From: hackbard <hackbard>
Date: Fri, 23 Sep 2005 16:34:53 +0000 (+0000)
Subject: more updates
X-Git-Url: https://hackdaworld.org/cgi-bin/gitweb.cgi?a=commitdiff_plain;h=a90babd516d3dbf9cb8f0814af9ac29728faf064;p=lectures%2Flatex.git

more updates
---

diff --git a/nlsop/diplom/modell.tex b/nlsop/diplom/modell.tex
index f952eb6..e3baeca 100644
--- a/nlsop/diplom/modell.tex
+++ b/nlsop/diplom/modell.tex
@@ -47,9 +47,9 @@
   Die amorphen Gebiete dienen als Senke f"ur Kohlenstoff, der von der kristallinen Umgebung in die amorphe Ausscheidung diffundieren kann, um so die "Ubers"attigung mit Kohelnstoff in den kristallinen Gebieten zu reduzieren.
   Die L"oslichkeit von Kohlenstoff in kristallinen Silizium ($c-Si$) bei Raumtemperatur ist nahezu Null \cite{bean}.
   Die amorphen Gebiete reichern sich mit Kohlenstoff an und erh"ohen wiederum die lateralen Spannungen auf die Umgebung.
-  Da in experimentellen Ergebnissen von Implantationen bei weitaus h"oheren Temperaturen \cite{reiber,goetz}, bei denen sich keine amorphe Phase bildet, keine Verbreiterung des Kohlenstoffprofils durch Diffusion beobachtet wird, wird Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete ausgeschlossen. 
-  
   Mit zunehmender Dosis bilden sich so durchgehende kohlenstoffreiche amorphe Lamellen.
-  Wegen der Diffusion von Kohlenstoff von den oberhalb und unterhalb dieser Lamellen liegenden Gebieten, rekristallisiert dort zuf"allig amorphisiertes (im Folgenden ballistische Amorphisierung genannt) $a-Si$ mit sehr gro"ser Wahrscheinlichkeit.
+  Der Kohlenstoff diffundiert von den kristallinen in angrenzende amorphe Gebiete.
+  Kristalline Gebiete, die auf diese Weise Kohlenstoff an ihre amorphe Nachbarschaft abgegeben haben, werden bei fortgesetzter Bestrahlung mit geringerer Wahrscheinlichkeit amorphisiert.
   So entstehen abwechselnd amorphe und kristalline Lamellen.
+  Da in experimentellen Ergebnissen von Implantationen bei weitaus h"oheren Temperaturen \cite{reiber,goetz}, bei denen sich keine amorphe Phase bildet, keine Verbreiterung des Kohlenstoffprofils durch Diffusion beobachtet wird, wird Diffusion innerhalb kristalliner Gebiete ausgeschlossen. 
 
diff --git a/nlsop/diplom/simulation.tex b/nlsop/diplom/simulation.tex
index e62347c..b3695b8 100644
--- a/nlsop/diplom/simulation.tex
+++ b/nlsop/diplom/simulation.tex
@@ -3,20 +3,18 @@
 
   Im Folgenden soll die Implementation der Monte-Carlo-Simulation nach dem vorangegangen Modell diskutiert werden.
   Die Simulation tr"agt den Namen \linebreak[4] {\em NLSOP}, was f"ur die Schlagw"orter {\bf N}ano, {\bf L}amellar und {\bf S}elbst{\bf O}ragnisations-{\bf P}rozess steht.
-  Ziel der Simulation ist die Verifizierung des Modells anhand der experimentellen Ergebnisse, die in Abbildung \ref{img:xtem_img} vorliegen.
-  Die genauen Daten sind:
-  \begin{itemize}
-    \item Energie: $E=180 keV$
-    \item Dosis: $D = 4,3 \times 10^{17} cm^{-2}$
-    \item Temperatur: $T = 150 ^{\circ} \mathrm{C}$
-    \item Implantationswinkel: $\alpha = 7 ^{\circ}$
-    \item Ion/Target Kombination: $C^+ \rightarrow Si (100)$
-  \end{itemize}
-  Anzumerken ist, dass es zwei Versionen der Simulation gibt, die unterschiedliche Tiefenbereiche abdecken.
-  Diese unterscheiden sich in einigen Punkten, was den Simualtionsalgorithmus betrifft.
-  Darauf wird in einem gesonderten Abschnitt genauer eingegangen.
-  Der Simulationsalgorithmus wird erkl"art und die dazu ben"otigten Annahmen und Informationen aus {\em TRIM}-Ergebnissen werden besprochen.
-  Das Kapitel schlie"st mit dem Test der verwendeten Zufallszahlen und dem Ablaufschema der Simulation.
+  Ziel der Simulation ist die Validierung des Modells anhand der experimentellen Ergebnisse, wie sie in Abbildung \ref{img:xtem_img} vorliegen.
+
+  Es wurden zwei Versionen der Simulation erstellt, die unterschiedliche Tiefenbereiche abdecken.
+  Die erste Version beschreibt den Bereich von der Oberfl"ache des Targets bis zum Beginn der durchgehenden amorphen $SiC_x$-Schicht, also den Tiefenbereich von $0$ bis $300 nm$.
+  Nachdem eine Beschreibung der Bildung lamellarer amorpher Ausscheidungen mit dieser Version sehr gut funktioniert hat, wurde eine zweite Version entwickelt, die den gesamten Implantationsbereich betrachtet.
+  Auf weitere Unterschiede in den zwei Versionen wird in einem gesonderten Abschnitt genauer eingegangen.
+
+  Der grobe Ablauf der Simulation ist wie folgt.
+
+  Im Folgenden werden der Simulationsalgorithmus und die dazu ben"otigten Annahmen besprochen.
+  Ein weiterer Abschnitt besch"aftigt sich mit der Extraktion von, f"ur die Simulation notwendigen Informationen aus {\em TRIM}-Ergebnissen.
+  Das Kapitel schlie"st mit dem Test der verwendeten Zufallszahlen.
 
   \section{Annahmen der Simulation}