From: hackbard Date: Tue, 1 Mar 2005 14:31:10 +0000 (+0000) Subject: hopefully dpg2005 release! X-Git-Url: https://hackdaworld.org/cgi-bin/gitweb.cgi?a=commitdiff_plain;h=fa306d8111afa35d99d7a0719eb627b976a19037;p=lectures%2Flatex.git hopefully dpg2005 release! --- diff --git a/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex b/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex index d460192..5366998 100644 --- a/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex +++ b/nlsop/nlsop_dpg_2005.tex @@ -63,16 +63,13 @@ {\large\bf "Uberblick } +\begin{picture}(300,30) +\end{picture} \begin{itemize} - \item TEM-Aufnahme selbstorganisierter $SiC_x$-Ausscheidungen + \item selbstorganisierte $SiC_x$-Ausscheidungen \item Modell zur Beschreibung des Selbstorganisationsprozesses \item Umsetzung des Modells in eine Monte-Carlo-Simulation - \item Ergebnisse - \begin{itemize} - \item Einfluss der Diffusion - \item Vergleich von Simulationsergebnissen mit TEM-Aufnahmen - \item Reproduzierbarkeit der Dosisentwicklung - \end{itemize} + \item Vergleich von Simulationsergebnissen mit experimentellen Befunden \item Zusammenfassung \end{itemize} \end{slide} @@ -100,12 +97,12 @@ \end{figure} \scriptsize \begin{itemize} - \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ Nukleation sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen - \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind amorph - \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ Druckspannungen auf Umgebung - \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ Relaxation der Druckspannung in $z$-Richtung - \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ Diffusion von Kohlenstoff in amorphe Gebiete - \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ bevorzugte Amorphisierung zwischen zwei amorphen Ausscheidungen + \item L"oslichkeit von Kohlenstoff in $c$-Silizium "uberschritten \\ $\rightarrow$ {\bf Nukleation} sph"arischer $SiC_x$-Ausscheidungen + \item hohe Grenzfl"achenenergie zwischen $c-Si$ und $3C-SiC$ \\ $\rightarrow$ Ausscheidungen sind {\bf amorph} + \item $20-30\%$ geringere Dichte von amorphen zu kristallinen $SiC$ \\ $\rightarrow$ {\bf Druckspannungen} auf Umgebung + \item nahe der Oberfl"ache \\ $\rightarrow$ {\bf Relaxation} der Druckspannung in $ {\bf z}$-{\bf Richtung} + \item Abbau der Kohlenstoff"ubers"attigung in kristallinen Gebieten \\ $\rightarrow$ {\bf Diffusion} von Kohlenstoff in amorphe Gebiete + \item Druckspannungen \\ $\rightarrow$ {\bf bevorzugte Amorphisierung} zwischen zwei amorphen Ausscheidungen \end{itemize} \end{slide}