From: hackbard Date: Sun, 25 May 2003 21:55:01 +0000 (+0000) Subject: some fixes X-Git-Url: https://hackdaworld.org/cgi-bin/gitweb.cgi?a=commitdiff_plain;h=e3bfd93c2459f11eb527c13217f6547658945bbc;p=lectures%2Flatex.git some fixes --- diff --git a/nlsop/nlsop.tex b/nlsop/nlsop.tex index bd2b9c6..68ff6a6 100644 --- a/nlsop/nlsop.tex +++ b/nlsop/nlsop.tex @@ -74,7 +74,7 @@ Wegen der Unabh"angigkeit gilt: Mittlere Reichweite $R$: \[ R = \frac{1}{N} \int_0^{E_0} \frac{\partial E}{S_e(E) +S_n(E)} \qquad \textrm{, mit} \, E_0 \equiv \textrm{Anfangsenergie} -\}} +\] \end{slide} \begin{slide} @@ -112,12 +112,12 @@ wobei: T_n & \equiv \textrm{Energie"ubertrag beim Sto"s} \\ p & \equiv \textrm{Sto"sparameter} \\ \theta & \equiv \textrm{Streuwinkel im Schwerpunktsystem} \\ - M_1, Z_1, E & \equiv textrm{Masse, Ladung, Energie des Ions} + M_1, Z_1, E & \equiv \textrm{Masse, Ladung, Energie des Ions} \end{array} \] Integration "uber alle alle m"oglichen Energien $T_n$, gewichtet mit deren Wahrscheinlichkeit liefert Bremsquerschnitt $S_n$: \[ - S_n(E) = \int_0^\infty T_n(E,p) 2 \pi \partial p = \int_0^{T_{max} T \partial \sigma(E,T_n) + S_n(E) = \int_0^\infty T_n(E,p) 2 \pi \partial p = \int_0^{T_{max}} T \partial \sigma(E,T_n) \] Festlegung von $\theta$ abh"angig von Potential $V(r)$. Wahl: \[ @@ -142,11 +142,11 @@ mit: D & \equiv \textrm{Dosis} \\ \Delta R_p & \equiv \textrm{Standardabweichung der projezierten Reichweite} \, R_p \end{array} +\] (Lindhard, Scharff, Schiott)\\ \end{slide} \begin{slide} -\\ Ionisationsprofil aus Monte-Carlo-Simulation (TRIM): \\ bild von maik requesten... @@ -191,7 +191,7 @@ Wie entstehen die geordneten amorphen Ausscheidungen: \begin{itemize} \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph - \item $SiC$-Dichte im amorphen um $20-30%$ geringer als im kristallinen Zustand $\rightarrow$ Ausdehnung, Druckspannung auf Umgebung $\rightarrow$ Erschweren "Wiedereinbau" verlagerter Atome + \item $SiC$-Dichte im amorphen um $20-30$ Prozent geringer als im kristallinen Zustand $\rightarrow$ Ausdehnung, Druckspannung auf Umgebung $\rightarrow$ Erschweren "Wiedereinbau" verlagerter Atome \item Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung \item Verringerung der Kohlenstoff"ubers"attigung durch Diffusion von Kohlenstoff aus Kristallinem ins Amorphe (falsch implementiert :() \end{itemize} @@ -221,7 +221,7 @@ Pseudocode: \begin{itemize} \item zuf"allige Wahl eines Punktes $(x,y,z)$, wobei $x,y$ gleichm"assig verteilt, $p(z)=az+c$ \item Wahrscheinlichkeit, da"s Gebiet amorph wird $sim$ Druckspannung und Kohlenstoffkonzentartion - \item Wahrscheinlichkeit, da"s Gebiet kristallin wird, ist $1 - \textrm{oberer Wahrscheinlichkeit$ + \item Wahrscheinlichkeit, da"s Gebiet kristallin wird, ist $1 - \textrm{oberer Wahrscheinlichkeit}$ \item lineare Verteilung der Kohlenstoffatome aus kristallinen Gebieten \end{itemize} \end{slide}