-Es entstehen kohlenstoffreiche lamellare amorphe $SiC_x$-Ausscheidungen.
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-Die Implementierung einer Monte-Carlo-Simulation entsprechend des vorgestellten Modells wurde diskutiert.
-In einer ersten Version wurde bis zu Beginn der durchgehenden amorphen Schicht simuliert.
-Nukleare Bremskraft und Implantationsprofil wurden linear gen"ahert.
-Die zweite Version umfasst den kompletten Implantationsbereich einschliesslich der amorphen durchgehenden Schicht.
-Hier wurde ein exaktes Bremskraft- und Implantationsprofil verwendet.
-Implantationsparameter erm"oglchen die Steuerung des Amorphisierungsprozesses.
-Die drei zur Amorphisierung beitragenden Mechanismen ballistische Amorphisierung, kohlenstoff-induzierte Amorphisierung und spannungs-induzierte Amorphisierung k"onnen durch Simulationsparameter gewichtet werden.
-Die Diffusion kann durch zwei weitere Parameter beschrieben werden.
-Bei der Implementierung wurde darauf geachtet, dass ein Durchlauf exakt einem implantierten Ion entspricht.
-Somit kann versucht werden eine experimentell bestimmte Dosisenticklung zu reproduzieren.
-Nach Beenden einer Simulation k"onnen die Kohlenstoffkonzentration, die Spannungsfelder und der genaue amorph/kristalline Zustand leicht untersucht werden.
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-In Ergebnissen der ersten Version konnte gezeigt werden, dass eine selbstorganisierte Bildung lamellarer amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen mit Hilfe dieses Modells reproduziert werden kann.
-Dabei fiel auf, dass die kohlenstoff-induzierte Amorphisierung eine weitaus gr"o"sere Rolle als die rein ballistische Amorphisierung einnimmt.
-Energiegefilterte TEM-Aufnahmen, die besagen, dass die amorphen Gebiete eine sehr hohe Kohlenstoffkonzentration haben werden durch die Simulation best"atigt.
-Mit Hilfe der Simulation k"onnen noch weitere Aussagen "uber die Verteilung des Kohlenstoffs angestellt werden.
-EDIT: genaue lage des kohlenstoffs.
-EDIT: selbstorganisationsprozess wird so nachvollziehbar.
+Es entstehen kohlenstoffreiche lamellare amorphe $SiC_x$"=Ausscheidungen.
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+Zwei Implementierungen der Monte"=Carlo"=Simulation entsprechend des vorgestellten Modells mit unterschiedlichen Simulationszwecken wurden entwickelt.
+In einer ersten Version wird genau der Tiefenbereich in dem angeordnete kleine $SiC_x$-Ausscheidungen gebildet werden simuliert, um zu sehen, ob nach dem Modell "uberhaupt Selbstorganisation m"oglich ist.
+Nukleare Bremskraft und Implantationsprofil werden in dieser Version linear gen"ahert.
+Die zweite Version umfasst den kompletten Implantationsbereich einschlie"slich der durchgehend amorphen Schicht, die sich typischerweise unterhalb der Lamellenschicht bildet.
+Hiermit wird festgestellt, ob das Modell weiterhin in der Lage ist, sowohl die Bildung der lamellaren $SiC_x$"=Ausscheidungen als auch der durchgehend amorphen Schicht in Abh"angigkeit der Dosis zu erkl"aren.
+Hierzu wird ein exaktes Bremskraft- und Implantationsprofil verwendet.
+Simulationsparameter erm"oglichen in beiden Versionen die Steuerung des Amorphisierungsprozesses.
+Die drei zur Amorphisierung beitragenden Mechanismen ballistische Amorphisierung, kohlenstoffinduzierte Amorphisierung und spannungsunterst"utzte Amorphisierung k"onnen durch Parameter gewichtet werden.
+Die Diffusion wird durch zwei weitere Parameter beschrieben.
+Hier liegt der Vorteil der Simulation gegen"uber dem Experiment.
+In der Simulation sind diese Parameter unabh"angig voneinander einstellbar, so dass der Einfluss eines jeden Mechanismus oder Prozesses auf den Selbstorganisationsvorgang frei untersucht werden kann.
+Bei der Implementierung wurde darauf geachtet, dass ein Durchlauf exakt einem implantierten Ion entspricht, sodass m"ogliche Artefakte aufgrund einer Projektion eines Programmdurchlaufs auf eine h"ohere Teildosis ausgeschlossen werden.
+Nach Beenden einer Simulation k"onnen die Kohlenstoffkonzentration, die Spannungsfelder und der genaue amorph/kristalline Zustand leicht dargestellt werden.
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+Die Ergebnisse der ersten Version zeigen, dass eine selbstorganisierte Bildung lamellarer amorpher $SiC_x$-Ausscheidungen mit Hilfe dieses Modells reproduziert werden kann.
+Das in \cite{vorstellung_modell,chef_habil} vorgeschlagene Modell wird somit von den Simulationsergebnissen unterst"utzt.
+Dabei f"allt auf, dass die kohlenstoffinduzierte Amorphisierung eine weitaus gr"o"sere Rolle als die rein ballistische Amorphisierung einnimmt.
+Die aus EFTEM gewonnene Aussage, dass die amorphen Gebiete eine sehr hohe Kohlenstoffkonzentration haben, wird durch die Simulation wiedergegeben.
+Mit Hilfe der Simulation k"onnen noch weitere Aussagen "uber die Verteilung des Kohlenstoffs getroffen werden.
+Eine genaue Lage des Kohlenstoffs in den amorphen und kristallinen Gebieten kann angegeben werden.
+Dadurch wird der Selbstorganisationsprozess nachvollziehbar.
+Amorphe und kristalline Gebiete sind in aufeinander folgenden Ebenen komplement"ar angeordnet.
+Da sich gro"se und kleine amorphe Gebiete abwechseln und die amorphen Gebiete aufgrund der Diffusion sehr kohlenstoffreich sind, schwankt die Kohlenstoffkonzentration im Bereich der lamellaren Ausscheidungen.
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+Mit der zweiten Version wird der gesamte durch den Ionenbeschuss modifizierte Tiefenbereich abgedeckt.
+Man findet einen Satz von Simulationsparametern, der die experimentell beobachtete Dosisabh"angigkeit der Verteilung amorpher Bereiche gut reproduziert.
+Man erkennt die Bildung einer durchgehend amorphen Schicht ausgehend von einzelnen amorphen Ausscheidungen.
+Mit Erh"ohung der Dosis w"achst die Dicke dieser Schicht an.
+Gleichzeitig entstehen selbstorganisierte lamellare Ausscheidungen an der vorderen Grenzfl"ache der Schicht.
+Die Grenzfl"achen und die Lamellen werden bei fortgesetzter Implantation sch"arfer und strukturierter.
+Auch hier ist die kohlenstoffinduzierte Amorphisierung der wichtigste Mechanismus der zur Amorphisierung beitr"agt.
+Auf eine Ver"anderung der die Diffusion und die spannungsunterst"utzte Amorphisierung beschreibenden Parameter reagiert das System sensibel.
+Diffusion ist einerseits notwendig f"ur die lamellare Ordnung der amorphen Ausscheidungen, eine leicht aggressivere Diffusion f"uhrt andererseits jedoch zu einer kompletten lamellaren Amorphisierung des Targets, so dass sich keine durchgehende Schicht bildet.
+Zu hohe Werte f"ur den Parameter der Druckspannungen verursachen eine nahezu komplette Amorphisierung des kohlenstoffhaltigen Bereichs.
+Wie in der ersten Version des Programms f"allt auf, dass die amorphen und kristallinen Volumina in aufeinanderfolgenden Ebenen im Tiefenbereich der lamellaren Ausscheidungen komplement"ar zueinander angeordnet sind.
+Dies ist begleitet von Schwankungen der Kohlenstoffkonzentration im lamellaren Tiefenbereich.
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+Auf diese Ergebnisse aufbauend werden Vorhersagen m"oglich, wie sich der Selbstorganisationsprozess ausnutzen l"asst, um eine mehrere hundert $nm$ dicke Schicht mit einer regelm"a"sigen Anordnung amorpher $SiC_x$-Lamellen herzustellen.