+\begin{slide}
+Programmablauf:
+\begin{itemize}
+ \item Zerlege Target in Zellen (Kantenl"ange $a \simeq 3nm$)
+ \item zuf"allige Wahl einer Zelle $(x,y,z)$ f"ur Sto"skaskade, $p(x/y)$ gleichverteilt, $p(z)=az+c$
+ \item Berechnen von $p(cryst \rightarrow amorph)$
+ \item Entscheidung anhand Zufallszahl
+ \item Erh"ohung der Kohlenstoffkonzentration
+ \item Kohlenstoffdiffusion
+ \begin{itemize}
+ \item aus kristallinen $Si$-Gitter in amorphe Bereiche
+ \item innerhalb kristalliner Bereiche
+ \end{itemize}
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+Wichtigste variable Parameter:
+\begin{itemize}
+ \item Steigung/Y-Abschnitt von
+ \begin{itemize}
+ \item nuklearer Energieverlust
+ \item Kohlenstoffverteilung
+ \end{itemize}
+ \item Anzahl der Durchg"ange $\equiv$ Anzahl der implantierten Ionen
+ \item Abbruchkriterium f"ur Einfluss der Druckspannungen
+ \item Proportionalit"atskonstante:\\ Druckspannung $\leftrightarrow p(cryst \rightarrow amorph)$
+ \item $p_0(cryst \rightarrow amorph)$
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\subsection{Ergebnisse}
+Erfolg:
+\begin{itemize}
+ \item Grad der Amorphisierung geht linear mit $z$
+ \item Bildung einzelner Lamellen
+ \item hohe $C$-Konzentration in amorphen Gebieten
+\end{itemize}
+Nicht beobachtet:
+\begin{itemize}
+ \item Regelm"assigkeit der lamellaren amorphen Ausscheidungen
+ \item Anwachsen der Gr"o"se der Ausscheidungen sowie deren Abst"ande in $z$-Richtung
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+$a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.1 \quad r=4$
+\includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.1--1.eps}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+$a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.1 \quad r=4$
+\includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.1--2.eps}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+$a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.1 \quad r=4$
+\includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.1--3.eps}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+$a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.1 \quad r=4$
+\includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.1--4.eps}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+$a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.2 \quad r=4$
+\includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.2--1.eps}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+$a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.2 \quad r=4$
+\includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.2--2.eps}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+$a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.2 \quad r=4$
+\includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.2--3.eps}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+$a_{ap}=0.1 \quad b_{ap}=0.2 \quad r=4$
+\includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.1-0.2--4.eps}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+$a_{ap}=0.2 \quad b_{ap}=0.1 \quad r=4$
+\includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.2-0.1--1.eps}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+$a_{ap}=0.2 \quad b_{ap}=0.1 \quad r=4$
+\includegraphics[width=7cm,clip,draft=no]{4-0.2-0.1--2.eps}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\slideheading{Zusammenfassung}
+\begin{itemize}
+ \item Variation von $b_{ap}$
+ \begin{itemize}
+ \item Zunahme amorpher Gebiete
+ \item keine Zunahme lamellarer Strukturen
+ \end{itemize}
+ \item Variation von $a_{ap}$
+ \begin{itemize}
+ \item Zunahme amorpher Gebiete
+ \item eher Abnahme der lamellaren Struktur
+ \end{itemize}
+\end{itemize}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+\section{Todo}
+\end{slide}
+
+\begin{slide}
+Ideen f"ur zuk"unftige Versionen:
+\begin{itemize}
+ \item Durchspielen weiterer Parameter
+ \begin{itemize}
+ \item $b_{ap} = 0 \,$, $a_{ap} \,$ klein
+ \item Anzahl der Schritte erh"ohen
+ \end{itemize}
+ \item Anfangsbedingung (setzen geordneter sph"arische $SiC_x$-Ausscheidungen)
+ \item Druckspannungen in $z$-Richtung
+ \item Messen des Anteils an lamellaren Strukturen (Autokorrelation)
+ \item 3 dimensionale Visualisierung
+\end{itemize}