- \item einfaches Modell zur Erzeugung selbstorganisierter amorpher Ausscheidungen
- \item lamellare Strukturen durch Simulation nachvollziehbar
-\end{itemize}
-\vspace{32pt}
-{\large\bf
- Ausblick
-}
-\begin{itemize}
- \item mehr \dq Version 2 \dq{} - Versuche
- \item Simulation anderer Ion-Target Kombinationen \\
- $\rightarrow$ Zusammenhang zwischen Simulations und Implantationsparametern
+ \item selbstorganisierte Anordnung nanometrischer Ausscheidungen bei Ionenimplantation \\
+ $C \rightarrow Si \qquad T_{i}: 150 - 350 \, ^{\circ} \mathrm{C} \qquad D \le 8 \times 10^{17} cm^{-2}$
+ \item Amorphisierung $\rightarrow$ Dichteunterschied $\rightarrow$ Spannungen $\rightarrow$ Selbstorganisation
+ \item Modell: Wahrscheinlichkeiten f"ur Amorphisierung/Rekristallisation abh"angig von:
+ \begin{itemize}
+ \item nuklearer Bremskraft
+ \item Implantationsprofil
+ \item Spannungen
+ \end{itemize}
+ \item lamellare Anordnung nachvollziehbar durch Simulation
+ \item Entwicklung der Morphologie der a/c-Grenzfl"ache reproduzierbar