemerkbar. + W"ahrend der Linescan f"ur $d_v=10000$ (blau) schon f"ur Frequenzen unter $0,1 nm^{-1}$ lokale Intensit"atsmaxima zeigt, erkennt man Maxima des Linescans f"ur $d_v=10$ (rot) bei h"oheren Frequenzen. + Am wohl auff"alligsten ist dabei der Peak bei $f_z \approx 0,14 nm^{-1}$. + Dies entspricht einer Wellenl"ange von ungef"ahr $7,14 nm$. \subsection{Einfluss der Druckspannungen} @@ -224,6 +234,13 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis Im Folgenden wird die zweite Version des Programms diskutiert. Hier wird "uber den gesamten Implantatiosnbereich, von $0$ bis $700 nm$ simuliert. + Da nukleare Bremskraft und Implantationsprofil in einer Tiefe von $700 nm$ auf Null abgefallen sind, ist der Sputtervorgang m"oglich. + Jeder Simulationsdurchlauf entspricht tats"achlich einem implantierten Ion, da die mittlere Anzahl von St"o"sen die ein Ion im Target erf"ahrt ausgef"uhrt wird. + Sto"skoordinaten werden entsprechend der nuklearen Bremskraft gew"ahlt, der Einbau des Kohlenstoffs erfolgt gem"a"s des Implantationsprofils. + Die Sputterroutine wird gestartet sobald die implantierte Dosis der Dosis entspricht, die $3 nm$ Abtrag zur Folge hat. + + In ersten Simulationsl"aufen wurde zun"achst versucht die durchgehende amorphe $SiC_x$-Schicht zu reproduzieren. + \subsection{Reproduzierbarkeit der Dosisentwicklung}