\chapter{Ergebnisse}
\label{chapter:ergebnisse}

Im Folgenden sollen die Ergebnisse der Simulation diskutiert werden.
Dabei werden Simulationsergebnisse mit experimentell erfassten Ergebnissen aus \cite{maik_da} verglichen.

Weiterhin soll der in Kapitel \ref{chapter:modell} vorgestellte Bildungsmechanismus der amorphen $SiC_x$-Phasen in $Si$ verifiziert werden.
Hierbei wird vorallem der Einfluss einzelner Simulationsparameter, wie Diffusion und St"arke der Druckspannungen, auf den Selbstorganisationsprozess untersucht.

Unter der Annahme der Richtigkeit des Modells und seiner Umsetzung k"onnen sehr leicht Aussagen "uber die Struktur und Zusammensetzung an jedem beliebigen Ort des Targets w"ahrend des Ordnungsprozesses gemacht werden.
Diese Information ist experimentell sehr schwer zug"anglich.

Zun"achst werden die Ergebnisse der Simulationen bis $300 nm$ Tiefe vorgestellt.
Im Anschluss werden die Simulationen "uber den gesamten Implantationsbereich diskutiert.

  \section{Simulation bis $300 nm$ Tiefe}

 

    \subsection{Erste Simulationsdurchl"aufe}

    \subsection{Vergleich von Simulationsergebnis und TEM-Aufnahme}

    \subsection{Notwendigkeit der Diffusion}

    \subsection{Einfluss der Druckspannungen}

    \subsection{Verteilung des Kohlenstoffs im Target}

  \section{Simulation "uber den gesamten Implantationsbereich}

    \subsection{Reproduzierbarkeit der Dosisentwicklung}

    \subsection{Variation der Simulationsparameter}

    \subsection{Kohlenstoffverteilung}

    \subsection{Variation der Ion-Target-Kombination}

