From: hackbard <hackbard@sage.physik.uni-augsburg.de>
Date: Thu, 20 Nov 2008 13:47:37 +0000 (+0100)
Subject: typos 2
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typos 2
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diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex
index 7ffada1..c9cbfb3 100644
--- a/posic/talks/seminar_2008.tex
+++ b/posic/talks/seminar_2008.tex
@@ -370,7 +370,7 @@
  \includegraphics[width=3.3cm]{tem_3c-sic.eps}
  \end{minipage}
  \begin{minipage}{9cm}
-  Bereich ums Implantationsmaximum\\
+  Bereich um das Implantationsmaximum\\
   Moir\'e-Kontrast-Muster\\
   $\rightarrow$ inkoh"arente 3C-SiC-Ausscheidungen in c-Si-Matrix
  \end{minipage}
@@ -717,7 +717,7 @@
  NN-Abstand in 3C-SiC\\
  \underline{C-C, 0.31 nm}:\\
  C-C Abstand in 3C-SiC\\
- vekettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
+ verkettete, verschieden orientierte 100 C-Si DBs\\
  \underline{Si-Si, $\sim$ 0.31 nm}:\\
  g(r) erh"oht, Si-Si in 3C-SiC\\
  Intervall entspricht C-C Peakbreite\\
@@ -915,7 +915,7 @@
  \end{minipage}
  \begin{minipage}{6.3cm}
  \begin{center}
- Dosirate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
+ Dosisrate: C auf einmal hinzugef"ugt\\
  \end{center}
  \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps}
  \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps}