From d2dc51cbbc9bdba561443683adfe2aaeeb68ca54 Mon Sep 17 00:00:00 2001 From: hackbard Date: Thu, 20 Nov 2008 00:02:50 +0100 Subject: [PATCH] bis auf selfdesigned 3c-sic in c-si durch --- posic/talks/seminar_2008.tex | 58 +++++++++++++++++++++++++++++------- 1 file changed, 47 insertions(+), 11 deletions(-) diff --git a/posic/talks/seminar_2008.tex b/posic/talks/seminar_2008.tex index 737a7ce..19dad6b 100644 --- a/posic/talks/seminar_2008.tex +++ b/posic/talks/seminar_2008.tex @@ -903,6 +903,23 @@ Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs + \scriptsize + + \begin{minipage}{6.3cm} + \begin{center} + Kritischer Abstand 0.15 nm $\rightarrow$ 0.05 nm\\ + \end{center} + \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr.ps} + \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_cr_ba.ps} + \end{minipage} + \begin{minipage}{6.3cm} + \begin{center} + Dosirate: C auf einmal hinzugef"ugt\\ + \end{center} + \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_pc.ps} + \includegraphics[width=5.9cm]{1250_12_notrelax_ba.ps} + \end{minipage} + \end{slide} \begin{slide} @@ -911,40 +928,59 @@ Simulationen zum Ausscheidungsvorgang } - Variation des Einf"ugevorgangs des Kohlenstoffs + Modifikation der Kraft/Potentialberechnung + + \underline{Erh"ohter C-C cut-off} + \begin{center} + \includegraphics[width=6.5cm]{12_pc_c-c_amod.ps} + \end{center} + + \underline{Beitrag zur Kraft aus Ableitung von $f_{\text{C}}$ weglassen} + \begin{itemize} + \item System nicht mehr konservativ + \item Energie steigt trotz 'starker' T-Kontrolle + \end{itemize} + $\Rightarrow$ nicht geeignet f"ur Simulationen mit endlicher/hoher Temperatur \end{slide} \begin{slide} {\large\bf - Simulationen zum Ausscheidungsvorgang + SiC-Ausscheidungen in Si } - Modifikation der Kraft/Potentialberechnung \end{slide} \begin{slide} {\large\bf - Zusammenfassung / Ausblick + Zusammenfassung und Ausblick } -\vspace{24pt} +\vspace{8pt} + +\begin{itemize} + \item SiC als HL-Bauelemente f"ur Anwendungen unter extremen Bedingungen + \item Schwierigkeiten in der Herstellung d"unner SiC-Schichten + \item Notwendigkeit den 3C-SiC-Asuscheidungsvorgang zu verstehen +\end{itemize} + +\vspace{8pt} \begin{itemize} - \item Importance of understanding the SiC precipitation mechanism - \item Interstitial configurations in silicon using the Albe potential - \item Indication of SiC precipitation + \item Zwischengitterkonfigurationen + \item Suche nach SiC-Ausscheidungsbedingungen + \item Untersuchungen zu selbst konstruierten 3C-SiC in c-Si \end{itemize} \vspace{24pt} \begin{itemize} - \item Displacement and stress calculations - \item Refinement of simulation sequence to create 3C-SiC - \item Analyzing self-designed Si/SiC interface + \item Neue Versuche, neue Kombinationen + \item W"armebad koppelt nur an Randatome der Simulationszelle + \item Alternative Potentiale (SW, mod. Tersoff) \end{itemize} \end{slide} -- 2.39.2