\documentclass{beamer}

\mode<presentation>
{
\usetheme{Warsaw}
\setbeamercovered{transparent}
}
\usepackage{verbatim}
\usepackage[german]{babel}
\usepackage[latin1]{inputenc}
\usepackage[T1]{fontenc}
\usepackage{amsmath}
\usepackage{ae}
\usepackage{aecompl}
%\usepackage{color}
\usepackage{graphicx}
\graphicspath{{../img}}
\usepackage{hyperref}

\title{Vorstellung der Diplomarbeit}
\subtitle{Monte-Carlo-Simulation von selbstorganisierten nanometrischen $SiC_x$-Ausscheidungen in $C^+$-implantierten Silizium}
\author[F. Zirkelbach]{Frank Zirkelbach \\ \texttt{frank.zirkelbach@physik.uni-augsburg.de}}
\institute{
Institut f"ur Physik\\
Lehrstuhl f"ur Experimentalphysik IV\\
Universit"at Augsburg
}
\pgfdeclareimage[height=1cm]{lst-logo}{Lehrstuhl-Logo.eps}
\logo{\pgfuseimage{lst-logo}}

\begin{document}

\begin{frame}
  \titlepage
}

\begin{frame}
  \frametitle{"Uberblick}

\end{frame}

\begin{slide}{"Uberblick}
\begin{itemize}
  \item Motivation
  \item Grundlagen
  \item Experimentelle Befunde
  \item Das Modell
  \item Die Simulation
  \item Ergebnisse
  \item Anwendung
  \item Zusammenfassung
\end{itemize}
\end{slide}

\overlays{5}{
\begin{slide}{Ionenimplantation}
Funktionsweise:
\begin{itemstep}
 \item Ionisation des Atoms/Molek"uls
 \item Beschleunigung im elektrischen Feld ($500 \, eV - 1 \, GeV$)
 \item Bestrahlung eines Festk"orpers
\end{itemstep}
\FromSlide{4}{$\Rightarrow$ Modifikation oberfl"achennaher Schichten} \\
\vspace{15pt}
\FromSlide{5}{
Industrielle Anwendung:\\
Dotierung von Halbleiterkristallen}
\end{slide}}

\begin{slide}{Ionenimplantation}
Vorteile:
\begin{itemize}
 \item exakte Kontrollierbarkeit der implantierten Menge
 \item Reproduzierbarkeit
 \item Homogenit"at
 \item Schnelligkeit
 \item frei w"ahlbare Implantationstemperatur
 \item unabh"angig von der chemischen L"oslichkeitsgrenze
\end{itemize}
\end{slide}

\overlays{3}{
\begin{slide}{Selbstorganisation}
\begin{tabular}{c}
  \begin{tabular}{ll}
    \begin{minipage}{3.5cm}
      \onlySlide*{1}{\includegraphics[width=3cm]{ripple_bh.eps}}
      \onlySlide*{2}{\includegraphics[width=3cm]{bin_leg.eps}}
      \onlySlide*{3}{\includegraphics[width=3cm]{bolse2.eps}}
    \end{minipage} &
    \begin{minipage}{7.5cm}
      \begin{itemstep}
       \item Entstehung von Riffeln auf der Targetoberfl"ache
       \item separierte Phasen bei der Bestrahlung bin"arer Legierungen
       \item periodische Rissbildung bei der Bestrahlung mit schnellen und schweren Ionen
      \end{itemstep}
    \end{minipage}
  \end{tabular} \\
%\FromSlide{1}{{\footnotesize 1) R. M. Bradley, J. M. E. Harper. J. Vac. Sci. Technol. A6 (1988) 2390\\}}
%\FromSlide{2}{{\footnotesize 2) R. A. Enrique, P. Bellon. Phys. Rev. Lett. 60 (1999) 14649\\}}
%\FromSlide{3}{{\footnotesize 3) W. Bolse, B. Schattat, A. Feyh. Appl. Phys. A 77 (2003) 11\\}}
\end{tabular}
\end{slide}}

\overlays{2}{
\begin{slide}{Grundlagen}
Abbremsung der Ionen
  \begin{tabular}{ll}
    \begin{minipage}[l]{5cm}
      \onlySlide{1}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} +$ \ldots}
      \onlySlide{2}{$- \frac{\partial E}{\partial x} = N \Big( {\red S_n(E)} + {\blue S_e(E)} \Big)$}
    \end{minipage} &
    \begin{minipage}[l]{6cm}
      \begin{itemstep}
        \item {\red nukleare Bremskraft}\\
              elastischer Sto"s mit Atomkernen des Targets
        \item {\blue elektronische Bremskraft}\\
              inelastischer Sto"s mit Elektronen des Targets
      \end{itemstep}
    \end{minipage}
  \end{tabular}
\end{slide}}


\end{document}
