From: hackbard Date: Sun, 29 Feb 2004 20:18:47 +0000 (+0000) Subject: first dpg2004 pre version X-Git-Url: https://hackdaworld.org/cgi-bin/gitweb.cgi?a=commitdiff_plain;h=e8beae814919677924e08d4b603fa23536d18fec;p=lectures%2Flatex.git first dpg2004 pre version --- diff --git a/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex b/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex index cabbebd..0f45ac1 100644 --- a/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex +++ b/nlsop/nlsop_dpg_2004.tex @@ -72,11 +72,11 @@ \uni-header \section*{Modell} \begin{itemize} - \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium $\rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen - \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph - \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen $SiC$ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung - \item d"unnes Target $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung - \item Kohlenstoff"ubers"attigung $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete + \item geringe L"oslichkeit von Kohlenstoff in Silizium \\ $\rightarrow$ kohlenstoffinduzierte Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen + \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph + \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung + \item d"unnes Target \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung + \item Kohlenstoff"ubers"attigung \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff aus kristallinen in amorphe Gebiete \end{itemize} \end{slide} @@ -147,7 +147,7 @@ Dreiteilung des Simulationsalgorithmus: \section*{Simulation(1/3) - Amorphisierung/Rekristallisation} \begin{itemize} \item zuf"allige Wahl der Koordinaten f"ur Sto"sprozess - \item Berechnung der Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit: + \item Berechnung der Amorphisierungs- bzw. Rekristallisationswahrscheinlichkeit \[ \begin{array}{ll} p_{c \rightarrow a} & \displaystyle =a_{cp} \times c^{\textrm{lokal}}_{\textrm{Kohlenstoff}} + b_{ap} + \sum_{amorphe Nachbarn} \frac{a_{ap} \times c_{\textrm{Kohelstoff}}}{\textrm{Abstand}^2}\\ @@ -189,7 +189,81 @@ Diffusion findet alle $d_v$ Schritte statt. \begin{slide} \uni-header \section*{Ergebnisse} +variierte Parameter: +\begin{itemize} + \item Schrittzahl + \item Amorphisierung beschreibende Parameter + \item Diffusionsgeschwindigkeit und Diffusionsrate + \item Diffusion in $z$-Richtung + \item rein kristalline Diffusion +\end{itemize} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Ergebnisse} +Notwendig f"ur Bildung der lamellaren Ausscheidungen: +\begin{itemize} + \item hohe Schrittzahl und niedrige Amorphisierungsparameter + \item Diffusion von Kohlenstoff von kristallinen in amorphe Gebiete, insbesondere in $z$-Richtung + \begin{figure}[h] + \begin{center} + \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_noZ.eps} + \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z.eps} + \caption{Messungen mit (rechts) und ohne (links) Diffusion von amorphen in kristalline Gebiete in $z$-Richtung} + \end{center} + \end{figure} +\end{itemize} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Ergebnisse} +Bildung komplement"ar angeordneter, amorpher kohlenstoffreicher Ausscheidungen in aufeinander folgenden Ebenen +\begin{figure}[h] + \begin{center} + \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z_x-y_97.eps} + \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z_x-y_98.eps} + \caption{Zwei aufeinander folgende Ebenen mit komplement"ar angeordneten amorphen und kristallinen Gebieten} + \end{center} +\end{figure} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Ergebnisse} +Die amorph/kristalline Diffusionsrate beeinflusst die Tiefe in der erstmals lamellare Ordnung auftrit +\begin{figure}[h] + \begin{center} + \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z_c-diff_x-z_21.eps} + \includegraphics[height=2cm]{sim2_a004_b0_Z_0.2-ac-diff_y-z_28.eps} + \caption{Messunng mit verschiedenen amorph-kristallinen Diffusionsraten} + \end{center} +\end{figure} +\end{slide} +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Ergebnisse} +Beste "Ubereinstimmung mit TEM-Aufnahme: +\begin{figure}[t] + \begin{center} + \includegraphics[height=3.5cm]{sim2_64-64_a003_b0_no-c-diff_x-z_23-cmp-tem.eps} + \includegraphics[height=3.5cm]{tem-if.eps} + \caption{Vergleich von Simulationsergebniss und TEM-Aufnahme} + \end{center} +\end{figure} +\end{slide} + +\begin{slide} +\uni-header +\section*{Ausblick} +\begin{itemize} + \item mehrere Sto"sprozesse pro Durchlauf $\rightarrow$ Durchlauf entspricht einem implantierten Ion + \item objektivere Methode zur Messung der lamellaren Struktur (Fouriertransformierte des Realbildes) + \item Intensivere Vergleiche mit TEM-Aufnahmen, insbesondere der Dosisentwicklung + \item Zusammenhang zwischen Simulations- und Implantationsparametern +\end{itemize} \end{slide} \end{document}