From: hackbard Date: Sat, 15 Nov 2008 00:28:11 +0000 (+0100) Subject: security checkin .. .getting tired X-Git-Url: https://hackdaworld.org/cgi-bin/gitweb.cgi?a=commitdiff_plain;h=a63663eef597c796faf6a3882166a5d66ce4e6f3;p=lectures%2Flatex.git security checkin .. .getting tired --- diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex index b684a8c..2d2218e 100644 --- a/posic/talks/seminar_2008.tex +++ b/posic/talks/seminar_2008.tex @@ -97,7 +97,7 @@ \vspace{08pt} - 13. November 2008 + 20. November 2008 \end{center} \end{slide} @@ -142,6 +142,7 @@ \item hohe mechanische Stabilit"at \item gute Ladungstr"agermobilit"at \item sp"ate S"attigung der Elektronen-Driftgeschwindigkeit + \item hohe Durchbruchfeldst"arke \item chemisch inerte Substanz \item hohe thermische Leitf"ahigkeit und Stabilit"at \item geringer Neutroneneinfangquerschnitt @@ -170,6 +171,56 @@ \end{slide} +\begin{slide} + + {\large\bf + Motivation + } + + \vspace{4pt} + + SiC - \emph{Born from the stars, perfected on earth.} + + \vspace{4pt} + + Herstellung d"unner SiC-Filme: + \begin{itemize} + \item modifizierter Lely-Prozess + \begin{itemize} + \item Impfkristall mit $T=2200 \, ^{\circ} \text{C}$ + \item umgeben von polykristallinen SiC mit + $T=2400 \, ^{\circ} \text{C}$ + \end{itemize} + \item CVD Homoepitaxie + \begin{itemize} + \item 'step controlled epitaxy' auf 6H-SiC-Substrat + \item C$_3$H$_8$/SiH$_4$/H$_2$ bei $1500 \, ^{\circ} \text{C}$ + \item Winkel $\rightarrow$ 3C/6H/4H-SiC + \item hohe Qualit"at aber limitiert durch\\ + Substratgr"o"se + \end{itemize} + \item CVD/MBE Heteroepitaxie von 3C-SiC auf Si + \begin{itemize} + \item 2 Schritte: Karbonisierung und Wachstum + \item $T=650-1050 \, ^{\circ} \text{C}$ + \item Qualit"at/Gr"o"se noch nicht ausreichend + \end{itemize} + \end{itemize} + + \begin{picture}(0,0)(-245,-50) + \includegraphics[width=5cm]{6h-sic_3c-sic.eps} + \end{picture} + \begin{picture}(0,0)(-240,-35) + \begin{minipage}{5cm} + {\scriptsize + NASA: 6H-SiC LED und 3C-SiC LED\\[-6pt] + nebeneinander auf 6H-SiC-Substrat + } + \end{minipage} + \end{picture} + +\end{slide} + \begin{slide} {\large\bf @@ -182,25 +233,27 @@ 6H-SiC (\foreignlanguage{greek}{a}-SiC) \begin{itemize} \item h"ohere Ladungstr"agerbeweglichkeit in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC - \item Micropipes (Offene Kerne von Schraubenversetzungen) in c-Richtung + \item h"ohere Durchbruchfeldst"arke in \foreignlanguage{greek}{b}-SiC + \item Micropipes (makroskopischer Bereich an Fehlstellen bis hin zur + Oberfl"ache) entlang c-Richtung bei \foreignlanguage{greek}{a}-SiC - \item Herstellung gro"sfl"achiger einkristalliner 3C-SiC Filme - im Anfangsstudium + \item gro"sfl"achige epitaktische \foreignlanguage{greek}{a}-SiC-Herstellung + sehr viel weiter fortgeschritten verglichen mit der von 3C-SiC \end{itemize} \vspace{16pt} + {\color{blue} \begin{center} - {\color{red} Genaues Verst"andnis des 3C-SiC-Ausscheidungsvorganges\\ - } $\Downarrow$\\ - signifikanter technologischen Fortschritt in 3C-SiC D"unnschichtherstellung + Grundlage f"ur technologischen Fortschritt in 3C-SiC-D"unnschichtherstellung \end{center} + } \vspace{16pt} - Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in + Grundlage zur Vermeidung von SiC-Ausscheidungen in $\text{Si}_{\text{1-y}}\text{C}_{\text{y}}$ Legierungen \begin{itemize} @@ -213,12 +266,18 @@ \begin{slide} {\large\bf - Motivation bzw. SiC-Ausscheidungsvorgang + Motivation } - \vspace{64pt} + Die Alternative: Ionenstrahlsynthese - Noch was zur Herstellung rein ... + \begin{itemize} + \item Implantation: + 180 keV C$^+\rightarrow$ Si, $D=8.5 \times 10^{17}$ cm$^{-2}$, + $T_{\text{i}}=450 \, ^{\circ} \text{C}$ + \item Temperschritt: + $T=1250 \, ^{\circ} \text{C}$, $t=??\text{ h}$ + \end{itemize} \end{slide} @@ -233,7 +292,7 @@ {\bf Kristallstruktur und Einheitszelle:} \begin{itemize} \item kristallines Silizium (c-Si): Diamantstruktur\\ - ${\color{si-yellow}\bullet}$, ${\color{gray}\bullet}$ + ${\color{si-yellow}\bullet}$ und ${\color{gray}\bullet}$ $\leftarrow$ Si-Atome \item kubisches SiC (3C-SiC): Zinkblende-Struktur\\ ${\color{si-yellow}\bullet} \leftarrow$ Si-Atome\\ @@ -553,7 +612,7 @@ \begin{pspicture}(0,0)(12,8) % nodes - \rput(3.5,6.5){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{ + \rput(3.5,7.0){\rnode{init}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=hb]{ \parbox{7cm}{ \begin{itemize} \item initiale Konfiguration:\\ @@ -565,7 +624,8 @@ }}}} \rput(3.5,3.2){\rnode{insert}{\psframebox[fillstyle=solid,fillcolor=lachs]{ \parbox{7cm}{ - Einf"ugen von 6000 C-Atomen bei konstanter Temperatur\\ + Einf"ugen von 6000 C-Atomen\\ + bei konstanter Temperatur \begin{itemize} \item gesamte Simulationsvolumen {\pnode{in1}} \item Volumen einer minimal SiC-Ausscheidung {\pnode{in2}} @@ -581,9 +641,9 @@ \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=white](7.5,1.8)(13.5,7.8) \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=lightgray](9,3.3)(12,6.3) \psframe[fillstyle=solid,fillcolor=gray](9.25,3.55)(11.75,6.05) - \rput(7.9,4.8){\pnode{ins1}} - \rput(9.22,4.4){\pnode{ins2}} - \rput(10.5,4.8){\pnode{ins3}} + \rput(7.9,4.2){\pnode{ins1}} + \rput(9.22,3.5){\pnode{ins2}} + \rput(11.0,3.8){\pnode{ins3}} \ncline[]{->}{in1}{ins1} \ncline[]{->}{in2}{ins2} \ncline[]{->}{in3}{ins3} @@ -596,9 +656,8 @@ \begin{slide} {\large\bf - Results - } - SiC precipitation runs - + Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + } \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-c_c-c.eps} \includegraphics[width=6.3cm]{pc_si-si.eps}