From: hackbard Date: Sat, 13 Jun 2009 14:37:23 +0000 (+0200) Subject: seminar 2008 -> ueberblick X-Git-Url: https://hackdaworld.org/cgi-bin/gitweb.cgi?a=commitdiff_plain;h=495f1a261c65abaa244340ace95afc22b08db899;p=lectures%2Flatex.git seminar 2008 -> ueberblick --- diff --git a/posic/talks/ueberblick_0609.tex b/posic/talks/ueberblick_0609.tex new file mode 100644 index 0000000..0e1b2fe --- /dev/null +++ b/posic/talks/ueberblick_0609.tex @@ -0,0 +1,824 @@ +\pdfoutput=0 +\documentclass[landscape,semhelv]{seminar} + +\usepackage{verbatim} +\usepackage[greek,german]{babel} +\usepackage[latin1]{inputenc} +\usepackage[T1]{fontenc} +\usepackage{amsmath} +\usepackage{latexsym} +\usepackage{ae} + +\usepackage{calc} % Simple computations with LaTeX variables +\usepackage{caption} % Improved captions +\usepackage{fancybox} % To have several backgrounds + +\usepackage{fancyhdr} % Headers and footers definitions +\usepackage{fancyvrb} % Fancy verbatim environments +\usepackage{pstricks} % PSTricks with the standard color package + +\usepackage{pstricks} +\usepackage{pst-node} + +%\usepackage{epic} +%\usepackage{eepic} + +\usepackage{graphicx} +\graphicspath{{../img/}} + +\usepackage[setpagesize=false]{hyperref} + +\usepackage{semcolor} +\usepackage{semlayer} % Seminar overlays +\usepackage{slidesec} % Seminar sections and list of slides + +\input{seminar.bug} % Official bugs corrections +\input{seminar.bg2} % Unofficial bugs corrections + +\articlemag{1} + +\special{landscape} + +% font +%\usepackage{cmbright} +%\renewcommand{\familydefault}{\sfdefault} +%\usepackage{mathptmx} + +\usepackage{upgreek} + +\begin{document} + +\extraslideheight{10in} +\slideframe{none} + +\pagestyle{empty} + +% specify width and height +\slidewidth 27.7cm +\slideheight 19.1cm + +% shift it into visual area properly +\def\slideleftmargin{3.3cm} +\def\slidetopmargin{0.6cm} + +\newcommand{\ham}{\mathcal{H}} +\newcommand{\pot}{\mathcal{V}} +\newcommand{\foo}{\mathcal{U}} +\newcommand{\vir}{\mathcal{W}} + +% itemize level ii +\renewcommand\labelitemii{{\color{gray}$\bullet$}} + +% colors +\newrgbcolor{si-yellow}{.6 .6 0} +\newrgbcolor{hb}{0.75 0.77 0.89} +\newrgbcolor{lbb}{0.75 0.8 0.88} +\newrgbcolor{lachs}{1.0 .93 .81} + +% topic + +\begin{slide} +\begin{center} + + \vspace{16pt} + + {\LARGE\bf + Molekulardynamische Untersuchung\\ + zum SiC-Ausscheidungsvorgang + } + + \vspace{48pt} + + \textsc{F. Zirkelbach} + + \vspace{48pt} + + "Uberblick + + \vspace{08pt} + + Juni 2009 + +\end{center} +\end{slide} + +% start of contents + +\begin{slide} + + {\large\bf + Vergrabene epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen durch + Ionenstrahlsynthese + } + + {\small + + \begin{itemize} + \item Implantation 1: + 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), + $D=7.9 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$, + $T_{\text{i}}=500 \, ^{\circ} \text{C}$\\ + epitaktisch orientierte 3C-SiC Ausscheidungen + in kastenf"ormigen Bereich,\\ + eingeschlossen in a-Si:C + \item Implantation 2: + 180 keV C$^+\rightarrow$ FZ-Si(100), + $D=0.6 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$, + $T_{\text{i}}=250 \, ^{\circ} \text{C}$\\ + Zerst"orung einzelner SiC Ausscheidungen + in gr"o"ser werdenden amorphen Grenzschichten + \item Tempern: + $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=10\text{ h}$\\ + Homogene st"ochiometrische 3C-SiC Schicht mit + scharfen Grenzfl"achen + \end{itemize} + + \begin{minipage}{6.3cm} + \includegraphics[width=6.3cm]{ibs_3c-sic.eps} + \end{minipage} + \hspace*{0.2cm} + \begin{minipage}{6.5cm} + \vspace*{2.3cm} + {\scriptsize + Querschnitts-TEM-Aufnahme einer einkristallinen vergrabenen + 3C-SiC-Schicht.\\ + (a) Hellfeldaufnahme\\ + (b) 3C-SiC(111) Dunkelfeldaufnahme\\ + } + \end{minipage} + + \vspace{0.2cm} + + Entscheidende Parameter: Dosis und Implantationstemperatur + +} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + SiC-Ausscheidungsvorgang + } + + \vspace{8pt} + + {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:} + \begin{itemize} + \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\ + ${\color{si-yellow}\bullet}$ und ${\color{gray}\bullet}$ + $\leftarrow$ Si-Atome + \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\ + ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\ + ${\color{gray}\bullet} \leftarrow$ C-Atome + \end{itemize} + \vspace{8pt} + \begin{minipage}{8cm} + {\bf Gitterkonstanten:} + \[ + 4a_{\text{c-Si}}\approx5a_{\text{3C-SiC}} + \] + {\bf Siliziumdichten:} + \[ + \frac{n_{\text{3C-SiC}}}{n_{\text{c-Si}}}=97,66\,\% + \] + \end{minipage} + \begin{minipage}{5cm} + \includegraphics[width=5cm]{sic_unit_cell.eps} + \end{minipage} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + SiC-Ausscheidungsvorgang + } + + Hochaufl"osungs-TEM:\\[-0.5cm] + + \begin{minipage}{3.3cm} + \includegraphics[width=3.3cm]{tem_c-si-db.eps} + \end{minipage} + \begin{minipage}{9cm} + Bereich oberhalb des Implantationsmaximums\\ + Wolkenstruktur "uberlagert auf ungest"orten Si-Muster\\ + $\rightarrow$ C-Si Dumbbells + \end{minipage} + \begin{minipage}{3.3cm} + \includegraphics[width=3.3cm]{tem_3c-sic.eps} + \end{minipage} + \begin{minipage}{9cm} + Bereich um das Implantationsmaximum\\ + Moir\'e-Kontrast-Muster\\ + $\rightarrow$ inkoh"arente 3C-SiC-Ausscheidungen in c-Si-Matrix + \end{minipage} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + SiC-Ausscheidungsvorgang + } + + \small + + \vspace{6pt} + + Vermuteter 3C-SiC-Ausscheidungsvorgang in c-Si: + + \vspace{8pt} + + \begin{minipage}{3.8cm} + \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_01.eps} + \end{minipage} + \hspace{0.6cm} + \begin{minipage}{3.8cm} + \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_02.eps} + \end{minipage} + \hspace{0.6cm} + \begin{minipage}{3.8cm} + \includegraphics[width=3.7cm]{sic_prec_seq_03.eps} + \end{minipage} + + \vspace{8pt} + + \begin{minipage}{3.8cm} + Bildung von C-Si Dumbbells auf regul"aren c-Si Gitterpl"atzen + \end{minipage} + \hspace{0.6cm} + \begin{minipage}{3.8cm} + Anh"aufung hin zu gro"sen Clustern (Embryos)\\ + \end{minipage} + \hspace{0.6cm} + \begin{minipage}{3.8cm} + Ausscheidung von 3C-SiC + Erzeugung von Si-Zwischengitteratomen + \end{minipage} + + \vspace{12pt} + + Aus experimentellen Untersuchungen: + \begin{itemize} + \item kritischer Durchmesser einer Ausscheidung: 4 - 5 nm + \item gleiche Orientierung der c-Si and 3C-SiC (hkl)-Ebenen + \end{itemize} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Details der MD-Simulation + } + + \vspace{12pt} + \small + + {\bf MD-Grundlagen:} + \begin{itemize} + \item Mikroskopische Beschreibung eines N-Teilchensystems + \item Analytisches Wechselwirkungspotential + \item Numerische Integration der Newtonschen Bewegungsgleichung\\ + als Propagationsvorschrift im 6N-dimensionalen Phasenraum + \item Observablen sind die Zeit- und/oder Ensemblemittelwerte + \end{itemize} + {\bf Details der Simulation:} + \begin{itemize} + \item Integration: Velocity Verlet, Zeitschritt: $1\text{ fs}$ + \item Ensemble: NpT, isothermal-isobares Ensemble + \begin{itemize} + \item Berendsen Thermostat: + $\tau_{\text{T}}=100\text{ fs}$ + \item Berendsen Barostat:\\ + $\tau_{\text{P}}=100\text{ fs}$, + $\beta^{-1}=100\text{ GPa}$ + \end{itemize} + \item Potential: Tersoff-"ahnliches 'bond order' Potential + \vspace*{12pt} + \[ + E = \frac{1}{2} \sum_{i \neq j} \pot_{ij}, \quad + \pot_{ij} = f_C(r_{ij}) \left[ f_R(r_{ij}) + b_{ij} f_A(r_{ij}) \right] + \] + \end{itemize} + + \begin{picture}(0,0)(-230,-30) + \includegraphics[width=5cm]{tersoff_angle.eps} + \end{picture} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Zwischengitter-Konfigurationen + } + + \vspace{8pt} + + Simulationssequenz:\\ + + \vspace{8pt} + + \begin{pspicture}(0,0)(7,8) + \rput(3.5,7){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{ + \parbox{7cm}{ + \begin{itemize} + \item initiale Konfiguration:\\ + $9\times9\times9$ Einheitszellen c-Si + \item periodische Randbedingungen + \item $T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$ + \end{itemize} + }}}} +\rput(3.5,3.5){\rnode{insert}{\psframebox{ + \parbox{7cm}{ + Einf"ugen der C/Si Atome: + \begin{itemize} + \item $(0,0,0)$ $\rightarrow$ {\color{red}tetraedrisch} + (${\color{red}\triangleleft}$) + \item $(-1/8,-1/8,1/8)$ $\rightarrow$ {\color{green}hexagonal} + (${\color{green}\triangleright}$) + \item $(-1/8,-1/8,-1/4)$, $(-1/4,-1/4,-1/4)$\\ + $\rightarrow$ {\color{magenta}110 Dumbbell} + (${\color{magenta}\Box}$,$\circ$) + \item zuf"allige Position (Minimalabstand) + \end{itemize} + }}}} + \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{ + \parbox{3.5cm}{ + Relaxation ($>2$ ps) + }}}} + \ncline[]{->}{init}{insert} + \ncline[]{->}{insert}{cool} + \end{pspicture} + + \begin{picture}(0,0)(-210,-45) + \includegraphics[width=6cm]{unit_cell_s.eps} + \end{picture} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Zwischengitter-Konfigurationen + } + + \small + + \begin{minipage}[t]{4.3cm} + \underline{Tetraedrisch}\\ + $E_f=3.41$ eV\\ + \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_tetra_0.eps} + \end{minipage} + \begin{minipage}[t]{4.3cm} + \underline{110 Dumbbell}\\ + $E_f=4.39$ eV\\ + \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_dumbbell_0.eps} + \end{minipage} + \begin{minipage}[t]{4.3cm} + \underline{Hexagonal} \hspace{4pt} + \href{../video/si_self_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\ + $E_f^{\star}\approx4.48$ eV (nicht stabil!)\\ + \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_hexa_0.eps} + \end{minipage} + + \underline{zuf"allige Positionen} + + \begin{minipage}{4.3cm} + $E_f=3.97$ eV\\ + \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_397_0.eps} + \end{minipage} + \begin{minipage}{4.3cm} + $E_f=3.75$ eV\\ + \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_375_0.eps} + \end{minipage} + \begin{minipage}{4.3cm} + $E_f=3.56$ eV\\ + \includegraphics[width=3.8cm]{si_self_int_rand_356_0.eps} + \end{minipage} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Zwischengitter-Konfigurationen + } + + \small + + \begin{minipage}[t]{4.3cm} + \underline{Tetraedrisch}\\ + $E_f=2.67$ eV\\ + \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_tetra_0.eps} + \end{minipage} + \begin{minipage}[t]{4.3cm} + \underline{110 Dumbbell}\\ + $E_f=1.76$ eV\\ + \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_dumbbell_0.eps} + \end{minipage} + \begin{minipage}[t]{4.3cm} + \underline{Hexagonal} \hspace{4pt} + \href{../video/c_in_si_int_hexa.avi}{$\rhd$}\\ + $E_f^{\star}\approx5.6$ eV (nicht stabil!)\\ + \includegraphics[width=3.8cm]{c_in_si_int_hexa_0.eps} + \end{minipage} + + \underline{zuf"allige Positionen} + + \footnotesize + +\begin{minipage}[t]{3.3cm} + $E_f=0.47$ eV\\ + \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_001db_0.eps} + \begin{picture}(0,0)(-15,-3) + 100 Dumbbell + \end{picture} +\end{minipage} +\begin{minipage}[t]{3.3cm} + $E_f=1.62$ eV\\ + \includegraphics[width=3.2cm]{c_in_si_int_rand_162_0.eps} +\end{minipage} +\begin{minipage}[t]{3.3cm} + $E_f=2.39$ eV\\ + \includegraphics[width=3.1cm]{c_in_si_int_rand_239_0.eps} +\end{minipage} +\begin{minipage}[t]{3.0cm} + $E_f=3.41$ eV\\ + \includegraphics[width=3.3cm]{c_in_si_int_rand_341_0.eps} +\end{minipage} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Zwischengitter-Konfigurationen + } + + Das 100 Dumbbell + + \vspace{8pt} + + \small + + \begin{minipage}{5.5cm} + \begin{itemize} + \item $E_f=0.47$ eV + \item sehr h"aufig beobachtet + \item energetisch g"unstigste\\ Konfiguration + \item experimentelle und theoretische Hinweise + f"ur die Existenz dieser Konfiguration + \end{itemize} + \includegraphics[width=5.6cm]{c_in_si_100.ps} + \end{minipage} + \begin{minipage}{7cm} + \includegraphics[width=8cm]{100-c-si-db_s.eps} + \end{minipage} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + \small + + \vspace{8pt} + + Simulationssequenz:\\ + + \vspace{8pt} + + \begin{pspicture}(0,0)(12,8) + % nodes + \rput(3.5,7.0){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{ + \parbox{7cm}{ + \begin{itemize} + \item initiale Konfiguration:\\ + $31\times31\times31$ c-Si Einheitszellen + \item periodsche Randbedingungen + \item $T=450\, ^{\circ}\text{C}$, $p=0\text{ bar}$ + \item "Aquilibrierung von $E_{\text{kin}}$ and $E_{\text{pot}}$ + \end{itemize} + }}}} + \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{ + \parbox{7cm}{ + Einf"ugen von 6000 C-Atomen\\ + bei konstanter Temperatur + \begin{itemize} + \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}} + \item Volumen einer minimalen SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}} + \item Bereich der ben"otigten Si-Atome {\pnode{in3}} + \end{itemize} + }}}} + \rput(3.5,1){\rnode{cool}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lbb]{ + \parbox{5.0cm}{ + Nach 100 ps abk"uhlen auf $20\, ^{\circ}\textrm{C}$ + }}}} + \ncline[]{->}{init}{insert} + \ncline[]{->}{insert}{cool} + \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8) + \rput(7.8,7.6){\footnotesize $V_1$} + \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3) + \rput(9.2,6.15){\tiny $V_2$} + \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05) + \rput(9.55,5.85){\footnotesize $V_3$} + \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}} + \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}} + \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}} + \ncline[]{->}{in1}{ins1} + \ncline[]{->}{in2}{ins2} + \ncline[]{->}{in3}{ins3} + \end{pspicture} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps} + \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps} + + \vspace{-0.1cm} + + \footnotesize + \underline{C-C, 0.15 nm}:\\ + NN-Abstand in Graphit/Diamant\\ + $\Rightarrow$ starke C-C Bindungen bei hohen Konz.\\ + \underline{Si-C, 0.19 nm}:\\ + NN-Abstand in 3C-SiC\\ + \underline{C-C, 0.31 nm}:\\ + C-C Abstand in 3C-SiC\\ + verkettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\ + \underline{Si-Si, $\sim$ 0.31 nm}:\\ + g(r) erh"oht, Si-Si in 3C-SiC\\ + Intervall entspricht C-C Peakbreite\\ + Abfall bei regul"aren Abst"anden + + \begin{picture}(0,0)(-175,-40) + \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_02.eps} + \end{picture} + \begin{picture}(0,0)(-278,-10) + \includegraphics[width=4.0cm]{conc_100_c-si-db_01.eps} + \end{picture} + + \end{slide} + + \begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps} + \includegraphics[width=6.3cm]{c_in_si_100.ps} + + \footnotesize + + \underline{Niedrige C-Konzentration ($V_1$)}: + 100 Dumbbell-Konfiguration\\ + dehnt Si-Si NN-Abstand auf 0.3 nm\\ + Beitrag zum Si-C Peak bei 0.19 nm\\ + erkl"art weitere Si-C Peaks (gestrichelte Linien)\\ + $\Rightarrow$ C-Atome als erstes im erwarteten 3C-SiC-Abstand\\ + \underline{Hohe C-Konzentration ($V_2$ und $V_3$)}:\\ + Gro"se Anzahl an Defekten/Sch"adigung erzeugt\\ + Fast nur kurzreichweitige Ordnung erkennbar\\ + $\Rightarrow$ Bildung einer amorphen SiC-"ahnlichen Phase\\ + $\Rightarrow$ T$\uparrow$ oder t$\uparrow$ f"ur Bildung von 3C-SiC + + \begin{picture}(0,0)(-230,-15) + \includegraphics[width=5cm]{a-sic_pc.eps} + \end{picture} + \begin{picture}(0,0)(-240,-5) + \begin{minipage}{5cm} + {\scriptsize + PRB 66, 024106 (2002)\\[-4pt] + F. Gao und W. J. Weber + } + \end{minipage} + \end{picture} + +\end{slide} + + \begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + \footnotesize + + Zusammenfassung und Problemstellung: + \begin{itemize} + \item keine 3C-SiC-Ausscheidungen + \item C-Konzentration niedrig: + \begin{itemize} + \item 100 Dumbbell gepr"agte Struktur\\ + (entspricht Vermutungen aus IBS Untersuchungen) + \item keine Anh"aufung zu Embryos + \end{itemize} + \item C-Konzentration hoch: + \begin{itemize} + \item Ausbildung von C-C Bindungen + (IBS: C-"Uberdosis behindert C-Umverteilung) + \item amorphes SiC + (C-induzierte Amorphisierung ab einem T-abh"angigen + Wert der Dosis) + \end{itemize} + \end{itemize} + \vspace{0.2cm} + {\color{blue} Ziel:} + \underline{ + Bedingungen finden unter denen 3C-SiC-Ausscheidung stattfindet}\\[0.3cm] + Ans"atze:\\[0.2cm] + \begin{minipage}{7.5cm} + \begin{itemize} + \item H"ohere Temperaturen + \begin{itemize} + \item Temperaturen im Implantationsbereich h"oher + \item H"ohere T statt l"angerer Simulationszeit\\ + Arrhenius-Gesetz $\rightarrow$ "Ubergangszeiten + \end{itemize} + \item Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs + \begin{itemize} + \item minimaler Abstand + \item Zeitpunkt, Geschwindigkeit (Dosisrate) + \end{itemize} + \end{itemize} + \end{minipage} + \begin{minipage}{5.1cm} + \begin{itemize} + \item Modifikation der\\ + Kraft/Potentialberechnung + \begin{itemize} + \item C-C cut-off erh"ohen + \item Beitrag aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ zur Kraft + weglassen + \\\\ + \end{itemize} + \end{itemize} + \end{minipage} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + H"ohere Temperaturen - $V_1$-Simulationen\\ + \includegraphics[width=6.3cm]{tot_ba.ps} + \includegraphics[width=6.3cm]{tot_pc.ps} + \small + \begin{minipage}{6.5cm} + \[ + \text{\scriptsize Quality} + = \frac{\textrm{\scriptsize Anzahl C mit 4 Bindungen zu Si}} + {\textrm{\scriptsize Gesamtanzahl C}} + \] + \\ + \underline{Si-C PCF}:\\ + cut-off Artefakt nimmt ab mit T $\uparrow$\\ + $2050 \, ^{\circ}\text{C}$ Si-C Peaks + $\rightarrow \text{C}_{\text{S}}$-Si Bindungen\\[0.2cm] + {\color{red} Problem: L"oslichkeit durch hohe T erh"oht} + \end{minipage} + + \begin{picture}(0,0)(-175,-2) + \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_01.eps} + \end{picture} + \begin{picture}(0,0)(-278,16) + \includegraphics[width=4.0cm]{cs-si_02.eps} + \end{picture} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + H"ohere Temperaturen - $V_2$-Simulationen\\ + \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc.ps} + \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba.ps} + \includegraphics[width=6.2cm]{12_pc_c-c.ps} + \includegraphics[width=6.2cm]{12_ba_noa.ps} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + H"ohere Temperaturen - Neuer Temperaturfahrplan\\[0.3cm] + \begin{itemize} + \item Einf"ugen der C-Atome bei $1650 \, ^{\circ} \text{C}$ + \item Aufw"armen auf $2650 \, ^{\circ} \text{C}$ + \item Temperatur f"ur 100 ps halten + \item Abk"uhlen auf $20 \, ^{\circ} \text{C}$ + \end{itemize} + \vspace{0.2cm} + \includegraphics[width=6.3cm]{12_anneal_amod.ps} + \includegraphics[width=6.3cm]{12_amod_anneal.ps} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs + + \scriptsize + + \begin{minipage}{6.3cm} + \begin{center} + Kritischer Abstand 0.15 nm $\rightarrow$ 0.05 nm\\ + \end{center} + \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr.ps} + \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr_ba.ps} + \end{minipage} + \begin{minipage}{6.3cm} + \begin{center} + Dosisrate: C auf einmal hinzugef"ugt\\ + \end{center} + \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps} + \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps} + \end{minipage} + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } + + Modifikation der Kraft/Potentialberechnung + + \underline{Erh"ohter C-C cut-off} + \begin{center} + \includegraphics[width=6.5cm]{12_pc_c-c_amod.ps} + \end{center} + + \underline{Beitrag zur Kraft aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ weglassen} + \begin{itemize} + \item System nicht mehr konservativ + \item Energie steigt trotz 'starker' T-Kontrolle + \end{itemize} + $\Rightarrow$ nicht geeignet f"ur Simulationen mit endlicher/hoher Temperatur + +\end{slide} + +\begin{slide} + + {\large\bf + SiC-Ausscheidungen in Si + } + + \begin{itemize} + \item $10\times10\times10$ Einheitszellen 3C-SiC + \item Zwei $8\times8\times8$ Einheitszellen Si unter- und oberhalb + \item "Aquilibrierung f"ur 2 ps + \item Einschalten der $T$- und $p$-Kontrolle + ($T=0\text{ K}$, $p=0\text{ bar}$) + \end{itemize} + + \vspace*{0.1cm} + + Relaxation: \href{../video/sd_sic_in_si_01.avi}{$\rhd$}\\ + Spannungen: \href{../video/sd_sic_in_si_01_strain.avi}{$\rhd$} + + \vspace*{0.2cm} + + \begin{minipage}{5cm} + Initial Konfiguration\\ + \includegraphics[width=6cm]{sd_sic_in_si_strain_01.eps} + \end{minipage} + \begin{minipage}{1cm} + $\rightarrow$\\ + \end{minipage} + \begin{minipage}{6cm} + Relaxierte Konfiguration\\ + \includegraphics[width=6.4cm]{sd_sic_in_si_strain_02.eps} + \end{minipage} + + +\end{slide} + +\end{document} +