From: hackbard <hackbard>
Date: Mon, 18 Jul 2005 02:07:50 +0000 (+0000)
Subject: more ergebnisse + danksagung
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more ergebnisse + danksagung
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index aa9014f..3826442 100644
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@@ -1,2 +1,18 @@
 \chapter*{Danksagung}
 \addcontentsline{toc}{chapter}{Danksagung}
+
+Hiermit m"oche ich mich bei allen bedanken, die in irgend einer Form zum Gelingen dieser Diplomarbeit beigetragen haben.
+Insbesondere gilt meinem Dank
+
+\begin{itemize}
+  \item \emph{Herrn Prof. Dr. Bernd Stritzker} f"ur die M"oglichkeit diese Arbeit an seinem Lehrstuhl durchf"uhren zu k"onnen,
+  \item \emph{Herrn Priv.-Doz. Dr. habil. Volker Eyert} f"ur die Bereitschaft sich dieser Arbeit als Zweitkorrektor anzunehmen,
+  \item \emph{Herrn Priv.-Doz. Dr. habil. J"org K. N. Lindner} f"ur die Vergabe des interessanten Themas, die engagierte Betreuung und Unterst"utzung, sowie die Durchsicht dieses Skripts,
+  \item \emph{Herrn Dipl.-Phys. Maik H"aberlen} f"u die Betreuung und vorallem den Ansto"s zu diesem Thema, und
+  \item \emph{Herrn Dipl.-Phys. Ralf Utermann f"ur einen tempor"aren Zugang zum Rechencluster des Physik Instituts.}
+
+Allen weiteren Mitarbeitern des Lehrstuhls, insbesondere dem Diplomandenzimmer danke ich recht herzlich f"ur die freundschaftliche Arbeitsatmosph"are.
+
+Ein ganz besonderer Dank gilt meinen Eltern Wilfriede und Karl ohne deren Unterst"utzung das Studium nicht m"oglich gewesen w"are.
+  
+\end{itemize}
diff --git a/nlsop/diplom/ergebnisse.tex b/nlsop/diplom/ergebnisse.tex
index a831d01..989c976 100644
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@@ -373,12 +373,19 @@ Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich dis
 
     EDIT: einfluss diffusion -> lamellarisierung
 
-    \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch zweiten Implantationsschritt}
+    \subsection{Herstellung grosser Bereiche lamellarer Strukturen durch einen zweiten Implantationsschritt}
 
     Im Folgenden soll ein Mechanismus zur Erzeugung grosser lamellarer Bereiche durch einen zweiten Implantationsschritt vorhergesagt werden.
+
     Als Grundlage dient ein Silizium Target, dass wie bisher mit $180 keV$ $C^{+}$ beschossen wird.
     Ein entsprechendes Implantationsprofil stellt sich ein.
     Allerdings soll das Target durchgehend kristallin sein.
     Dies l"asst sich experimentell durch Erh"ohung der Targettemeperatur erreichen.
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+	
+    Das kristalline Target wird dann mit $10 MeV$ $C^{+}$ bei der gewohnten Implantationstemperatur von $150 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ implantiert.
+    Abbildung \ref{img:nel_impl_1mev} zeigt das durch {/em TRIM} ermittelte nukleare Bremskraft- und Implantationsprofil.
+    Auf Grund der hohen Energie wird kaum noch Kohlenstoff in den bisher relevanten Tiefenbereich zur Ruhe kommen.
+    Des weiteren ist in diesen Bereich die nukleare Bremskraft, und damit die Wahrscheinlichkeit eines Sto"ses,  ann"ahernd konstant.
+    Man erwartet schnelle Amoprhisierung auf Grund des bereits existierenden Kohlenstoffs durch die erste Implantation.
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