-Die thermisch aktivierte, kurzreichweitige Diffusion und der, durch die Bestrahlung aktivierter Austausch von Atomen f"uhrt ab einem bestimmten Wert f"ur die Autauschreichweite zur Bildung verworrener separierter stabiler Phasen \cite{enrique1,enrique2}.
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-Bei Untersuchungen \cite{herstellung_sic_schicht} von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium, als Methode zur Herstellung vergrabener epitaktischer $SiC$-Schichten \nolinebreak[4] \cite{sic_buch}, fand man bei Temperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ die Ausbildung einer amorphen Schicht, begleitet von lamellaren und sph"arischen Einschl"ussen an der vorderen Grenzfl"ache.
-Diese wenige $nm$ gro"se Einschl"usse sind regelm"a"sig angeordnet.
-Die Annahme, dass es sich bei diesen amorphen Einschl"ussen um kohlenstoffreiches amorphes Silizium handelt, wird durch analytische Transmissionselektronenmikroskopie gest"utzt \cite{da_martin_s,vorstellung_modell}.
+Die thermisch aktivierte, kurzreichweitige Diffusion und der durch die Bestrahlung aktivierte Austausch von Atomen f"uhrt ab einem bestimmten Wert f"ur die Austauschreichweite zur Bildung separierter stabiler Phasen \cite{enrique1,enrique2}.
+Ein weiteres aktuell untersuchtes Beispiel ist die periodische Rissbildung senkrecht zur projezierten Einfallsrichtung des Ionenstrahls bei der Bestrahlung d"unner $NiO$-Schichten mit schnellen und schweren Ionen \cite{bolse}.
+Bei fortgef"uhrter Implantation bilden sich $100 \, nm$ dicke und $1 \, \mu m$ hohe $NiO$-Lamellen aus, die einen Abstand von $1-3 \, \mu m$ und die selbe Orientierung wie die Risse besitzen.
+Dieser Effekt wird auf das kurzzeitige Schmelzen des Materials in der Umgebung der Teilchenbahn des Ions zur"uckgef"uhrt.
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+In der vorliegenden Arbeit soll ein anderer, k"urzlich beobachteter Selbstorganisationsvorgang erstmals mittels Computersimulation untersucht werden.
+Bei Untersuchungen \cite{herstellung_sic_schicht} von Hochdosis-Kohlenstoff-Ionenimplantationen in Silizium als Methode zur Herstellung vergrabener epitaktischer $SiC$-Schichten \cite{sic_buch} fand man bei Temperaturen kleiner $400 \, ^{\circ} \mathrm{C}$ die Ausbildung einer amorphen Schicht, begleitet von lamellaren beziehungsweise sph"arischen amorphen Einschl"ussen an der vorderen Grenzfl"ache.
+Diese wenige $nm$ gro"sen Einschl"usse sind regelm"a"sig angeordnet.
+Die Annahme, dass es sich bei diesen amorphen Einschl"ussen um eine kohlenstoffreiche Phase handelt, wird durch analytische Transmissionselektronenmikroskopie gest"utzt \cite{da_martin_s,vorstellung_modell}.