From: hackbard Date: Wed, 15 Jun 2005 14:12:24 +0000 (+0000) Subject: first part of model X-Git-Url: https://hackdaworld.org/cgi-bin/gitweb.cgi?a=commitdiff_plain;h=09a105840041c09f1d9bf37431a5acd21367624d;p=lectures%2Flatex.git first part of model --- diff --git a/nlsop/diplom/diplomarbeit.tex b/nlsop/diplom/diplomarbeit.tex index b2d7aed..851b2f5 100644 --- a/nlsop/diplom/diplomarbeit.tex +++ b/nlsop/diplom/diplomarbeit.tex @@ -13,7 +13,7 @@ \usepackage{./graphs} -\hyphenation{kris-tallin-en Kohlen-stoff-über-sättigung Selbstorganisationsprozesses} +\hyphenation{kris-tallin-en Kohlen-stoff-über-sättigung Selbstorganisationsprozesses kohlen-stoff-in-du-zierte} % wer macht was? immer wichtig, auch wenn \maketitle versagt ... ;) \author{Frank Zirkelbach} diff --git a/nlsop/diplom/literatur.tex b/nlsop/diplom/literatur.tex index 434cdaa..a859c93 100644 --- a/nlsop/diplom/literatur.tex +++ b/nlsop/diplom/literatur.tex @@ -15,4 +15,7 @@ \bibitem{snead} L. L. Snead, S. J. Zinkle, J. C. Hay, M. C. Osborne. Nucl. Instr. and Meth. B 141 (1998) 123. \bibitem{van_ommen} A. H. van Ommen. Nucl. Instr. and Meth. B 39 (1989) 194. \bibitem{ishimaru} M. Ishimaru, R. M. Dickerson, K. E. Sickafus, Nucl. Instr. and Meth. B 166-167 (2000) 390. + \bibitem{lindner_appl_phys} J. K. N. Lindner. Appl. Phys. A 77 (2003) 27-38. + \bibitem{linnross} J. Linnross, R. G. Elliman, W. L. Brown. J. Matter. Res. 3 (1988) 1208. + \bibitem{taylor} W. J. Taylor, T. Y. Tan, U. G"osele. Appl. Phys. Lett. 62 (1993) 3336. \end{thebibliography} diff --git a/nlsop/diplom/modell.tex b/nlsop/diplom/modell.tex index 48e7e70..a57fdfc 100644 --- a/nlsop/diplom/modell.tex +++ b/nlsop/diplom/modell.tex @@ -23,6 +23,7 @@ Neben Kohlenstoffimplantation in Silizium wurden solche Ausscheidungen auch in Hochdosis-Sauerstoffimplantation in Silizium, $Ar^+$ in $Al_2O_3$ und $Si^+$ in $SiC$ \cite{snead,van_ommen,ishimaru} gefunden. + Entscheidend ist eine Dichtereduktion des Materialsystems bei Amorphisierung, worauf im n"achsten Abschnitt eingegangen wird. \section{Formulierung des Modells} @@ -35,6 +36,14 @@ \label{img:modell} \end{figure} - - + Die Implantation unter den oben genannten Bedingungen f"uhrt bei sehr hohen Dosen zur Bildung einer amorphen Phase. + Auf Grund der niedrigen nuklearen Bremskraft der leichten Kohlenstoff Ionen im Silizium ist bei den gegebenen Temperaturen keine Amorphisierung zu erwarten \cite{lindner_appl_phys}. + Tats"achlich wurde in \cite{linnross} gezeigt, dass reines amorphes Silizium bei Temperaturen "uber $130 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ ionenstrahl-induziert epitaktisch rekristallisiert. + Die Amorphisierung bei den gegebenen Temperaturen muss also dem Vorhandensein von Kohlenstoff zuzgeschrieben werden, der die amorphe Phase stabilisiert. + Die Tatsache, dass die $SiC_x$ -Ausscheidungen in amorpher Form vorliegen, l"asst sich durch den Unterschied in der Gitterkonstante von kristallinen Silizium ($a=5,43 \textrm{\AA}$) und kubischen $3C-SiC$ ($a=4,36 \textrm{\AA}$) erkl"aren. + Auf Grund des Unterschiedes von fast $20\%$ in der Gitterkonstante, hat die Nukleation von kubischen Siliziumkarbid in kristallinen Silizium eine hohe Grenzfl"achenenrgie zur Folge, die in \cite{taylor} zu $2-8 \times 10^{-4} J cm^{-2}$ abgesch"atzt wird. + Es ist also energetisch g"unstiger, wenn eine der beiden Substanzen in amorpher Form vorliegt. + Mit zunehmender Dosis wird also eine S"attigungsgrenze von Kohlenstoff in kristallinen Silizium "uberschritten, was zur Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen f"uhrt. + Dieser, zur Amorphisierung beitragende Mechanismus, wird im Folgenden als kohlenstoffinduzierte Amorphisierung bezeichnet. +