From: hackbard Date: Fri, 15 Jul 2005 17:10:52 +0000 (+0000) Subject: again more ... X-Git-Url: https://hackdaworld.org/cgi-bin/gitweb.cgi?a=commitdiff_plain;h=09506b58e44d03f372ae88c1a7a78a65dc3e8498;p=lectures%2Flatex.git again more ... --- diff --git a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex index b8c4f1c..a831d01 100644 --- a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex +++ b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex @@ -322,7 +322,7 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis \begin{figure}[h] \includegraphics[width=12cm]{ac_cconc_ver2.eps} - \caption{Cross-Section und Tiefenprofil des Kohlenstoffs der Simulation aus Abschnitt \ref{subsection:reproduced_dose}. Helle Gebiete sind amorph, dunklae Gebiete kristallin. Kohlenstoff in kristallinen Gebieten (gr"un), in amorphen Gebieten (rot) und gesamter Kohlenstoff (schwarz) sind abgebildet.} + \caption{Cross-Section und Tiefenprofil des Kohlenstoffs der Simulation aus Abschnitt \ref{subsection:reproduced_dose}. Helle Gebiete sind amorph, dunkle Gebiete kristallin. Kohlenstoff in kristallinen Gebieten (gr"un), in amorphen Gebieten (rot) und gesamter Kohlenstoff (schwarz) sind abgebildet.} \label{img:c_distrib_v2} \end{figure} In Abbildung \ref{img:c_distrib_v2} ist die Cross-Section aus Abschnitt \ref{subsection:reproduced_dose} mit zugeh"origem Implantationsprofil gezeigt. @@ -331,9 +331,9 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis Der Kohlenstoffgehalt in den kristallinen Volumen sinkt. Gleichzeitigt steigt der Kohlenstoffgehalt in den amorphen Gebieten. Ab einer Tiefe von $350 nm$ haben sich lamellare, amorphe Ausscheidungen gebildet. - Im Kohlenstoffprofil sind Schwankungen in der Gesamtkonzentration und der Konzentration in amorphen Gebieten zu sehen (schwarzer Pfeil). - Die Ursache liegt wieder an der komplement"aren Anordnung der amorphen und kristallinen Gebiete in aufeinanderfolgenden Ebenen. - Es wechseln sich abwechselnd Ebenen mit hohem und niedrigen amorphen Anteil ab. + Im Kohlenstoffprofil sind Schwankungen in der Gesamtkonzentration und der Konzentration in amorphen Gebieten zu sehen (siehe Pfeil). + Die Ursache liegt vermutlich wieder an der komplement"aren Anordnung der amorphen und kristallinen Gebiete in aufeinanderfolgenden Ebenen. + Es wechseln sich abwechselnd Ebenen mit hohen und niedrigen amorphen Anteil ab. Wie in Abschnitt \ref{subsection:c_distrib} ist diese Anordnung eine Folge der Diffusion. Die amorphen Gebiete entziehen benachbarten Ebenen den Kohlenstoff. Die lokale Amorphisierungswahrscheinlichkeit wird erh"oht w"ahrend sie in der Nachbarebene kleiner wird. @@ -349,10 +349,12 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis \begin{center} \includegraphics[width=7cm]{z_zplus1_ver2.eps} \end{center} - \caption{Amorph/Kristalline Struktur in zwei aufeinander folgenden Ebenen $z$ und $z+1$.} + \caption{Amorph/Kristalline Struktur in zwei aufeinander folgenden Ebenen $z$ und $z+1$ im Tiefenbereich der lamellaren Strukturen.} \label{img:z_zplus1_ver2} \end{figure} - Abbildung \ref{img:z_zplus1_ver2} ist die \ldots + Abbildung \ref{img:z_zplus1_ver2} zeigt die amorph/kristalline Struktur in zwei aufeinander folgenden Ebenen $z$ und $z+1$ im Tiefenbereich der lamellaren Strukturen. + Sie best"atigt die Vermutung der komplement"aren Anordnung amorpher und kristalliner Gebiete in aufeinanderfolgenden Ebene in diesem Tiefenbereich. + Dies hebt erneut die Wichtigkeit der Diffusion f"ur den Selbstorganisationsprozess der lamellaren Strukturen hervor. \subsection{Position und Ausdehnung der amorphen Phase} @@ -373,5 +375,10 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch zweiten Implantationsschritt} - EDIT: vorgabe , dann mit hoeherer energie, konstantes nel + Im Folgenden soll ein Mechanismus zur Erzeugung grosser lamellarer Bereiche durch einen zweiten Implantationsschritt vorhergesagt werden. + Als Grundlage dient ein Silizium Target, dass wie bisher mit $180 keV$ $C^{+}$ beschossen wird. + Ein entsprechendes Implantationsprofil stellt sich ein. + Allerdings soll das Target durchgehend kristallin sein. + Dies l"asst sich experimentell durch Erh"ohung der Targettemeperatur erreichen. +