From: hackbard <hackbard>
Date: Thu, 8 Sep 2005 13:55:12 +0000 (+0000)
Subject: minr changes
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minr changes
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diff --git a/nlsop/diplom/grundlagen.tex b/nlsop/diplom/grundlagen.tex
index efc93fd..5855b5c 100644
--- a/nlsop/diplom/grundlagen.tex
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@@ -430,9 +430,6 @@
     So entstehen Leerstellen und Zwischengitteratome, sogenannte Frenkeldefekte, und komplexere Gitterdefekte, sogenannte Cluster.
     Mit steigender Dosis beginnen gest"orte Gebiete zu "uberlappen was zu einer Ausbildung einer amorphen Schicht f"uhren kann.
     Die Anzahl und Verteilung der Strahlensch"aden h"angt dabei von Temperatur, Energie und Masse der implantierten Ionen sowie der Masse der Targetatome ab.
-    Ein Ma"s f"ur die Konzentration der Strahlensch"adigung ist der Energieanteil, der in Form von Kernwechelswirkung an den Festk"orper abgegeben wurde \cite{brice1,brice2}.
-    Dieser ist proportional zu den erzeugten Leerstellen und komplexeren Defekten im Target \cite{stein_vook_borders}.
-
     Die in einem prim"aren Sto"s verlagerten Atome, durch ein Ion der Energie $E$, kann nach Kinchin Pease \cite{kinchin_pease} zu
     \begin{equation}
     N_{p,d} = \frac{E}{E_d}
@@ -442,6 +439,8 @@
     Gleichzeitig heilen Defekte aus, indem verlagerte Gitteratome an ihren Gitterplatz zur"uckkehren.
     Bei der thermischen Defektausheilung wird dies durch die thermisch erh"ohte Mobilit"at der Defekte erm"oglicht.
     Andererseits kann der Ionenstrahl selbst zur Defektausheilung beitragen.
-    Dieser kann an amorph-kristallinen Grenzfl"achen Rekristallisation beg"unstigen oder auch zur Bildung von Kristallisationskeimen in amorphen Gebieten f"uhren.
+    Dieser kann an amorph-kristallinen Grenzfl"achen Rekristallisation beg"unstigen \cite{jackson} oder auch zur Bildung von Kristallisationskeimen in amorphen Gebieten f"uhren \cite{spinella}.
+    Man spricht von Ionenstrahl-induzierter Defektausheilung beziehungsweise Rekristallisation (IBIC, kurz f"ur: Ion Beam Induced Crystallization).
 
+    Im Folgenden 
 
diff --git a/nlsop/diplom/literatur.tex b/nlsop/diplom/literatur.tex
index cce9ce8..97cde4a 100644
--- a/nlsop/diplom/literatur.tex
+++ b/nlsop/diplom/literatur.tex
@@ -20,10 +20,9 @@
   \bibitem{lss} J. Lindhard, M. Scharff. Phys. Rev. 124 (1961) 128.
   \bibitem{bethe_bloch} F. Bloch. Ann. der Physik, 16 (1933) 287.
   \bibitem{lss_2} J. Lindhard, M. Scharff, H. E. Schiott. Kgl. Danske. Videnskab. Selskab., Mat.-Fys. Medd. 33 (1963) Nr. 14.
-  \bibitem{brice1} D. K. Brice. Appl. Phys. Lett. 16 (1970) 103.
-  \bibitem{brice2} D. K. Brice. Ion Implantation Range and Energy Deposition Distribution. IFI Plenum, New York 1975.
-  \bibitem{stein_vook_borders} H. J. Stein, F. L. Vook, J. A. Borders. Appl. Phys. Lett. 16 (1970) 106.
   \bibitem{kinchin_pease} G. H. Kinchin, R. S. Pease. Rep. Progr. Phys. 18 (1955) 1.
+  \bibitem{jackson} K. A. Jackson. J. Mater. Res. 3 (1988) 1218.
+  \bibitem{spinella} C. Spinella, F. Priolo, R. A. Puglisi, S. Lombardo, S. U. Campisano. Nucl. Instr. and Meth. B 120 (1996) 198.
   \bibitem{biersack_haggmark} J. P. Biersack, L. Haggmark. Nucl. Instr. and Meth. B 174 (1980) 257
   \bibitem{lindner_appl_phys} J. K. N. Lindner. Appl. Phys. A 77 (2003) 27.
   \bibitem{linnross} J. Linnross, R. G. Elliman, W. L. Brown. J. Matter. Res. 3 (1988) 1208.